采用 3mm x 5mm QFN 封裝的雙通道、低噪聲偏置發(fā)生器 為敏感電路應(yīng)用提供了超低噪聲和紋波
發(fā)表于:9/18/2015
意法半導(dǎo)體(ST)新功率MOSFET實現(xiàn)近乎完美的開關(guān)性能
發(fā)表于:9/15/2015
1A、2MHz、60V 升壓 / SEPIC / 負輸出 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 具 6µA 靜態(tài)電流
發(fā)表于:9/15/2015
發(fā)表于:9/18/2015
發(fā)表于:9/15/2015
發(fā)表于:9/15/2015