三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌!

　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠開始量產(chǎn)上述48層架構的3D NAND Flash產(chǎn)品。NAND flash多用于智能機、平板等行動裝置，電源關閉后，儲存內容也不會消失。

　　報導指出，東芝所將量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品存儲容量較現(xiàn)行產(chǎn)品呈現(xiàn)大幅度提高、且也將超越三星的產(chǎn)品。據(jù)報導，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品傳出不良率偏高、且獲利不佳，而東芝雖面臨同樣的問題，但因已確立了生產(chǎn)技術、故已決定進行樣品出貨。

　　據(jù)報導，東芝和三星皆計劃于數(shù)年內研發(fā)出容量達1Tb(Tera bit;1Tb=1，000Gb)的3D NAND Flash產(chǎn)品，而一旦實現(xiàn)，就可在智能手機儲存高達數(shù)十小時的4K影片。

　　根據(jù)市調機構TrendForce公布的資料顯示，2014年第四季三星NAND Flash全球市占率為27.9%、穩(wěn)居首位，其次分別為東芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。