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我國科研團隊完成新型光刻膠技術(shù)初步驗證

2024-04-03
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: 九峰山實(shí)驗室 光刻膠

據湖北九峰山實(shí)驗室消息,作為半導體制造不可或缺的材料,光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門(mén)檻高,市場(chǎng)上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數。當半導體制造節點(diǎn)進(jìn)入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下,如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線(xiàn)邊緣粗糙度低的光刻圖形,成為光刻制造的共性難題。

針對上述瓶頸問(wèn)題,九峰山實(shí)驗室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團隊,支持華中科技大學(xué)團隊突破 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠 " 技術(shù)。

該研究通過(guò)巧妙的化學(xué)結構設計,以?xún)煞N光敏單元構建 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠 ",最終得到光刻圖像形貌與線(xiàn)邊緣粗糙度優(yōu)良、space 圖案寬度值正態(tài)分布標準差(SD)極?。s為 0.05)、性能優(yōu)于大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時(shí)間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向,同時(shí)為 EUV 光刻膠的著(zhù)力開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲備。

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相關(guān)成果以 "Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists" 為題,于 2024 年 2 月 15 日在國際頂級刊物 Chemical Engineering Journal ( IF=15.1 ) 發(fā)表。

該項目由國家自然科學(xué)基金、973 計劃共同資助,主要作者為華中科技大學(xué)光電國家研究中心朱明強教授,湖北九峰山實(shí)驗室工藝中心柳俊教授和向詩(shī)力博士。

依托九峰山實(shí)驗室工藝平臺,上述具有自主知識產(chǎn)權的光刻膠體系在產(chǎn)線(xiàn)上完整了初步工藝驗證,并同步完成了各項技術(shù)指標的檢測優(yōu)化,實(shí)現了從技術(shù)開(kāi)發(fā)到成果轉化的全鏈條打通。


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