10月21日，晶圓代工廠商力積電召開第三季法說會(huì)。雖然業(yè)績(jī)表一般，但是力積電總經(jīng)理朱憲國表示，受益于存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格上漲，公司第三季的營運(yùn)表現(xiàn)有所改善，預(yù)期第四季投片量和DRAM代工價(jià)格會(huì)持續(xù)向上走，趨勢(shì)維持至明年上半年。

力積電第三季營收為新臺(tái)幣118.41億元，環(huán)比增長5%；每股虧損新臺(tái)幣0.65元，較上季微幅縮減；產(chǎn)能利用率則從上季的75%提升至78%。

朱憲國指出，AI應(yīng)用的高端存儲(chǔ)供不應(yīng)求，以HBM為代表的AI相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品持續(xù)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。而在傳統(tǒng)存儲(chǔ)市場(chǎng)領(lǐng)域，也觀察到三個(gè)現(xiàn)象：首先是利基型DRAM（比如DDR3/DDR4），由于晶圓廠將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)移至HBM等高價(jià)值產(chǎn)品，導(dǎo)致利基型DRAM產(chǎn)能受到嚴(yán)重排擠，價(jià)格持續(xù)上漲；SLC NAND Flash則受益于三星及海力士等大廠的減產(chǎn)策略，第三季價(jià)格開始自谷底上升，但由于市場(chǎng)標(biāo)案需求并未大量拉貨且缺乏殺手級(jí)新應(yīng)用，價(jià)格漲勢(shì)相對(duì)較為溫和。

在NOR Flash部分，隨著AIoT應(yīng)用的興起，對(duì)低功耗、高可靠性的NOR Flash需求明顯增長，近期市場(chǎng)價(jià)格也出現(xiàn)了持續(xù)上揚(yáng)的趨勢(shì)。朱憲國表示，由于市場(chǎng)價(jià)格上漲及缺貨氛圍，整體存儲(chǔ)客戶在第三季的投片意愿轉(zhuǎn)趨積極，預(yù)期在供給缺口持續(xù)存在的狀況下，第四季的投片量與產(chǎn)品價(jià)格均將持續(xù)成長，此輪供需不平衡的趨勢(shì)，有望維持到明年上半年。

談到邏輯代工部分，朱憲國指出，IT與消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求依然保守，“十一長假”后面板廠采取控產(chǎn)措施，整體產(chǎn)能利用率下降約5~10%不等，間接反映在供應(yīng)鏈上；手機(jī)市場(chǎng)呈現(xiàn)兩極化，各品牌廠在9月至10月發(fā)布的旗艦新機(jī)刺激了高階需求，但中低階市場(chǎng)的買氣仍較弱。

展望未來，朱憲國表示在先進(jìn)封裝布局（WoW ?& Interposer）上，已與國內(nèi)外多家知名廠商合作，積極布局應(yīng)用在AI領(lǐng)域的WoW（Wafer-on-Wafer）3D堆疊及2.5D硅中介層等關(guān)鍵技術(shù)，第三季先進(jìn)封裝相關(guān)產(chǎn)品線目前占總營業(yè)收入約2%。

在WoW部分，已與多家客戶進(jìn)入Proof of Concept (PoC)驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)明下半年可望開始量產(chǎn)；

硅中介層部分，客戶NTO（New Tape Out）表現(xiàn)踴躍，目前正積極投入試產(chǎn)，良率爬升已達(dá)量產(chǎn)水平，后續(xù)將逐步擴(kuò)大投片，以滿足AI芯片客戶對(duì)高性能、高密度封裝的需求。

朱憲國也認(rèn)為，受益于AIoT趨勢(shì)推動(dòng)，NOR Flash領(lǐng)域的客戶端驗(yàn)證有斬獲，預(yù)計(jì)年底將逐步放量；電源管理IC及功率元件仍相當(dāng)重要，尤其是應(yīng)用在AI伺服器及車用等市場(chǎng)區(qū)塊仍會(huì)是公司未來營運(yùn)重點(diǎn)。

在被問及中荷之間關(guān)于安世半導(dǎo)體控制權(quán)之爭(zhēng)是否影響到力積電的出貨時(shí)，朱憲國表示局部小量品種有受影響，但沒感覺到結(jié)構(gòu)性變化；目前代工廠除了臺(tái)積電表現(xiàn)比較好外，成熟制程一般平平，未來能見度也不太明顯，無法確定明年是否可以漲價(jià)。

談到與印度合作設(shè)立12英寸晶圓廠部分，朱憲國指出待新廠建設(shè)逐步到位后，新臺(tái)幣200億元以上權(quán)利金（技術(shù)授權(quán)費(fèi)）也將逐步入帳，但預(yù)期2026年較難量產(chǎn)，應(yīng)該要等到2027年才有機(jī)會(huì)看到新廠建成。