臺(tái)積電16奈米制程技術(shù)如期于第2季量產(chǎn)，聯(lián)電14奈米制程將于2016年量產(chǎn)，將拉近與臺(tái)積電的差距。

　　晶圓代工先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)激烈，龍頭廠臺(tái)積電在28奈米制程技術(shù)發(fā)展遙遙領(lǐng)先對(duì)手，早在2011年第4季即導(dǎo)入量產(chǎn)。

　　反觀聯(lián)電28奈米制程遲至2014年第2季才量產(chǎn)，足足落后臺(tái)積電長(zhǎng)達(dá)2年半時(shí)間；讓臺(tái)積電近年得以獨(dú)享龐大28奈米市場(chǎng)商機(jī)，市占率持續(xù)擴(kuò)大。

　　臺(tái)積電去年20奈米制程量產(chǎn)，16奈米制程如期于今年第2季量產(chǎn)，預(yù)計(jì)下半年大量出貨。

　　為拉近與臺(tái)積電的差距，聯(lián)電與IBM達(dá)成技術(shù)授權(quán)，加速14奈米制程研發(fā)時(shí)程，聯(lián)電在年報(bào)中指出，14奈米將于2016年第1季提供客戶試產(chǎn)，并將于2016年量產(chǎn)。

　　聯(lián)電在14/16奈米制程發(fā)展，落后臺(tái)積電時(shí)間將大幅縮短至1年半左右時(shí)間。

　　至于10奈米制程，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2016年下半年量產(chǎn)，聯(lián)電則將于2018年量產(chǎn)，聯(lián)電落后臺(tái)積電時(shí)間是否又將再度拉大，值得觀察。

　　聯(lián)電估計(jì)，未來(lái)2年投入14奈米及10奈米制程技術(shù)研發(fā)費(fèi)用將達(dá)新臺(tái)幣121億元，將是研發(fā)費(fèi)用投入的重點(diǎn)。