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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

18W無源PFC LED照明驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

本文介紹了18W無源PFCLED照明驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)方案使用的原件數(shù)量少，效率高，不需要共模電感就能滿足EN55022B對(duì)傳導(dǎo)EMI要求。

發(fā)表于：7/1/2011

三相電壓型PWM整流器直接功率控制方法綜述

首先介紹了三相電壓型PWM整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上，對(duì)當(dāng)前應(yīng)用于PWM整流器的直接功率控制策略進(jìn)行了對(duì)比分析，介紹了其實(shí)現(xiàn)機(jī)理和優(yōu)缺點(diǎn)，最后，對(duì)直接功率控制在三相電壓型PWM整流器中的控制技術(shù)進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：7/1/2011

基于UC3844的反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)

隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，開關(guān)電源正朝著小、輕、薄的方向發(fā)展。反激變換器因具有電路拓?fù)浜?jiǎn)單、輸入電壓范圍寬、輸入輸出電氣隔離、體積重量小、成本低、性能良好、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于實(shí)際變換器設(shè)計(jì)中。以前大多數(shù)開關(guān)電源采用離線式結(jié)構(gòu)，一般從輔助供電繞組回路中通過電阻分壓取樣，該反饋方式電路簡(jiǎn)單，但由于反饋不是直接從輸出電壓取樣，沒有與輸入隔離，抗干擾能力也差，下面的設(shè)計(jì)采用可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431配合光耦構(gòu)成反饋回路，達(dá)到了更好的穩(wěn)壓效果。

發(fā)表于：7/1/2011

15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲(chǔ)器供電

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器 LTC3634，該器件為 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供電源和總線終端軌。LTC3634 在 3.6V 至 15V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，從而非常適用于雙節(jié)鋰離子電池應(yīng)用以及 5V 和 12V 中間總線系統(tǒng)。LTC3634 采用獨(dú)特的恒定頻率 / 受控接通時(shí)間、電流模式架構(gòu)，這種架構(gòu)非常適用于從一個(gè) 12V 輸入電源以高開關(guān)頻率給 DDR 應(yīng)用供電。其終端電壓 VTT 設(shè)定為 VDDQ 的 1/2，可低至 0.6V，準(zhǔn)確度為 ±1.6%。單片設(shè)計(jì)和高達(dá) 4MHz 的開關(guān)頻率相結(jié)合，允許使用纖巧、低成本電容器和電感器，可為 DDR 電源應(yīng)用提供一種非常緊湊和高效率的解決方案。

發(fā)表于：6/30/2011

重新理解三極管的關(guān)鍵問題

隨著科學(xué)技的發(fā)展，電子技術(shù)的應(yīng)用幾乎滲透到了人們生產(chǎn)生活的方方面面。晶體三極管作為電子技術(shù)中一個(gè)最為基本的常用器件，其原理對(duì)于學(xué)習(xí)電子技術(shù)的人自然應(yīng)該是一個(gè)重點(diǎn)。

發(fā)表于：6/30/2011

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

隨著集成電路工藝的不斷革新,集成電路器件的尺寸不斷減小,當(dāng)MOS管的尺寸小到一定程度時(shí),會(huì)出現(xiàn)短溝道效應(yīng),此時(shí)MOS管特性與通常相比有很大不同。本文介紹了描述短溝道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述語言VHDL2AMS對(duì)短溝道MOS管進(jìn)行了行為建模,并利用混合信號(hào)仿真器SMASH5. 5對(duì)模型進(jìn)行了仿真,將短溝道MOS管模型特性與一般模型特性作了比較。

發(fā)表于：6/30/2011

基于超級(jí)電容器的后備電源可防止RAID系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)丟失[圖]

就其本質(zhì)而言，獨(dú)立冗余磁盤陣列(RAID)系統(tǒng)是專為在面對(duì)惡劣環(huán)境時(shí)保存數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)。電源故障就是一個(gè)例子，它會(huì)威脅到臨時(shí)存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器之中的數(shù)據(jù)。為了保護(hù)這些數(shù)據(jù)，許多系統(tǒng)采用了基于電池的后備電源，這種后備電源可提供足以供RAID控制器將易失性數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲(chǔ)器的短時(shí)功率。

發(fā)表于：6/30/2011

基于SG3525電壓調(diào)節(jié)芯片的PWMBuck三電平變換器

本文采用電壓調(diào)節(jié)芯片SG3525來實(shí)現(xiàn)PWMBuck三電平變換器的控制，可以大大減小由分立元件實(shí)現(xiàn)時(shí)所帶來的三電平波形不對(duì)稱的問題，實(shí)現(xiàn)方法簡(jiǎn)單有效。

發(fā)表于：6/30/2011

高速ADC電源設(shè)計(jì)方案選擇

本文介紹對(duì)于了解高速ADC電源設(shè)計(jì)至關(guān)重要的各種測(cè)試測(cè)量方法。為了確定轉(zhuǎn)換器對(duì)供電軌噪聲影響的敏感度，以及確定供電軌必須處于何種噪聲水平才能使ADC實(shí)現(xiàn)預(yù)期性能，有兩種測(cè)試十分有用：一般稱為電源抑制比（PSRR）和電源調(diào)制比（PSMR）。

發(fā)表于：6/30/2011

電力系統(tǒng)電容器保護(hù)裝置的研制

為了滿足電力系統(tǒng)對(duì)繼電保護(hù)裝置不斷提高的要求，文中介紹了一種電力系統(tǒng)電容器保護(hù)裝置，采用的主要方法是將采集到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)，根據(jù)特定的邏輯算法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較處理，通過安裝有繼電器的邏輯插件輸出控制信息，以完成相應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作。文中對(duì)電容器保護(hù)裝置的硬件結(jié)構(gòu)、功能實(shí)現(xiàn)、動(dòng)作邏輯和數(shù)模轉(zhuǎn)換等幾個(gè)方面做了詳細(xì)研究，同時(shí)講解了該裝置系統(tǒng)的研制與功用。

發(fā)表于：6/30/2011

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