4月13日消息，英特爾上周宣布，將加入馬斯克的巨型芯片項目Terafab，參與芯片設(shè)計、制造和封裝等工序，并幫助Terafab達(dá)成年產(chǎn)能一太瓦算力的目標(biāo)。
雖然這場合作被視為一場雙贏，不僅能讓Terafab獲得芯片制造方面的專業(yè)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，也能讓英特爾的芯片代工部門得到新的客戶資源，但相較于技術(shù)更加成熟的臺積電和三星電子，英特爾最終贏得馬斯克認(rèn)可的結(jié)果還是在業(yè)內(nèi)引發(fā)了一些思索。
而英特爾最新發(fā)表的一篇技術(shù)文章可能可以解釋此次促成合作的關(guān)鍵。在宣布合作關(guān)系的當(dāng)天，英特爾晶圓代工技術(shù)研究院高級首席工程師Han Wui Then在社區(qū)論壇上發(fā)文指出，英特爾在氮化鎵芯片上取得了突破性進(jìn)展。
新突破
據(jù)該文章介紹，氮化鎵芯片是一種化合物半導(dǎo)體，在高壓環(huán)境下比硅更穩(wěn)定。英特爾已經(jīng)找到一種方法，可以利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備在標(biāo)準(zhǔn)的300毫米晶圓上直接生長氮化鎵芯片，從而實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。
研究人員還采用了一種名為研磨前隱形切割（SDBG）的新型減薄工藝，使英特爾能夠制造出硅基底厚度僅為19微米的氮化鎵芯片。作為參考，1微米等于百萬分之一米，而19微米僅為人類頭發(fā)絲直徑的五分之一。
此外，英特爾還成功將氮化鎵功率電子器件和硅邏輯電路集成在同一芯片上，這意味著傳統(tǒng)制造工藝中，因功率晶體管體積過大產(chǎn)生大量熱量和電噪聲而必須將其與邏輯電路分開制成兩塊芯片的問題被解決，從而進(jìn)一步縮小了芯片空間，并減少電流損耗。
據(jù)英特爾稱，這一集成在后續(xù)測試中取得了不俗的表現(xiàn)，在高壓力條件下仍能正常工作并保持其穩(wěn)定性。這些技術(shù)改進(jìn)對于Terafab來說意味著可以生產(chǎn)出更輕薄的芯片，從而減輕火箭發(fā)射時的重量，從而降低發(fā)射成本。
而在芯片本身的性能優(yōu)化之外，氮化鎵芯片還有另一重優(yōu)勢，其比硅芯片更耐輻射，意味著其更適合于太空作業(yè)，而Terafab未來的一大應(yīng)用場景就是太空數(shù)據(jù)中心。
不過，目前尚不清楚英特爾是會直接授權(quán)Terafab使用氮化鎵技術(shù)，還是會與SpaceX和特斯拉共同在Terafab項目投資發(fā)展這一技術(shù)。且鑒于Terafab的投資之巨，英特爾與Terafab的未來盈利前景還需要一定時間的檢驗(yàn)，人們可能在幾年后才能了解這一項目的經(jīng)濟(jì)影響。
