5月15日消息，從比亞迪半導體官方獲悉，比亞迪半導體西安研發(fā)中心即將啟用。據(jù)悉，比亞迪半導體在全國擁有五大研發(fā)及生產(chǎn)制造基地，分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。

　　位于西安的半導體研發(fā)中心，將配備近千人的研發(fā)團隊，是比亞迪半導體精心布局的全新研發(fā)基地，承擔著開啟新一輪半導體創(chuàng)新與研發(fā)攻堅戰(zhàn)的使命。

　　比亞迪半導體將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源，主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制IC等半導體產(chǎn)品的設計及服務，進一步提升公司產(chǎn)品研發(fā)和技術實力。

　　據(jù)悉，繼2018年在寧波發(fā)布IGBT4.0芯片技術以來，歷時兩年積累，比亞迪半導體打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片，并計劃于比亞迪半導體西安研發(fā)中心全新發(fā)布。

　　據(jù)了解，自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內(nèi)中高端車用IGBT新標桿。

　　截止2020年底，以IGBT為主的車規(guī)級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。

　　IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產(chǎn)品降低了約20%，整車電耗顯著降低。

　　比亞迪半導體稱，IGBT6.0芯片采用新一代自主研發(fā)的高密度溝槽柵技術，相較同類產(chǎn)品在可靠性及產(chǎn)品性能上將實現(xiàn)重大突破，達到國際領先行列。

　　資料顯示，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種大功率的電力電子器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，俗稱電力電子裝置的“CPU”。

　　IGBT是新能源汽車最核心的技術，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉換，同時對交流電機進行變頻控制，決定驅動系統(tǒng)的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等。