1月13日消息，據(jù)TheElec報(bào)道，LG電子正在開(kāi)發(fā)用于高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的混合鍵合堆疊設(shè)備（鍵合機(jī)）早期版本。

據(jù)稱(chēng)，該項(xiàng)目獲得多方支持，Justem也參與其中，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)該套件的系統(tǒng)。LG電子生產(chǎn)工程研究所（PRI）于去年6月正式啟動(dòng)該項(xiàng)目。

目前，項(xiàng)目已產(chǎn)出內(nèi)部測(cè)試的原型alpha版本。據(jù)消息人士透露，項(xiàng)目當(dāng)時(shí)正處于概念驗(yàn)證階段，團(tuán)隊(duì)正有條不紊地開(kāi)展各項(xiàng)測(cè)試工作。其中，混合鍵合工藝的測(cè)試是重點(diǎn)之一，團(tuán)隊(duì)使用模塊和鍵合頭進(jìn)行相關(guān)測(cè)試，力求優(yōu)化工藝，確保設(shè)備性能達(dá)到預(yù)期。

報(bào)道還稱(chēng)，該項(xiàng)目計(jì)劃于2029年完成，目標(biāo)精度設(shè)定為200納米。不過(guò)，這一精度規(guī)格與Besi公司已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的100納米精度存在差距。消息人士指出，基于這樣的精度差異，該鍵合機(jī)在三年后推出時(shí)，可能在HBM領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力不足。