美國半導體制造技術戰(zhàn)略聯(lián)盟(SEMATECH)和Exogenesis Corp.已經達成戰(zhàn)略聯(lián)盟，共同推廣Exogenesis的Accelerated Neutral Atom Beam（加速中性原子束，簡稱“ANAB”）和他們的nAcceltm加速粒子束設備平臺。SEMATECH首席執(zhí)行官兼總裁Ron Goldblatt博士表示：“芯片行業(yè)正處于原子尺度處理時期。使用正在開發(fā)的ANAB將支持更好的控制和更高的制造效率，同時為半導體裝置打開新功能?！?br/>　　SEMATECH和Exogenesis將建立一個新公司，為半導體行業(yè)將ANAB技術推向市場。除了最初的關注集成電路制造之外，雙方還將在其它納米電子領域開發(fā)ANAB應用，這可能會形成更多公司。
　　ANAB技術是在深度為幾納米的情況下修改和控制具有原子級控制曲面的獨特方法，已獲得專利。Exogenesis總裁兼首席執(zhí)行官表示：“其它技術無法達到ANAB的性能效果?！被瘜W修飾、材料去除與沉積、曲面光順以及表面形態(tài)控制都有可能通過ANAB平臺實現(xiàn)。
　　ANAB已經被用于對藥理及生物相容性進行精確控制的生物醫(yī)學領域，以及支持更安全、有效的可植入醫(yī)療設備的開發(fā)。事實證明，ANAB能夠為包括玻璃、金屬、有機、半導體和聚合材料等各種材料界面帶來好處。
　　SEMATECH企業(yè)發(fā)展總監(jiān)Ed Barth博士表示：“"SEMATECH和 Exogenesis自2013年以來已經作為SEMATECH項目的一部分開始合作，支持半導體行業(yè)采用Extreme Ultraviolet Lithography(極紫外光刻技術，簡稱EUVL)?！薄半p方已經展示和公布了ANAB技術在提高薄硅膜透明度方面的價值，可以顯著提升EUV膜的性能?！?Exogenesis與SEMATECH的其它工作表明ANAB處理支持EUV掩?；宓墓忭標劫|量比傳統(tǒng)方法更卓越，提高了通過他們創(chuàng)造的掩模坯的光學性能。這些結果發(fā)布于2014年。
　　位于紐約州奧爾巴尼的Exogenesis工廠以及NanoTech Complex of SUNY Polytechnic Institute的Colleges of Nanoscale Science and Engineering (SUNY Poly CNSE)將持續(xù)進行開發(fā)工作。因此，這個戰(zhàn)略