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三星抢食大陆晶圆代工大饼

2016-09-02

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  全球前6大晶圓代工廠

  韓國半導體大廠三星電子(Samsung)日昨在上海舉辦技術論壇,對外說明晶圓代工策略,同時宣示鎖定爭取大陸IC設計廠代工訂單。三星指出,預計今年底10奈米可以上線,7奈米制程將采用最先進的極紫外光(EUV)微影技術,并將針對物聯(lián)網汽車電子提供低功耗的28奈米全耗盡型絕緣層上覆矽(FD-SOI)制程。

  同時,三星原本只生產自有晶片的8寸晶圓廠,現(xiàn)在也將開放并爭取類比IC或LCD驅動IC等晶圓代工訂單。

  臺灣晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、力晶等已分別以獨資或合資方式,赴大陸興建晶圓代工廠,三星電子在大陸的最大投資是西安的NAND Flash廠,并沒有在大陸設立晶圓代工廠的計畫。不過,三星選擇在上海舉行技術論壇,說明最新的晶圓代工策略,并宣示將爭取大陸IC設計廠代工訂單。

  事實上,隨著大陸官方成立的中國國家集成電路產業(yè)發(fā)展基金(大基金)開始擴大投資,大陸半導體生產鏈持續(xù)擴大產能,產值也正在快速擴張,而大陸地區(qū)第二季IC設計業(yè)銷售額已經正式超越臺灣,成為全球第二大IC設計產業(yè)群聚地,這也是為何全球晶圓代工廠都開始鎖定大陸市場的原因。

  三星的晶圓代工晶圓廠主要有三個據(jù)點,包括位于韓國的8寸晶圓廠S1、位于美國德州的12寸晶圓廠S2、以及位于韓國Hwasung的12寸晶圓廠S3。另外,三星也將與臺積電一樣,提供后段封測服務。而三星預估今年包含晶圓代工的邏輯制程月產能將達13.5~14萬片12寸晶圓及19萬片8寸晶圓,且預估至2017年底產能將擴充約15%。

  隨著臺積電宣布今年底將量產10奈米制程,2018年開始量產7奈米制程,三星也在技術論壇中說明先進制程布局,包括今年底可望開始進行10奈米投片,但將跳過采用浸潤式微影技術的7奈米,直接推出采用EUV微影技術的7奈米,預計至2018年底EUV技術可在250W光源下每天生產1,500片晶圓。三星認為,7奈米采用EUV可以擁有更好的成本架構,有助于爭取先進制程晶圓代工訂單。

  三星認為大陸市場在電子錢包、無人機、電動車、自駕車等供應鏈有很好的創(chuàng)新,也將帶來新機會,所以除了支援先進制程,也將在明年第二季開始,提供可支援物聯(lián)網及汽車電子的28奈米FD-SOI制程。同時,三星也將開放8寸廠產能,配合本身在記憶體市場的優(yōu)勢提供65奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程,以及70奈米高壓制程,爭取大陸市場類比IC、CMOS影像感測器、LCD驅動IC等代工訂單。


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