9 月 11 日消息，行業(yè)媒體 Digitimes 昨日（9 月 10 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱臺(tái)積電確認(rèn)將在兩年內(nèi)退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務(wù)，關(guān)閉新竹科學(xué)園區(qū)的 6 英寸二廠，并整合 8 英寸三廠（Fab 3、Fab 5、Fab 8）。

報(bào)道稱臺(tái)積電為緩解用工緊缺、降低運(yùn)營(yíng)成本并優(yōu)化產(chǎn)能利用率，抽調(diào)約 30% 的員工將調(diào)往南部科學(xué)園區(qū)及高雄廠區(qū)，這也是臺(tái)積電自 2025 年初啟動(dòng)舊廠精簡(jiǎn)計(jì)劃以來(lái)的重要一步。

援引博文介紹，6 英寸工廠將轉(zhuǎn)型為 CoPoS 面板級(jí)封裝生產(chǎn)基地，而 8 英寸廠則將承擔(dān)一項(xiàng)出人意料的新任務(wù) —— 量產(chǎn)自研 EUV 光罩薄膜（Pellicle）。

臺(tái)積電此舉意在擺脫對(duì) ASML 及其供應(yīng)鏈的依賴，同時(shí)利用自身研發(fā)與制造能力，一方面提升先進(jìn)制程的 EUV 光刻良率，另一方面也可以更好地控制成本。

臺(tái)積電在過(guò)去 10 年里先進(jìn)制程投入創(chuàng)紀(jì)錄的資本支出，但隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依賴資本投入的收益在減弱。EUV 光刻雖帶來(lái)了更小的制程節(jié)點(diǎn)，卻需昂貴設(shè)備支持 —— 單臺(tái)掃描機(jī)約 1.5 億美元，High-NA 版本更超過(guò) 3.5 億美元且由 ASML 壟斷。因此，臺(tái)積電放緩了 High-NA 設(shè)備采購(gòu)，轉(zhuǎn)而加快薄膜技術(shù)布局。

EUV 薄膜是覆蓋在光罩上的保護(hù)膜，用于防止顆粒污染。然而傳統(tǒng)有機(jī)材料透光性與穩(wěn)定性不足，多數(shù)晶圓廠只能無(wú)薄膜生產(chǎn)，需頻繁檢測(cè)并更換光罩，增加成本與停機(jī)時(shí)間。臺(tái)積電認(rèn)為薄膜對(duì) 7nm 以下制程至關(guān)重要，自研方案有望優(yōu)化生產(chǎn)流程、擴(kuò)大產(chǎn)能并提升盈利能力。