由于IGBT在電能轉(zhuǎn)換中扮演的重要角色，它能夠?yàn)楦鞣N高電壓和大電流應(yīng)用提供更高的效率和節(jié)能效果，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源、變頻家電等領(lǐng)域。

　　在新能源汽車中，IGBT模塊占電動車整車成本約5%左右，是除電池之外成本第二高的元件。根據(jù)IHS預(yù)測，全球汽車電動化用IGBT模塊未來5年復(fù)合增長率高達(dá)23.5%。目前國內(nèi)IGBT供需差距巨大，國產(chǎn)量僅為市場銷量的七分之一。

　　隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場回暖，IGBT在領(lǐng)域的市場規(guī)模逐步擴(kuò)大。在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。

　　IGBT它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優(yōu)勢明顯。

　　IGBT是事關(guān)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，如此重要的IGBT，長期以來我國卻不得不面對依賴進(jìn)口的尷尬局面，市場主要被英飛凌、三菱、富士電機(jī)為首的國際巨頭壟斷。同時(shí)IGBT在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，中國新能源汽車產(chǎn)量增速高于全球水平，并且未來新能源汽車的市場規(guī)模在繼續(xù)擴(kuò)張。

　　IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和高壓(1200V-6700V)，IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路；將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電；它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。

　　IGBT需求分析：

　　★電動車: 因比傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車使用更多電力動力設(shè)備部件(燃機(jī)汽車約20%,電動車約55%),在功率半導(dǎo)體的使用量增加5-10倍?，F(xiàn)成長幅度以中國在電動車市場成長最快,重點(diǎn)以電動車應(yīng)用為主要需求。

　　★白色家電: 應(yīng)映全球綠色加電節(jié)能需求,變頻家電是目前的消費(fèi)電子趨勢, IGBT IPM 在空調(diào)的成長率最多。目前是全球大叁大的IGBT市場。

　　★工業(yè)控制: 目前暫為全球最大市場，全球約為35-40%(在中國約占中國市場近30%),此部分市場還是由英飛凌/富士/叁菱等公司市占率最高。

　　★軌道交通:IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件；目前主要市場在中國；使用高壓IGBT，因市場較需求比較少成長幅度也不大, 故暫且不提。

　　IGBT是光伏逆變器、儲能逆變器的核心器件。IGBT模塊占光伏逆變器價(jià)值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產(chǎn)品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊，而分布式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

　　電網(wǎng)系統(tǒng)在朝著智能化方向發(fā)展，智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端與IGBT聯(lián)系密切，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件，此外IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。在家電中，微波爐、LED照明驅(qū)動等對于IGBT需求也在持續(xù)提升。

　　在新能源汽車中，IGBT模塊是電動汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近5％，占充電樁成本約20％。IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：

　　1、電動控制系統(tǒng)大功率直流／交流（DC／AC）逆變后驅(qū)動汽車電機(jī)。

　　2、車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流／交流（DC／AC）逆變，使用電流較小的IGBT和FRD。

　　3、充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用。

　　茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，并受到客戶的青睞；打破國外壟斷現(xiàn)象。

　　IGBT對背面工藝和減薄工藝技術(shù)要求高；臺灣茂矽電子推出三款采用FS工藝技術(shù)1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)晶圓片：

　　由工采網(wǎng)代理的茂矽1200V IGBT晶圓系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù)，可顯著降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗，從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無需短路功能的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如不間斷電源、太陽能逆變器、焊接等應(yīng)用，而且為電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用提供10微秒短路功能，與其它IR產(chǎn)品相輔相成。

　?。?）IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；可應(yīng)用于：中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)

　　（2）IGBT晶圓 - P81MV020NL0011P是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；可應(yīng)用于：中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)

　　（3）IGBT晶圓 - P81MV023NL0014P是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；可應(yīng)用于：中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)

　　臺灣茂矽電子降低晶圓導(dǎo)通電阻，通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率，并改善電動車關(guān)鍵零組件多得向英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（ST）等國外大廠購買的情形。

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