工業(yè)自動(dòng)化最新文章 一種應(yīng)用于電流檢測(cè)的低失調(diào)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 針對(duì)電流檢測(cè)對(duì)運(yùn)算放大器性能的要求,提出一種新型低失調(diào)運(yùn)算放大器電路。采用低失調(diào)運(yùn)放、PMOS管和電阻構(gòu)成閉環(huán)電流采樣電路,整個(gè)運(yùn)放電路由主運(yùn)放和輔助運(yùn)放構(gòu)成,主運(yùn)放構(gòu)成的高頻通路控制電路帶寬,輔助放大器低頻通路利用斬波技術(shù)以及自調(diào)零技術(shù)降低電路失調(diào)。基于東部高科180BCD工藝對(duì)電路進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果表明,溫度為27 ℃,輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定在9 μV,運(yùn)放增益為95.50 dB,增益帶寬積為28.2 MHz,相位裕度在76.6°以上,CMRR的值為148 dB,PSRR的值大于116 dB。該電路可用于高側(cè)電流檢測(cè)。 發(fā)表于:5/14/2025 基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)測(cè)試技術(shù) 針對(duì)基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)覆蓋率測(cè)試,利用Flash FPGA的系統(tǒng)控制寄存器與邊界掃描寄存器模塊,配置FPGA不同的驅(qū)動(dòng)模式,并通過傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,基于芯粒的Flash FPGA控制寄存器配置的驅(qū)動(dòng)性能與傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置一致,測(cè)試時(shí)間縮短到1/3。 發(fā)表于:5/14/2025 2024年全球前十封測(cè)企業(yè)總營(yíng)收增長(zhǎng)3% 根據(jù)TrendForce發(fā)布的半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告顯示,2024年全球前十大封測(cè)廠合計(jì)營(yíng)收為415.6億美元,年增3%。 發(fā)表于:5/14/2025 2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6830億美元 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的報(bào)告顯示,英偉達(dá)在2024年的全球芯片公司營(yíng)收排名中躍居首位。與此同時(shí),英飛凌和意法半導(dǎo)體均跌出前十名。 發(fā)表于:5/14/2025 適用于高頻功率應(yīng)用的 IXD2012NTR 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 2025年5月13日訊,伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力 發(fā)表于:5/14/2025 Eversource Energy 與 MathWorks 合作,利用概率潮流自動(dòng)化將可再生能源納入系統(tǒng)規(guī)劃流程 中國(guó) 北京,2025 年 5 月 14 日 —— 全球領(lǐng)先的數(shù)學(xué)計(jì)算軟件開發(fā)商 MathWorks 今天宣布,正在提供概率潮流(PLF)功能,以增強(qiáng)新英格蘭最大的能源公用事業(yè)公司 Eversource Energy 的系統(tǒng)規(guī)劃解決方案。 發(fā)表于:5/14/2025 消息稱三星電子3nm與2nm良率分別超60%和40% 5 月 13 日消息,韓媒《朝鮮日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱,三星電子基于 GAA 晶體管結(jié)構(gòu)的 3nm 和 2nm 節(jié)點(diǎn)良率分別超過了 60% 和 40%,在工藝良率有起色的背景下三星正努力爭(zhēng)奪先進(jìn)制程訂單。 發(fā)表于:5/14/2025 比爾蓋茨:美國(guó)對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖起助推中國(guó)科技與芯片全速發(fā)展 5月12日消息,近日,比爾蓋茨公開接受采訪時(shí)表示,美國(guó)對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖起到反作用。 “美國(guó)對(duì)中國(guó)的技術(shù)封鎖起到了完全相反的效果,不僅未能限制中國(guó)科技發(fā)展,反而讓中國(guó)在芯片制造等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了全速發(fā)展?!? 發(fā)表于:5/14/2025 消息稱英偉達(dá)將全球總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣省 5月14日消息,據(jù)最新消息,NVIDIA(英偉達(dá))首席執(zhí)行官黃仁勛預(yù)計(jì)將于下周宣布公司全球總部落戶中國(guó)臺(tái)灣。 按照消息人士的說法,NVIDIA數(shù)月來一直在物色其在中國(guó)臺(tái)灣總部的選址,而黃仁勛的潛在宣布將凸顯其與臺(tái)積電之間的密切關(guān)系。 發(fā)表于:5/14/2025 三星被曝將首次外包芯片光掩模生產(chǎn) 光掩模(版)系生產(chǎn)集成電路所需之模具,是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu),其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。 韓國(guó)科技媒體 TheElec 今日?qǐng)?bào)道稱,三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。 發(fā)表于:5/14/2025 夏普稱計(jì)劃關(guān)閉和出售更多事業(yè)資產(chǎn) 5 月 12 日消息,夏普今日公布了其截至 2025 年 3 月底的 2024 財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在上一財(cái)年中夏普營(yíng)收為 2.1601 萬億日元(IT之家注:現(xiàn)匯率約合 1072.32 億元人民幣),同比下滑 7%,不過營(yíng)業(yè)利潤(rùn)、經(jīng)常利潤(rùn)、最終利潤(rùn)三項(xiàng)均由負(fù)轉(zhuǎn)正。 夏普將 2025~2027 財(cái)年的中期階段定義為“再成長(zhǎng)”時(shí)期,計(jì)劃在未來 3 年實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的集中與轉(zhuǎn)型,提升盈利能力和成長(zhǎng)性。對(duì)于設(shè)備業(yè)務(wù)領(lǐng)域,夏普計(jì)劃大幅削減固定費(fèi)用,專注于高附加值產(chǎn)品。 夏普 2024 財(cái)年重返盈利,計(jì)劃關(guān)閉、出售更多事業(yè)資產(chǎn) 為推動(dòng)輕資產(chǎn)化,夏普計(jì)劃向母公司鴻海出售多個(gè)子公司或工廠,包括相機(jī)模組業(yè)務(wù) SSTC(本財(cái)季)、半導(dǎo)體 / 激光業(yè)務(wù) SFL(下一財(cái)季),此外還有本份財(cái)報(bào)中首先提到的龜山市第二工廠(2026 年 8 月后)。 在一年前宣布關(guān)閉 SDP 堺市面板工廠的同時(shí),夏普也曾表示將把龜山市第二工廠的產(chǎn)能從每天 2000 片降至 1500 片,這是因?yàn)樵摴S的開工率低于附近的第一工廠。 發(fā)表于:5/13/2025 傳三星已對(duì)DRAM產(chǎn)品漲價(jià) 5月13日消息,據(jù)韓國(guó)媒體ETNews報(bào)道,受到美國(guó)關(guān)稅戰(zhàn)掀起客戶提前備貨潮的帶動(dòng),三星電子因客戶需求高漲,決定順勢(shì)調(diào)漲DRAM芯片的價(jià)格。 報(bào)道稱,三星已經(jīng)在跟客戶簽訂的新合約中大幅調(diào)漲DDR5、DDR4 DRAM報(bào)價(jià)。其中,DDR4的漲價(jià)幅度為20%、DDR5則漲價(jià)5%,但會(huì)因客戶不同而略有差異。 發(fā)表于:5/13/2025 2050年全球人形機(jī)器人產(chǎn)值將達(dá)5萬億美元 近日,摩根士丹利(簡(jiǎn)稱“大摩”)發(fā)布最新研究報(bào)告稱,預(yù)計(jì)2050年人形機(jī)器人全球產(chǎn)值將突破5萬億美元、部署規(guī)模上看10億臺(tái)。 發(fā)表于:5/13/2025 華為聯(lián)合優(yōu)必選全面推動(dòng)人形機(jī)器人工業(yè)與家庭場(chǎng)景落地 華為與優(yōu)必選科技簽署全面合作協(xié)議,推動(dòng)人形機(jī)器人工業(yè)與家庭場(chǎng)景落地 發(fā)表于:5/13/2025 我國(guó)固態(tài)鈉電池應(yīng)用基礎(chǔ)研究獲進(jìn)展 5 月 12 日消息,據(jù)中科院之聲消息,近日,中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所設(shè)計(jì)了三維多孔碳支撐的超薄鈉負(fù)極結(jié)構(gòu),賦予鈉負(fù)極快速的離子傳輸和電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué),緩解了局部電荷積累,實(shí)現(xiàn)了無枝晶的鈉沉積。 發(fā)表于:5/13/2025 ?…67686970717273747576…?