11月28日消息，據(jù)媒體報道，中國臺灣相關(guān)部門發(fā)布聲明稱，執(zhí)法人員因懷疑臺積電前高級副總經(jīng)理羅唯仁涉嫌違反安全法，突擊搜查了其位于臺北和新竹的住所。該部門同時已獲批準，查封其名下股票與不動產(chǎn)。此次搜查行動，標志著中國臺灣對這起備受關(guān)注的商業(yè)糾紛的調(diào)查進一步升級。臺積電方面指控羅唯仁極有可能將公司2nm制程等敏感技術(shù)信息泄露給其現(xiàn)任雇主——美國英特爾公司。英特爾已對此予以否認，而羅唯仁本人迄今未通過公司渠道公開回應(yīng)。
高管跳槽引發(fā)芯片行業(yè)糾紛

此次爭議的核心人物羅唯仁曾擔任臺積電資深副總經(jīng)理，在芯片先進制程研發(fā)與業(yè)務(wù)布局中手握重要職權(quán)，其任職期間深度參與了2nm以下先進制程的相關(guān)工作，而這一領(lǐng)域正是全球芯片企業(yè)競爭的核心賽道。根據(jù)臺積電方面披露的信息，羅唯仁在職期間已與公司簽訂嚴格的保密條款及離職后的競業(yè)禁止協(xié)議，明確約定不得在離職后短期內(nèi)加入競爭對手企業(yè)，且需對在職期間接觸的商業(yè)機密承擔永久保密義務(wù)。

值得注意的是，羅唯仁的離職與涉案層級在臺積電內(nèi)部實屬罕見。他于今年7月離開臺積電，此前在該公司服務(wù)超過二十年，曾負責(zé)研發(fā)工作，并在推動人工智能加速器所用尖端芯片的量產(chǎn)方面扮演關(guān)鍵角色。羅唯仁的職業(yè)生涯與英特爾亦有淵源。在2004年加入臺積電之前，他曾在英特爾任職，專注于先進技術(shù)開發(fā)，并曾負責(zé)運營位于美國加州圣克拉拉的一家芯片工廠。
臺積電起訴

羅唯仁離職后并未遵守競業(yè)禁止約定，隨即加盟臺積電的直接競爭對手英特爾，并出任執(zhí)行副總裁一職，負責(zé)相關(guān)核心業(yè)務(wù)板塊。這一行為引發(fā)臺積電強烈不滿，臺媒此前更是曝出關(guān)鍵信息，稱羅唯仁疑似在離職時帶走了2nm以下先進制程的相關(guān)核心機密，這一消息進一步加劇了雙方的矛盾。

基于上述情況，臺積電于2025年11月25日（周二）正式在中國臺灣地區(qū)知識產(chǎn)權(quán)及商業(yè)法院對羅唯仁提起訴訟，指控其違反保密條款與競業(yè)禁止協(xié)議，涉嫌泄露公司商業(yè)機密，要求其承擔相應(yīng)法律責(zé)任。
英特爾力挺

面對臺積電的訴訟指控，英特爾于11月27日（周四）通過電郵聲明作出正式回應(yīng)。英特爾在聲明中強調(diào)，公司始終堅持實行嚴格的內(nèi)部政策與管控措施，明確禁止任何員工使用或轉(zhuǎn)移第三方的機密信息及知識產(chǎn)權(quán)，且公司對這一原則有著高度的重視與堅定的承諾。同時，英特爾明確表示，“根據(jù)目前掌握的所有信息，我們沒有理由相信有關(guān)羅唯仁的指控具有任何依據(jù)”，直接否認了臺積電的核心訴求。

先進制程競爭激烈

此次糾紛的背后，是全球芯片行業(yè)在先進制程領(lǐng)域的激烈競爭。2nm以下先進制程技術(shù)直接關(guān)系到芯片性能的突破與市場話語權(quán)的爭奪，臺積電在該領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先優(yōu)勢，而英特爾近年來正加大在先進制程領(lǐng)域的投入，試圖追趕競爭對手。羅唯仁作為具備豐富先進制程經(jīng)驗的核心高管，其跳槽引發(fā)的機密泄露爭議，不僅涉及兩家企業(yè)的切身利益，也折射出芯片行業(yè)人才流動與商業(yè)機密保護之間的普遍矛盾。對于科技企業(yè)而言，核心技術(shù)與人才是立足之本，如何在鼓勵人才流動的同時，有效保護商業(yè)機密與知識產(chǎn)權(quán)，避免類似糾紛的發(fā)生，成為行業(yè)共同面臨的課題。