EDA與制造相關(guān)文章 M31円星科技16納米硅IP助攻中國數(shù)字化解決方案領(lǐng)導(dǎo)者新華三成功量產(chǎn) 近日，臺積電硅IP聯(lián)盟成員円星科技（M31 Technology，以下簡稱M31）16納米物理層硅IP的解決方案獲得中國數(shù)字化解決方案領(lǐng)導(dǎo)者新華三集團(tuán)采用并成功量產(chǎn)。 發(fā)表于：9/29/2021 英飛凌菲拉赫新廠提前開業(yè)，已做好面向未來的準(zhǔn)備！ 在全球缺芯的情況下，多家半導(dǎo)體巨頭都紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計劃。日前，英特爾官網(wǎng)公布的消息顯示，亞利桑那州的兩座新芯片工廠于9月24日正式開工建設(shè)，建成之后，除了能為自身產(chǎn)品提供產(chǎn)能支撐，也有助于為其他廠商提供代工產(chǎn)能。所謂遠(yuǎn)水救不了近火，英特爾剛剛動工的亞利桑那州芯片工廠顯然無法為當(dāng)前的“缺芯”及時“止渴”，就在前不久，9 月 17 日，英飛凌宣布其位于奧地利菲拉赫的 300 毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運(yùn)營，首批晶圓在當(dāng)周已完成出貨。 發(fā)表于：9/29/2021 Cerebrus攜人工智能技術(shù)改變集成電路設(shè)計規(guī)則 日前，Cadence公司宣布革命性新產(chǎn)品 Cerebrus數(shù)字設(shè)計EDA工具，客戶使用效果反饋結(jié)果表明，采用這款新工具可以有效提供高達(dá) 10 倍的生產(chǎn)力，將設(shè)計實現(xiàn)的PPA 結(jié)果提高 了20%。 發(fā)表于：9/29/2021 2021新思科技開發(fā)者大會：攬數(shù)字芯光，話未來芯愿 9月28日，中國年度芯片技術(shù)創(chuàng)新峰會“2021新思科技開發(fā)者大會”在上海中心大廈成功舉行。在數(shù)字經(jīng)濟(jì)成為經(jīng)濟(jì)增長新動能的當(dāng)下，新思科技攜手芯片開發(fā)者及行業(yè)領(lǐng)袖，圍繞5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能汽車、高性能計算等數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心應(yīng)用領(lǐng)域，共同分享前沿的芯片研發(fā)技術(shù)趨勢與實踐，并解密新思科技最新技術(shù)和產(chǎn)品，共攬數(shù)字“芯”光。 發(fā)表于：9/29/2021 通富微電：定增55億，投入五大封測項目 近日，國內(nèi)封測領(lǐng)先企業(yè)通富微電發(fā)表公告，計劃以非公開發(fā)行擬募集資金總額不超過550,000.00萬元（含550,000.00萬元），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將全部投入以下項目 發(fā)表于：9/29/2021 送羊入虎口？傳美國要求臺積電上交運(yùn)營數(shù)據(jù) 據(jù)韓國媒體報道，為了解決芯片荒，美國政府祭出極端手段，強(qiáng)迫晶圓代工廠交出被視為「企業(yè)機(jī)密」的芯片庫存、訂單、銷售紀(jì)錄等數(shù)據(jù)。相關(guān)人士表示，這會削弱臺積電和三星電子的議價能力，并可能打擊整體芯片市場的價格。 發(fā)表于：9/29/2021 鎧俠談3D NAND閃存技術(shù)的未來 熟悉存儲行業(yè)的讀者應(yīng)該知道，東芝公司的舛岡富士雄在1987年發(fā)明了NAND閃存。而后，這種存儲產(chǎn)品便在市場上蓬勃發(fā)展，到了智能手機(jī)時代，NAND Flash更是大放異彩。 發(fā)表于：9/29/2021 以AI為引擎，這款EDA工具使芯片設(shè)計人員解決“溫飽”，走向“小康” 如今半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷一場復(fù)興。5G、自動駕駛、超大規(guī)模計算和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)強(qiáng)勁增長，這些趨勢的背后是AI和ML的應(yīng)用。新的應(yīng)用和技術(shù)間的相互依賴性，正在產(chǎn)生對更強(qiáng)計算、更多功能、更快數(shù)據(jù)傳輸速度的需求。所以對芯片工作者有一個新的挑戰(zhàn)，那就是下一代芯片的開發(fā)必須更快、更智能。 發(fā)表于：9/29/2021 汽車芯片，回不到過去了！ 據(jù)華爾街日報報道，曾經(jīng)晦澀難懂的汽車芯片世界將永遠(yuǎn)不再一樣。 發(fā)表于：9/29/2021 居安思危，日本加強(qiáng)對芯片原材料的控制 據(jù)南華早報報道，日本科技公司可能不再制造大部分面向大眾市場的半導(dǎo)體，但他們正日益加強(qiáng)對尖端芯片所需先進(jìn)材料的開發(fā)和生產(chǎn)的控制。 發(fā)表于：9/29/2021 國產(chǎn)FPGA廠商智多晶完成億元C輪融資 近日，西安智多晶微電子有限公司（以下簡稱：智多晶）完成億元C輪融資，盛宇投資旗下人工智能產(chǎn)業(yè)基金參投，本輪其他投資方包括超越摩爾基金、臨芯投資、深創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)。 發(fā)表于：9/29/2021 微電子所低功耗集成電路設(shè)計研究獲進(jìn)展 近日，中國科學(xué)院微電子研究所感知中心低功耗智能技術(shù)與系統(tǒng)團(tuán)隊在低功耗集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得新進(jìn)展，設(shè)計出兼容近/亞閾值工作區(qū)的基礎(chǔ)電路單元，可廣泛應(yīng)用于低功耗智能計算芯片。 發(fā)表于：9/29/2021 秦創(chuàng)原集成電路加速器（西安電子谷核心區(qū)）J區(qū)迎來封頂 9月26日，由西安高新金控集團(tuán)全資子公司西安高新絲路通信創(chuàng)新谷有限公司投資開發(fā)，西安建工一建集團(tuán)承建的秦創(chuàng)原集成電路加速器（西安電子谷核心區(qū)）J區(qū)，高147.4米的43號超高層樓宇提前十天主體封頂。 發(fā)表于：9/29/2021 傳導(dǎo)輻射測試中分離共模和差模輻射的實用方法 開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射（CE）。本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類：共模（CM）噪聲和差模（DM）噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時間和金錢。本文介紹一種將CM輻射和DM輻射從LTC7818控制的開關(guān)穩(wěn)壓器中分離出來的實用方法。知道CM噪聲和DM噪聲在CE頻譜中出現(xiàn)的位置，電源設(shè)計人員便可有效應(yīng)用EMI抑制技術(shù)，這從長遠(yuǎn)來看可以節(jié)省設(shè)計時間和BOM成本。 發(fā)表于：9/28/2021 通過分布式架構(gòu)驅(qū)動下一代電動汽車系統(tǒng) 電動汽車(EV)和混合動力電動汽車(HEV)正在不斷演進(jìn)，其中的電子設(shè)備同樣也在發(fā)生變化。在這些車輛的整體構(gòu)造和功能方面，越來越多的電子設(shè)備發(fā)揮著重要作用。但是，司機(jī)并沒有改變。他們?nèi)匀幌Ｍ约旱碾妱悠嚭突旌蟿恿﹄妱悠嚹軌蝽樌匦旭偢h(yuǎn)，變得更經(jīng)濟(jì)實惠，充電速度更快，并確保他們的安全。那么設(shè)計人員如何才能以更低的成本為他們提供更多服務(wù)？ 發(fā)表于：9/28/2021 ?…228229230231232233234235236237…?
