4月6日消息,據(jù)韓國媒體ETnews報(bào)道,存儲(chǔ)芯片大廠三星電子在今一季度將DRAM合約價(jià)上漲了100%之后,而二季度的DRAM合約價(jià)將再度上漲30%。這也反應(yīng)了人工智能(AI)基礎(chǔ)設(shè)施投資持續(xù)擴(kuò)張的背景下,DRAM需求依然強(qiáng)調(diào)。
報(bào)道稱,三星電子已確認(rèn)于3月底與主要客戶完成價(jià)格談判,并簽署了供應(yīng)合同。30%的DRAM合約價(jià)漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機(jī)所需的通用DRAM。
一位熟悉此事的行業(yè)高管表示:“仍有許多客戶希望提前獲得DRAM以保障供應(yīng)安全,因此我們將在第一季度后進(jìn)一步提高價(jià)格并供貨?!?/p>
三星電子此前在第一季度將DRAM的平均價(jià)格提高了100%。這是因?yàn)殡S著對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴(kuò)展,AI加速器的供應(yīng)迅速增加,且對(duì)其安裝的HBM需求也隨之增加。隨著包括三星電子在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上,通用DRAM的供應(yīng)變得不足,導(dǎo)致價(jià)格急劇上漲。
這意味著,如果2025年DRAM價(jià)格為10,000韓元,那么第一季度將以20,000韓元和第二季度26,000韓元的價(jià)格向市場供應(yīng)。這意味著“DRAM價(jià)格是當(dāng)今最便宜的”這句話仍適用。第二季度的漲幅比第一季度緩慢,但漲價(jià)仍在繼續(xù)。而這也必然將會(huì)導(dǎo)致PC、智能手機(jī)等依賴于通用DRAM的智能終端產(chǎn)品的價(jià)格持續(xù)上漲。
在今年一季度,聯(lián)想、惠普、華碩、戴爾等PC大廠,以及OPPO、vivo等智能手機(jī)廠商都因?yàn)镈RAM等零部件成本的上漲,已經(jīng)對(duì)相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行了漲價(jià)。
戴爾科技集團(tuán)臺(tái)灣總經(jīng)理廖仁祥在3月底的新春媒體交流會(huì)上也表示,因DRAM等零組件成本上漲,戴爾的PC產(chǎn)品已調(diào)漲價(jià)格,具體漲幅視各產(chǎn)品的零組件成本占比而定,目前市場確實(shí)在提前拉貨,今年第一季看得到“拉力很強(qiáng)”,用戶知道現(xiàn)在這個(gè)時(shí)候買大概是今年最低價(jià)。
進(jìn)入二季度,隨著DRAM等核心零部件的價(jià)格進(jìn)一步上漲,PC和智能手機(jī)也將繼續(xù)面臨成本上漲壓力。
PC大廠華碩聯(lián)合科技系統(tǒng)事業(yè)總經(jīng)理廖逸翔3月下旬在接受采訪時(shí)指出,PC關(guān)鍵零組件的漲價(jià)已是不可逆的方向,第二季PC價(jià)格預(yù)估將上漲25% 至30%,第三季仍有繼續(xù)漲價(jià)的壓力,因此若消費(fèi)者本來就有換機(jī)需求,建議“越早買越好,越后面會(huì)越來越高”,甚至可說是“越早買越享受”。
小米公司4月3日發(fā)布公告稱,受全球存儲(chǔ)芯片等關(guān)鍵零部件價(jià)格持續(xù)大幅飆升影響,經(jīng)過審慎評(píng)估,公司將自2026年4月11日00:00起,調(diào)整部分在售產(chǎn)品的建議零售價(jià)。
同日,業(yè)內(nèi)還傳出消息稱,蘋果近期正以高價(jià)大量從市場上掃貨移動(dòng)DRAM,甚至不惜犧牲部分利潤,來確保自身供應(yīng)穩(wěn)定,同時(shí)避免競爭對(duì)手取得足夠的內(nèi)存。
這些跡象也反應(yīng)了目前DRAM供應(yīng)依然緊缺,并且供應(yīng)緊缺的問題還將會(huì)持續(xù)。
雖然近期一些DDR4的漲幅已經(jīng)放緩(比如,DRAM Exchange數(shù)據(jù)顯示一些DDR4產(chǎn)品,例如DDR4 8Gb的平均固定交易價(jià)格與上個(gè)月相同),甚至部分DDR5內(nèi)存條現(xiàn)貨甚至出現(xiàn)了價(jià)格下跌。但是,普遍共識(shí)是最新的通用DRAM產(chǎn)品和服務(wù)器應(yīng)用的DDR5的價(jià)格仍在穩(wěn)步上漲。這其中的關(guān)鍵原因在于三大DRAM產(chǎn)能供應(yīng)增長低于需求增長。
根據(jù)SemiAnalysis的預(yù)測,2026年全球總DRAM產(chǎn)能供給比需求仍低約7%,其中HBM供應(yīng)缺口將從2025年的約5%擴(kuò)大到2026年的約6%。2027年,HBM供應(yīng)缺口將進(jìn)一步擴(kuò)大到約9%。與此同時(shí),2026年至2027年,通用DRAM的供應(yīng)卻也會(huì)持續(xù)維持在約7%左右。
一位行業(yè)高管解釋道:“隨著我們?cè)噲D擴(kuò)大以大型科技為核心的AI服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),高性能DRAM和HBM的需求并未改變”,并且“長期合同和穩(wěn)定保障DRAM的競爭需求也在加劇?!?/p>
由于擁有全球最大DRAM產(chǎn)能的三星電子已將價(jià)格上調(diào)30%,SK海力士和美光預(yù)計(jì)將在第二季度以類似的價(jià)格漲幅水平來進(jìn)行DRAM供應(yīng)。據(jù)說他們正與其他存儲(chǔ)器制造商制定價(jià)格上漲和供應(yīng)合同方法的詳細(xì)戰(zhàn)略,并與客戶進(jìn)行討論。

