當(dāng)?shù)貢r間4月7日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布最新報告稱，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額達到1351億美元，較2024年的1171億美元增長15%，連續(xù)第三年創(chuàng)下歷史新高。這一數(shù)據(jù)較SEMI在2025年12月發(fā)布的1330億美元預(yù)測值上修了約1.6%，反映出AI需求在2025年四季度末仍保持超預(yù)期增長態(tài)勢。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年創(chuàng)紀(jì)錄的半導(dǎo)體設(shè)備賬單達到1350億美元，凸顯了隨著人工智能加速對前沿邏輯、先進內(nèi)存和高帶寬架構(gòu)需求的推動，行業(yè)建設(shè)的規(guī)模和緊迫性。從晶圓制造投資到先進封裝和測試的快速發(fā)展，全球生態(tài)系統(tǒng)正在擴展能力和能力，以支持下一波創(chuàng)新浪潮?！?/p>

前端設(shè)備穩(wěn)健增長，邏輯與存儲雙輪驅(qū)動

2025年，全球前端半導(dǎo)體設(shè)備市場實現(xiàn)穩(wěn)健增長。晶圓加工設(shè)備銷售額同比增長12%，其他前端細分市場增長13%。此次擴張主要得益于對前沿邏輯和內(nèi)存容量的持續(xù)投資，以及AI相關(guān)需求和持續(xù)的節(jié)點與技術(shù)遷移。

雖然，SEMI最新的報告并未公布前端設(shè)備具體構(gòu)成，但是SEMI在此前2025年12月的預(yù)測報告中預(yù)測：

2025年代工與邏輯芯片設(shè)備銷售額預(yù)計同比增長9.8%至666億美元，芯片制造商持續(xù)為AI加速器、高性能計算及高端移動處理器擴產(chǎn)，行業(yè)正加速向2nm環(huán)繞柵極（GAA）節(jié)點的大規(guī)模量產(chǎn)邁進。DRAM設(shè)備銷售額受HBM需求拉動，預(yù)計增長15.4%至225億美元；NAND設(shè)備銷售額則因3D堆疊技術(shù)進步，預(yù)計大增45.4%至140億美元。 

而2025年實際的整體半導(dǎo)體設(shè)備市場銷售額相比之前的預(yù)測是超出的，因此，前端設(shè)備部分的增長可能也將超出之前的預(yù)期。而這其中的關(guān)鍵還是在于：AI需求爆發(fā)之下，對于先進邏輯制程和HBM及DRAM需求的暴漲，推動相關(guān)前端制造設(shè)備的投資增長。

值得注意的是，SEMI在此前2025年12月的預(yù)測報告中已將2026年和2027年的設(shè)備銷售預(yù)期上調(diào)至1450億美元和1560億美元，意味著2025-2027年將實現(xiàn)連續(xù)三年增長，這一趨勢在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)歷史上較為罕見。 

后端設(shè)備爆發(fā)式增長：測試設(shè)備激增55%

受益于人工智能（AI）熱潮，對于高端GPU、高性能計算（HPC）芯片及定制化AI ASIC芯片需求持續(xù)攀升，芯片封裝朝向更大面積、更高頻高速、更高功率與更多晶粒整合發(fā)展，也讓CoWoS、SoIC、WMCM等先進封裝技術(shù)和測試需求持續(xù)擴大，進一步推升相關(guān)先進封測設(shè)備的投資熱度。

以英偉達Rubin GPU為例，其采用CoWoS-L先進封裝技術(shù)，將GPU芯片與8個HBM3E堆疊集成，對封裝精度和測試覆蓋率提出了前所未有的要求，直接拉動了對高端封裝設(shè)備和存儲測試設(shè)備的需求。

SEMI最新的報告也顯示，后端設(shè)備板塊在2025年實現(xiàn)了強勁增長。隨著先進封裝技術(shù)的持續(xù)普及，組裝和封裝設(shè)備銷售額增長了21%。隨著AI芯片和HBM的性能需求和測試強度的提升，測試設(shè)備銷售額同比激增55%。測試設(shè)備銷售額的增速遠超SEMI在2025年中期的預(yù)測——當(dāng)時預(yù)計測試設(shè)備全年增長48.1%。實際增速超出預(yù)期近7個百分點，表明AI芯片和HBM的測試復(fù)雜度提升速度比行業(yè)預(yù)判更為迅猛。 

區(qū)域格局：亞洲主導(dǎo)地位進一步強化

從全球各主要區(qū)域的表現(xiàn)來看，2025年半導(dǎo)體設(shè)備支出仍集中在亞洲，中國大陸、中國臺灣和韓國合計占全球市場的79%，而2024年這一比例為74%，集中度進一步提升。

具體來說，2025年，中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備支出仍接近歷史高位，達到493億美元，較2024年僅下降0.5%，中國大陸芯片制造商繼續(xù)投資成熟節(jié)點并選擇性布局先進產(chǎn)能。

中國臺灣的半導(dǎo)體設(shè)備支出同比大漲90%，達到了創(chuàng)紀(jì)錄的315億美元，反映出AI和高性能計算驅(qū)動的產(chǎn)能擴張。

韓國的半導(dǎo)體設(shè)備支出同比增長26%，達到258億美元，這主要是因為韓國芯片制造商對HBM和DRAM的投資依然強勁。

日本半導(dǎo)體設(shè)備支出實現(xiàn)22%的同比增長，達到95億美元，這主要得益于日本先進節(jié)點制造業(yè)的持續(xù)投資。

北美市場因早期產(chǎn)能擴張后支出趨于放緩，半導(dǎo)體設(shè)備支出同比下降20%至109億美元。

歐洲半導(dǎo)體設(shè)備支出同比下跌41%至29億美元，這是連續(xù)第二年收縮，原因是汽車和工業(yè)需求持續(xù)疲軟。

從設(shè)備支出結(jié)構(gòu)看，北美和歐洲的下滑與兩地芯片制造產(chǎn)能擴張放緩直接相關(guān)。比如，英特爾在2025年推遲了部分俄亥俄州晶圓廠的建設(shè)進度，而歐洲受制于汽車芯片需求疲軟，意法半導(dǎo)體、恩智浦等IDM廠商普遍收緊了資本開支。

2026年展望：增長勢頭有望延續(xù)

展望2026年，SEMI在2025年12月發(fā)布的預(yù)測報告中曾預(yù)計，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將繼續(xù)增長至1450億美元，2027年進一步攀升至1560億美元，連續(xù)三年刷新歷史紀(jì)錄。

增長的核心驅(qū)動力將來自三個方面：一是臺積電、三星、英特爾在2nm及以下節(jié)點的資本開支競賽；二是HBM產(chǎn)能擴張，三星、SK海力士、美光均計劃在2026年大幅擴產(chǎn)HBM產(chǎn)線；三是先進封裝產(chǎn)能緊缺持續(xù)，臺積電CoWoS、三星I-Cube等封裝技術(shù)的產(chǎn)能擴張將帶動相關(guān)設(shè)備需求。）

不過，行業(yè)也面臨潛在風(fēng)險。美國擬推出的MATCH Act若通過，可能進一步限制對華先進設(shè)備出口，影響全球設(shè)備供應(yīng)鏈；此外，AI投資若出現(xiàn)階段性降溫，也可能導(dǎo)致設(shè)備訂單波動。