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鎧俠目標2027年3D NAND閃存實(shí)現1000層堆疊

2024-06-28
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: 鎧俠 3DNAND 閃存 1000層堆疊

6 月 28 日消息,鎧俠(Kioxia)結束為期 20 個(gè)月的 NAND 閃存減產(chǎn)計劃,日本兩座工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提升至 100% 之后,上周披露了其 3D NAND 路線(xiàn)圖計劃。

根據 PC Watch 和 Blocks & Files 的報道,鎧俠目標在 2027 年達到 1000 層的水平。

援引媒體報道,3D NAND 在 2014 年只有 24 層,到 2022 年達到 238 層,8 年間增長(cháng)了 10 倍。而鎧俠目標以平均每年 1.33 倍的速度增長(cháng),到 2027 年實(shí)現 1000 層堆疊。

三星在上個(gè)月表示,計劃 2030 年之前推出超過(guò) 1000 層的先進(jìn) NAND 閃存芯片,其中鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)將成為這項成就的關(guān)鍵。

在摘要部分中寫(xiě)到,在金屬帶工程柵極中間層(BE-G.IL)、鐵電(FE)開(kāi)關(guān)、溝道中間層(Ch.IL)和硅(MIFIS) FeFET 架構中,使用 FE 開(kāi)關(guān)相互作用,來(lái)顯著(zhù)提高性能,表明 hafnia FE 成為擴展 3D VNAND 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力。

在 3D NAND 閃存的層數挑戰上,鎧俠似乎比三星更有野心。

首先是政策和資本扶持,鎧俠受益于內存行業(yè)的復蘇,最近獲得了日本政府的補貼和銀行財團的額外融資,此外該公司還計劃今年年底 IPO 上市,讓鎧俠有充足的資金,追求技術(shù)進(jìn)步和成本優(yōu)化。

其二是技術(shù)演進(jìn)和積累,鎧俠預測到 2027 年 NAND 芯片密度將達到 100 Gbit / mm2,實(shí)現 1000 層。

提高 3D NAND 芯片的密度不僅僅是在芯片上堆疊更多層,因為每層的邊緣都需要暴露以進(jìn)行字線(xiàn)電氣連接。這為芯片提供了階梯狀輪廓,隨著(zhù)層數的增加,階梯所需的芯片面積也會(huì )增加。

鎧俠雄心勃勃地計劃到 2027 年實(shí)現 1000  層技術(shù),這是迄今為止所有制造商宣布的最高層數。然而,要達到這一里程碑,就必須從 TLC(每單元 3 位)過(guò)渡到 QLC(每單元 4  位),甚至可能過(guò)渡到 PLC(每單元 5 位)。其中涉及的技術(shù)挑戰是巨大的,鎧俠能否在 2027 年之前實(shí)現這一市場(chǎng)里程碑還有待觀(guān)察。

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