12 月 4 日消息，韓媒《文化日報》當?shù)貢r間今日報道稱，SK 海力士在繼續(xù)發(fā)展先進存儲制程的同時也將進入利基型 DRAM 制造領域，豐富業(yè)務范圍。

報道提到，SK 海力士正與一家韓國 Fabless 無晶圓廠半導體設計企業(yè)合作，計劃最早在 2027 年開始生產定制的專用 DRAM 內存，雙方正就具體項目和產能進行交涉。

消息指出，SK 海力士考慮利用設在中國江蘇無錫的晶圓廠制造利基型 DRAM，這有利于保持相對較老的生產線的利用率，同時能降低韓國 Fabless 企業(yè)對力積電等的依賴。