當(dāng)?shù)貢r(shí)間2026年1月7日下午，美國存儲芯片大廠美光科技宣布，將于2026年1月16日正式在紐約州奧農(nóng)達(dá)加縣破土動工興建其巨型晶圓廠。經(jīng)過嚴(yán)格的環(huán)境評估和必要的許可證審批后，美光現(xiàn)已準(zhǔn)備就緒，即將開始場地平整和建設(shè)工作。

該項(xiàng)目是紐約州歷史上規(guī)模最大的私人投資項(xiàng)目，建成后將成為全球最先進(jìn)的存儲器制造基地，并有助于滿足現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)核心——人工智能系統(tǒng)日益增長的需求。該項(xiàng)目最多可建四個(gè)晶圓廠，建成后將成為美國最大的半導(dǎo)體工廠。

根據(jù)美光的計(jì)劃，其將在美國的存儲制造投資擴(kuò)大到約 1500 億美元，包括：在愛達(dá)荷州博伊西建造第二家領(lǐng)先的內(nèi)存工廠；擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有制造工廠并對其進(jìn)行現(xiàn)代化改造；位于紐約的多達(dá)四家領(lǐng)先的大批量晶圓廠；并將先進(jìn)的HBM封裝能力引入美國，以實(shí)現(xiàn)對 AI 市場至關(guān)重要的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 的長期增長。此外，美光宣布計(jì)劃投資 500 億美元提升美國國內(nèi)存儲芯片技術(shù)研發(fā)，再次鞏固其作為全球內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的長期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預(yù)期的市場需求，保持美光的市場份額，并支持美光在美國生產(chǎn) 40% 的 DRAM 的目標(biāo)。

美光的紐約州晶圓廠計(jì)劃涉及四個(gè)晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米），總投資將達(dá)耗資1000億美元。該工廠是美光長期戰(zhàn)略努力的一部分，旨在建立強(qiáng)大的美國國內(nèi)制造足跡，以支持商業(yè)和國家計(jì)算需求。

美光科技董事長、總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 及其他高管將與特朗普政府、國會、紐約州和地方政府官員，以及杰出的商界領(lǐng)袖和社區(qū)成員共同慶祝這一重大里程碑。奠基儀式結(jié)束后，將在雪城大學(xué)國家退伍軍人資源中心舉行慶?；顒?，屆時(shí)高管和官員將發(fā)表講話。

“美光紐約巨型晶圓廠的破土動工對美光和美國來說都是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，”美光科技董事長、總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示?！拔乙兄x特朗普總統(tǒng)、盧特尼克部長、澤爾丁署長、霍楚州長、舒默參議員、曼尼恩眾議員、特尼眾議員、麥克馬洪縣行政長官以及我們在政府和國會的所有合作伙伴，感謝他們?yōu)閷?shí)現(xiàn)這一里程碑所做出的領(lǐng)導(dǎo)和貢獻(xiàn)。隨著全球經(jīng)濟(jì)邁入人工智能時(shí)代，先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位將成為創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)繁榮的基石。我們的投資和進(jìn)展鞏固了我們作為美國唯一一家存儲器制造商的地位?！?/p>