11月25日消息，近日，長鑫存儲正式發(fā)布最新的DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品，挑戰(zhàn)韓美先進存儲大廠。

據(jù)長鑫介紹，最新DDR5系列最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。

此外，長鑫還展示了上個月已經(jīng)發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品。該系列針移動市場旗艦產(chǎn)品，最高速率 10667Mbps，最高顆粒容量 16Gb，并涵蓋 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。

今年稍早時，市場曾出現(xiàn)由中國企業(yè)生產(chǎn)的少量DDR5內(nèi)存，但這次是長鑫存儲作為代表，首度正式展示實際產(chǎn)品。

半導體產(chǎn)業(yè)指出，長鑫存儲展示內(nèi)存性能值得關(guān)注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代產(chǎn)品（6400 Mbps）提升25%，在技術(shù)路線上至少已追上韓國公司。 業(yè)界人士認為，長鑫存儲的性能足以應(yīng)用于搭載最先進CPU的服務(wù)器。

根據(jù)韓媒 Business Korea引述日經(jīng)及研調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，長鑫存儲第三季DRAM市占率達8%，排名第四。 在NAND部分，長江存儲第三季度市占率為13%。

由于美國封鎖EUV等關(guān)鍵設(shè)備出口中國，使得中國擴張腳步放緩，但與韓國在通用DRAM市場的技術(shù)差距約不到一年。

韓媒認為，隨著2030年迎來3D DRAM時代，競爭關(guān)系可能又會出現(xiàn)變數(shù)。3D DRAM是將內(nèi)存單元向上堆疊的產(chǎn)品，當3D DRAM時代來臨時，對EUV光刻設(shè)備的需求將下降，這可能成為中國企業(yè)超車的機會。

首爾大學材料科學與工程系Hwang Cheol-seong教授表示，單看內(nèi)存技術(shù)水平，韓國與中國的差距幾乎已經(jīng)消失。 當不需要EUV光刻設(shè)備的3D DRAM時代在五年后到來時，中國將進一步崛起。