11月19日消息，據(jù)媒體報道，三星正加速提升1cnm DRAM的產(chǎn)能，以搶占HBM4市場的先機。按照規(guī)劃，其目標是在2026年第二季度將月產(chǎn)能提升至14萬片晶圓，并于第四季度進一步增至每月20萬片晶圓。這些節(jié)點對應設備設置階段，目標是在每個階段實現(xiàn)批量生產(chǎn)準備。

目前，三星的DRAM總產(chǎn)能約為每月65萬至70萬片晶圓。這意味著最新的1cnm DRAM產(chǎn)能將在短時間內(nèi)達到總產(chǎn)能的約30%，其增產(chǎn)速度已超過2022年半導體熱潮期間月增13萬片晶圓的擴張規(guī)模。

為實現(xiàn)這一目標，三星一方面通過對現(xiàn)有DRAM生產(chǎn)線進行技術改造實現(xiàn)過渡，另一方面則依托位于平澤的P4工廠進行新增投資。

這一積極擴產(chǎn)舉措，反映出三星對1cnm DRAM技術與市場需求的高度信心。在人工智能驅(qū)動的強勁需求下，近期DRAM市場已出現(xiàn)供不應求的局面。

面對同樣機遇，競爭對手SK海力士也計劃于2025年內(nèi)啟動1cnm DRAM的量產(chǎn)，并于2026年全面投產(chǎn)。預計到2026年底，其韓國國內(nèi)通用DRAM產(chǎn)量中將有超過一半來自1cnm工藝，并形成包括LPDDR與GDDR在內(nèi)的完整1cnm產(chǎn)品陣容。