1 月 20 日消息，2026 年 1 月 18 日在美光紐約工廠奠基儀式上，美國商務部部長霍華德 · 盧特尼克（Howard Lutnick）釋放明確信號：存儲芯片制造商要么選擇在美國本土建廠，要么面臨高達 100% 的懲罰性關(guān)稅。

繼臺積電、三星等企業(yè)響應“美國制造”號召進行投資后，美國政府此次將矛頭明確指向了 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）供應鏈，意圖通過高額關(guān)稅倒逼全球存儲巨頭將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至美國，而此舉可能會進一步推高全球內(nèi)存價格。

盡管三星電子和 SK 海力士已在美國布局，但其現(xiàn)有規(guī)劃恐難逃新政制裁。三星此前雖已宣布在美投入半導體前道和后道工序，但目前尚無新建專門用于生產(chǎn)內(nèi)存芯片的晶圓廠計劃。

與此同時，SK 海力士近期雖宣布在印第安納州西拉法葉投資 40 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 279.07 億元人民幣），但該項目主要聚焦于 2.5D 先進封裝與研發(fā)工作，并未包含 DRAM 生產(chǎn)線。

目前僅有美光科技一家主要廠商明確致力于在美國本土生產(chǎn) DRAM 芯片。若新政落地，這兩家韓國巨頭將首當其沖，面臨極為嚴峻的經(jīng)營風險。

這一政策對本已緊張的全球存儲市場而言無異于雪上加霜。受人工智能產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的驅(qū)動，DRAM 價格此前已攀升至歷史高位，產(chǎn)能擴張本就面臨巨大挑戰(zhàn)。

科技媒體 Wccftech 認為，若美國強行實施 100% 關(guān)稅，將導致供應鏈成本劇增，進而引發(fā)存儲產(chǎn)品價格進一步失控。對于正處于高速發(fā)展期的 AI 行業(yè)而言，核心硬件成本的暴漲可能成為阻礙技術(shù)普及的“攔路虎”，而最終的成本壓力極大概率將轉(zhuǎn)嫁給下游廠商及普通消費者。