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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。

三星推出 Exynos Auto UA100汽車UWB芯片

三星推出 Exynos Auto UA100汽車UWB芯片，支持厘米級測距

發(fā)表于：3/21/2025

英偉達(dá)CEO黃仁勛承認(rèn)量子計算預(yù)測失誤

3 月 21 日消息，英偉達(dá) CEO 黃仁勛今日在 GTX 2025 年度開發(fā)者大會上宣布，英偉達(dá)將在波士頓開設(shè)一個量子計算研究實驗室，計劃與哈佛大學(xué)和麻省理工學(xué)院的科學(xué)家合作。

發(fā)表于：3/21/2025

中國自研無線皮層腦機接口植入人腦通道數(shù)破世界紀(jì)錄

3月20日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，今天上午，中國自主研發(fā)的半侵入式腦機接口“北腦一號”已在天壇醫(yī)院成功完成北京第三例人體植入手術(shù)。前兩例先后在北大第一醫(yī)院、首都醫(yī)科大學(xué)宣武醫(yī)院完成。至今，3例患者狀態(tài)良好，其中癱瘓病人已實現(xiàn)意念控制運動，因患漸凍癥而失語的病人已實現(xiàn)中文交流能力。

發(fā)表于：3/21/2025

2024年全球服務(wù)器市場同比暴漲91%

3月20日消息，市場研究機構(gòu)IDC近日發(fā)布了服務(wù)器市場的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，得益于大型企業(yè)對AI的強烈需求與普及應(yīng)用，全球服務(wù)器市場在2024年同比增長91%，增長率則是自2019年以來第二高。其中，2024年第四季度，全球服務(wù)器市場收入達(dá)773億美元。這主要是得益于由英偉達(dá)主導(dǎo)的嵌入式GPU服務(wù)器市場同比暴漲192.6%。根據(jù)報告顯示，英偉達(dá)在該市場占據(jù)逾90%份額，與2020年相比，該市場約成長2倍。

發(fā)表于：3/20/2025

軟銀宣布65億美元全現(xiàn)金收購美國芯片設(shè)計公司Ampere

軟銀宣布65億美元全現(xiàn)金收購美國芯片設(shè)計公司Ampere

發(fā)表于：3/20/2025

美國EPC專利被判決無效英諾賽科獲ITC案件終極勝利

美國GaN技術(shù)廠商宜普公司（EPC）于2023年向加州地區(qū)法院和ITC提起訴訟，聲稱國產(chǎn)GaN芯片廠商英諾賽科侵犯了EPC的4項專利，并尋求禁售與侵權(quán)賠償。

發(fā)表于：3/20/2025

我國科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)

我國科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)：首提無需修調(diào)的超低溫低功耗 CMOS 電壓基準(zhǔn)，成果登頂刊 JSSC

發(fā)表于：3/20/2025

西門子計劃全球裁員6000人

德國西門子計劃全球裁員6000人：數(shù)字化部門受重創(chuàng)

發(fā)表于：3/20/2025

基于卡爾曼融合的雙通道微弱信號采集系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)

針對設(shè)備在水下磁異常信號檢測中難以有效采集、模數(shù)轉(zhuǎn)換器動態(tài)范圍受限導(dǎo)致信噪比較低、微弱信號易被噪聲淹沒等問題，設(shè)計一種基于國產(chǎn)現(xiàn)場可編程門陣列（Field-Programmable Gate Array， FPGA）的高精度磁異常信號采集系統(tǒng)。為了提升信號的信噪比與動態(tài)范圍，在分別采用2倍和8倍的增益前級處理后，通過高精度多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADS1278與紫光Logos系列FPGA對三軸磁通門輸出的微弱磁異常信號進(jìn)行采集，并將采集的信號平均加權(quán)進(jìn)行初步數(shù)據(jù)融合后使用卡爾曼濾波對融合數(shù)據(jù)進(jìn)行二次修正。試驗結(jié)果表明，融合后的信號精度明顯優(yōu)于單通道的采集信號，在使用雙通道A/D采集頻率為200 Hz、幅值為500 μV的微弱信號時，信噪比提高26.099 dB，有效提高了數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的動態(tài)范圍。

發(fā)表于：3/19/2025

基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護(hù)電路設(shè)計

針對碳化硅MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計難度較大、門極易受串?dāng)_、保護(hù)功能不齊全以及全國產(chǎn)化的問題，基于國產(chǎn)芯片設(shè)計了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護(hù)電路。重點分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護(hù)、退飽和保護(hù)以及橋臂互鎖保護(hù)原理與模型。在隔離原邊信號與副邊信號的同時，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實現(xiàn)對上、下橋臂碳化硅MOSFET的控制，同時集成了欠壓鎖定、退飽和保護(hù)、橋臂互鎖、有源米勒鉗位保護(hù)的功能。與國際先進(jìn)水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動板CGD1200HB2P-BM2進(jìn)行了參數(shù)對比和功能測試。實驗結(jié)果表明，該電路開關(guān)參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動板相近，滿足碳化硅MOSFET驅(qū)動需求，并能可靠觸發(fā)保護(hù)功能。電路已實際應(yīng)用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動中。

發(fā)表于：3/19/2025

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