頭條 寧德時代擬將換電技術引入歐洲 6 月 26 日消息，據(jù)英國《金融時報》今日報道，全球最大電動車電池制造商寧德時代正計劃將其換電與回收技術引入歐洲。寧德時代董事會秘書蔣理表示，換電模式在歐洲有 " 巨大潛力 "，可以降低電池成本、延長使用壽命。 由于建站成本高昂，換電技術在中國以外拓展緩慢。但隨著地緣政治風險升溫、電動車銷量攀升，關于電池供應鏈的擔憂也在上升，換電模式正在獲得更多關注。 最新資訊 2015年國內鋰電設備市場規(guī)模將達75億元 中國鋰電池設備行業(yè)經過多年發(fā)展，取得了明顯的進步，國產化率也不斷提升。但是受國內基礎工業(yè)落后、技術工藝積累時間短、管理水平較低的影響，設備行業(yè)發(fā)展水平整體與國外還是有較大差距。 發(fā)表于：11/4/2015 大電流放電實驗系統(tǒng)中超級電容監(jiān)控保護設計 對一種大電流放電實驗系統(tǒng)中的超級電容進行監(jiān)控保護設計。監(jiān)控保護系統(tǒng)硬件結構由人機界面、智能電表、可編程邏輯控制器構成，能夠實現(xiàn)實時參數(shù)及狀態(tài)顯示、單個超級電容詳細參數(shù)及狀態(tài)顯示、系統(tǒng)自保護、超級電容預警聯(lián)動、超級電容報警聯(lián)動、超級電容設置、報警記錄與事件記錄查詢等功能。另外，重點闡述了CAN通信實現(xiàn)、系統(tǒng)自保護實現(xiàn)、預、報警聯(lián)動等關鍵技術的實現(xiàn)。工程運行結果表明，系統(tǒng)運行十分可靠，技術值得推廣。 發(fā)表于：11/3/2015 國內外大功率IGBT驅動模塊應用研究分析 目前，IGBT應用領域的驅動方案很多，現(xiàn)在市場上流行著很多種類非常成熟的IGBT驅動模塊專用產品，各公司驅動模塊都各有特點，但各個公司往往又因維護各自的知識產權，所以通用性較差，在驅動保護功能配置等方面也有不盡完善的地方，因此文章從各公司驅動器驅動性能、電參數(shù)、價格、外形尺寸、外圍電路及應用領域等進行了詳細的說明，為使用者提供參考，并為進一步推廣IGBT驅動模塊的應用打下基礎，同時也為各同行積累經驗。 發(fā)表于：11/2/2015 PWM技術專題 PWM控制技術就是以該結論為理論基礎，對半導體開關器件的導通和關斷進行控制，使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖，用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。按一定的規(guī)則對各脈沖的寬度進行調制，既可改變逆變電路輸出電壓的大小，也可改變輸出頻率。 發(fā)表于：11/2/2015 基于帶并聯(lián)電抗器的大型火電機組核相新技術研究 針對出線側帶并聯(lián)電抗器的大型火電機組進行并網(wǎng)核相試驗時遇到的特殊問題，提出了以發(fā)電機作為核相電源，進行兩待并系統(tǒng)核相的新方法。對試驗方案進行仿真模擬，對試驗過程中各電量的變化進行考查，并對各設備保護的定值整定和投入進行論證。最后在核相試驗過程中采取綜合措施順利解決勵磁系統(tǒng)參數(shù)配合問題，圓滿完成核相試驗。 發(fā)表于：11/1/2015 安森美半導體的先進音頻處理SoC提供更優(yōu)越的移動設備體驗 2015 年 10 月28日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，已推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級芯片(SoC)，具有1656KB 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和高電源能效的硬件加速功能，為智能手機、可穿戴配件和錄音機等設備節(jié)省更多空間和延長電池使用時間。 發(fā)表于：11/1/2015 Diodes解碼器集成電路 與高通QC 2.0協(xié)議兼容 實現(xiàn)手機快速充電 Diodes推出解碼器集成電路AP4370，應用于配備了Quick Charge (簡稱QC) 技術的高通 (Qualcomm) 系統(tǒng)單芯片的手機、平板電腦及同類型消費性產品實現(xiàn)快速充電。 發(fā)表于：11/1/2015 魅族的新型 PRO 5 智能手機 采用 Fairchild 的 USB Type-C 解決方案 美國加州圣何塞 – 2015 年 10月29日 —全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天宣布其 FUSB302 產品被中國專業(yè)智能手機制造商魅族的最新型號PRO 5 智能手機作為關鍵元件而采用。該產品是業(yè)界第一個支持功率輸出(Power Delivery, PD) 功能的可編程 USB Type-C 控制器系列產品。 發(fā)表于：11/1/2015 38V 雙輸出 DC/DC 控制器具電流模式控制、 mΩ 以下 DCR 檢測、I2C/PMBus 接口和可編程環(huán)路補償 加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2015 年 10 月 29 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙輸出電流模式同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3884，該器件具可編程環(huán)路補償和基于 I2C 的 PMBus 接口。這款器件提高了電流檢測信號的信噪比，以最大限度提高轉換器效率和增加功率密度，因此允許使用 DC 電阻 (DCR) 非常低 (0.3mΩ) 的功率電感器。 發(fā)表于：10/31/2015 ROHM開發(fā)出80V級高耐壓DC/DC轉換器“BD9G341AEFJ” 【ROHM半導體（上海）有限公司10月27日上海訊】全球知名半導體制造商ROHM面向需要大功率（高電壓×大電流）的通信基站和工業(yè)設備領域，開發(fā)出耐壓高達80V的MOSFET內置型DC/DC轉換器 “BD9G341AEFJ”。 發(fā)表于：10/31/2015 ?…750751752753754755756757758759…?
