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基于SOPC的脈沖信號(hào)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)[測(cè)試測(cè)量][其他]

為提高測(cè)量系統(tǒng)的精度、集成度和設(shè)計(jì)靈活性，設(shè)計(jì)了基于可編程片上系統(tǒng)(SOPC)的脈沖信號(hào)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)。系統(tǒng)通過采用等精度測(cè)頻法實(shí)現(xiàn)對(duì)頻率的測(cè)量，利用等效脈沖計(jì)數(shù)法完成對(duì)占空比和上升時(shí)間的精確測(cè)量，所設(shè)計(jì)的測(cè)量系統(tǒng)在硬件和軟件上都可進(jìn)行編程。經(jīng)過測(cè)試和驗(yàn)證，設(shè)計(jì)的系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)脈沖信號(hào)頻率、占空比、幅值和上升時(shí)間的測(cè)量，測(cè)量結(jié)果具有較高的精度，其中時(shí)間測(cè)量精度可達(dá)1 ns。

發(fā)表于：2020/7/28 13:29:00

商業(yè)衛(wèi)星自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[測(cè)試測(cè)量][航空航天]

綜合測(cè)試是衛(wèi)星研制過程中必須且關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)衛(wèi)星測(cè)試系統(tǒng)研制周期長、通用化程度低、體積龐大不便攜及測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)走線復(fù)雜等問題嚴(yán)重制約商業(yè)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)發(fā)展；PXI總線技術(shù)是PCI在儀器領(lǐng)域的擴(kuò)展，其圖形化、模塊化及可擴(kuò)展的軟件編程風(fēng)格及硬件集成方式為衛(wèi)星自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)的建設(shè)提供條件。以PXI架構(gòu)為基礎(chǔ)，結(jié)合硬件測(cè)試設(shè)備、服務(wù)器、終端之間的網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)，提出一套商業(yè)衛(wèi)星自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)的設(shè)計(jì)方法，并結(jié)合某型號(hào)衛(wèi)星測(cè)試任務(wù)進(jìn)行平臺(tái)實(shí)現(xiàn)。實(shí)踐表明，該平臺(tái)滿足商業(yè)衛(wèi)星高性價(jià)比、快速、全面、穩(wěn)定測(cè)試的需求。

發(fā)表于：2020/7/27 13:20:00

一種浪涌保護(hù)電路的研究和設(shè)計(jì)[電源技術(shù)][消費(fèi)電子]

浪涌沖擊是電子產(chǎn)品常見問題之一，它經(jīng)常造成電子產(chǎn)品的損壞。設(shè)計(jì)了一種新型的浪涌保護(hù)鉗位電路，該保護(hù)電路包括一個(gè)基準(zhǔn)電路以及一個(gè)反饋控制電路。基準(zhǔn)電路在源電壓超過鉗位電壓時(shí)根據(jù)源電壓生成基準(zhǔn)電壓，反饋控制電路用于接收基準(zhǔn)電壓并將輸出電壓鉗位到鉗位電壓?；谏先A0.18 μm CMOS的工藝對(duì)其仿真，結(jié)果表明該電路可以很好地實(shí)現(xiàn)38 V、27 V、18 V、10 V的鉗位，與傳統(tǒng)的TVS二極管相比，具有低漏電流、恒定的鉗位電壓和接近于零的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)表于：2020/7/27 13:15:00

基于SVA的AFDX網(wǎng)絡(luò)MAC IP核功能驗(yàn)證[通信與網(wǎng)絡(luò)][數(shù)據(jù)中心]

近年來，機(jī)載SoC設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提升使得集成IP核的應(yīng)用越來越廣泛，如何高效和準(zhǔn)確地對(duì)IP核進(jìn)行功能驗(yàn)證成為目前航空領(lǐng)域的實(shí)際需求。采用SVA對(duì)AFDX網(wǎng)絡(luò)MAC IP核搭建層次化驗(yàn)證平臺(tái)，將斷言與待測(cè)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)處進(jìn)行綁定，并在驗(yàn)證平臺(tái)中插入斷言對(duì)測(cè)試激勵(lì)的時(shí)序性和完整性進(jìn)行檢查，通過覆蓋率統(tǒng)計(jì)評(píng)估驗(yàn)證的完整性。測(cè)試結(jié)果表明，采用SVA的驗(yàn)證平臺(tái)可以在需要檢查的功能點(diǎn)發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)更快、更清晰地定位出錯(cuò)誤源，提高了對(duì)機(jī)載SoC中IP核功能驗(yàn)證的高效性和準(zhǔn)確性。

發(fā)表于：2020/7/24 9:37:00

一種增益提升和擺率增強(qiáng)的運(yùn)算跨導(dǎo)放大器[電源技術(shù)][其他]

為了解決傳統(tǒng)電流鏡運(yùn)算跨導(dǎo)放大器(OTA)在低壓、低功耗條件下增益和擺率嚴(yán)重受限的問題，提出了一種基于互補(bǔ)翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器(FVF)的運(yùn)算跨導(dǎo)放大器，有效提升跨導(dǎo)和最大輸出電流，從而達(dá)到增益提升和擺率增強(qiáng)的目的。采用SMIC 0.18 μm CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明，在1.8 V電源電壓下，與同等靜態(tài)功耗的傳統(tǒng)電流鏡OTA相比，提出的互補(bǔ)FVF型OTA增益提高了11 dB，單位增益帶寬提升了2倍，正、負(fù)擺率分別提升了6.7倍和6.1倍，比單FVF型OTA有更好的性能提升效果。

發(fā)表于：2020/7/24 9:31:00

基于GaN HEMT寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)[通信與網(wǎng)絡(luò)][其他]

為了滿足不同通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，利用氮化鎵高電子遷移率晶體管器件設(shè)計(jì)了一個(gè)高線性度寬頻帶低噪聲放大器。低噪聲放大器采用兩級(jí)電阻負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，利用集總參數(shù)元件和微帶線對(duì)低噪聲放大器的輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)低噪聲、高線性度、寬頻帶和小回波損耗。在1～3 GHz頻率范圍內(nèi),仿真結(jié)果表明，低噪聲放大器的噪聲噪聲系數(shù)為2.39～3.21 dB，輸入端反射系數(shù)小于-10.6 dB，輸出端反射系數(shù)小于-17.9 dB，增益為23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于24.12 dBm，三階交調(diào)截取點(diǎn)輸出功率大于36.55 dBm。實(shí)際測(cè)試增益為22.08～26.12 dB，基本符合仿真結(jié)果。

發(fā)表于：2020/7/23 9:50:00

基于匹配層融合的識(shí)別算法研究與實(shí)現(xiàn)[其他][其他]

提出一種基于音視頻匹配層自適應(yīng)加權(quán)融合的身份識(shí)別方法。在不同程度的噪聲情況下，圖像與聲音的識(shí)別率會(huì)隨噪聲的增強(qiáng)而降低，憑借單個(gè)生物模態(tài)的識(shí)別，難以達(dá)到很好的預(yù)測(cè)結(jié)果；而且兩種模態(tài)融合時(shí)的權(quán)值不同，融合系統(tǒng)的穩(wěn)定性效果也不同。采用雙模態(tài)的自適應(yīng)加權(quán)融合不僅可以有效地彌補(bǔ)不同生物模態(tài)識(shí)別之間的優(yōu)缺點(diǎn)，而且可以自適應(yīng)選擇最優(yōu)的權(quán)值進(jìn)行決策。實(shí)驗(yàn)表明，該方法的理論推測(cè)成立，比單模態(tài)的身份識(shí)別具有更高的識(shí)別率與魯棒性。

發(fā)表于：2020/7/23 9:43:00

基于Faster R-CNN的道路裂縫識(shí)別[其他][其他]

傳統(tǒng)的道路裂縫識(shí)別方法有基于R-CNN、SPPnet、HOG+SVM等多種方法，但識(shí)別精度低、檢測(cè)速度慢。針對(duì)這些缺點(diǎn)，提出一種基于Faster R-CNN的道路裂縫識(shí)別方法。首先，采集道路裂縫圖像，建立Pascal VOC數(shù)據(jù)集；其次，基于谷歌開發(fā)的TensorFlow深度學(xué)習(xí)框架，用數(shù)據(jù)集對(duì)Faster R-CNN進(jìn)行訓(xùn)練并分析各項(xiàng)性能參數(shù)指標(biāo)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在迭代20 000次的情況下，可將訓(xùn)練損失降到0.188 5，AP值達(dá)到0.780 2，取得了良好效果。

發(fā)表于：2020/7/22 10:39:00

低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展與展望[通信與網(wǎng)絡(luò)][5G]

就衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的由來、發(fā)展以及趨勢(shì)進(jìn)行梳理，闡述國內(nèi)外衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的典型項(xiàng)目及其特點(diǎn)，指出衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)與地面5G融合以及普通個(gè)人移動(dòng)手機(jī)直接與衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)鏈接是未來發(fā)展趨勢(shì)。據(jù)此，指出我國應(yīng)加快建設(shè)覆蓋全球的衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，并提出建設(shè)衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的相關(guān)建議與思考。

發(fā)表于：2020/7/22 10:26:00

Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)測(cè)試研究綜述[其他][其他]

隨著Flash存儲(chǔ)器在航天系統(tǒng)中的大量應(yīng)用，其單粒子效應(yīng)評(píng)價(jià)至關(guān)重要。首先綜述了Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)研究進(jìn)展，總結(jié)出在重離子輻照實(shí)驗(yàn)中常見單粒子效應(yīng)及其故障原因，包括由存儲(chǔ)單元故障和外圍電路故障造成的單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷和單粒子閉鎖。隨后，歸納出常見單粒子效應(yīng)的測(cè)試區(qū)分方法、測(cè)試算法和測(cè)試流程，為相關(guān)測(cè)試實(shí)驗(yàn)研究提供參考。

發(fā)表于：2020/7/21 11:06:00