工業(yè)自動化最新文章 ASML研究超級NA光刻機！2036年沖擊0.2nm工藝 2月17日消息，ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺高NA EUV極紫外光刻機，將用于2nm工藝以下芯片的制造，臺積電、三星未來也會陸續(xù)接收，可直達1nm工藝左右。 那么之后呢？消息稱，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級NA)光刻機，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。 發(fā)表于：2/18/2024 瑞薩電子59億美元收購EDA廠商Altium 瑞薩電子59億美元收購EDA廠商Altium 發(fā)表于：2/18/2024 ASML展示最新EUV光刻機內(nèi)部畫面 ASML對外展示了最新EUV光刻機內(nèi)部畫面，或許在他們看來，就算把這些全部展現(xiàn)給大家看，也沒辦法來偷師他們的技術(shù)。 該系統(tǒng)已獲得英特爾公司的訂單，首臺機器已于去年年底運抵其位于俄勒岡州的D1X工廠，英特爾計劃在 2025 年年底開始使用該系統(tǒng)進行生產(chǎn)。 發(fā)表于：2/14/2024 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)恢復(fù)向好 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)恢復(fù)向好 發(fā)表于：2/11/2024 高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 高塔半導(dǎo)體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 發(fā)表于：2/11/2024 臺積電增資日本：將投資52億美元建設(shè)第二座晶圓廠 臺積電日前宣布在日本熊本建設(shè)第二座晶圓廠，核準以不超過52.62億美元的額度增資日本先進半導(dǎo)體制造公司（JASM）。 發(fā)表于：2/11/2024 Intel 18A工藝拿下大單：代工64核心Arm處理器 芯片設(shè)計企業(yè)Faraday Technology宣布計劃開發(fā)全球首款基于Arm Neoverse架構(gòu)的64核心處理器，預(yù)計2025年上半年完成，并采用Intel 18A工藝制造。 發(fā)表于：2/6/2024 江蘇科技大學(xué)研制出55~130微米的晶硅太陽能電池 2 月 5 日消息，江蘇科技大學(xué)、隆基綠能科技股份有限公司、澳大利亞科廷大學(xué)三方合作，在國際上首次制造出高柔韌性、高功率重量比的晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池。研究人員表示，他們研發(fā)的晶硅電池比 A4 紙還薄，可以彎曲成一個卷，而且比薄膜電池更薄，比傳統(tǒng)晶硅電池更高效。 相關(guān)研究成果已于 1 月 31 日以 "Flexible Silicon Solar Cells with High Power-to-Weight Ratios" 為題發(fā)表在國際頂級期刊《Nature》上（ DOI: 10.1038 / s41586-023-06948-y）。 發(fā)表于：2/6/2024 意法半導(dǎo)體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效 意法半導(dǎo)體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導(dǎo)體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠?qū)崿F(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。 發(fā)表于：2/5/2024 世輝榮獲晶豐明源“2023年度銀牌經(jīng)銷商” 世輝榮獲晶豐明源“2023年度銀牌經(jīng)銷商” 發(fā)表于：2/5/2024 德國默克稱DSA自組裝技術(shù)十年內(nèi)商用 德國默克公司高級副總裁 Anand Nambier 近日在新聞發(fā)布會上稱，未來十年 DSA 自組裝技術(shù)將實現(xiàn)商用化，可減少昂貴的 EUV 圖案化次數(shù)，成為現(xiàn)有光刻技術(shù)的重要補充。 DSA 全稱為 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征實現(xiàn)周期性圖案的自動構(gòu)造，在此基礎(chǔ)上加以誘導(dǎo)，最終形成方向可控的所需圖案。一般認為，DSA 不適合作為一項獨立的圖案化技術(shù)使用，而是與其他圖案化技術(shù)（如傳統(tǒng)光刻）結(jié)合來生產(chǎn)高精度半導(dǎo)體。 發(fā)表于：2/5/2024 三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片 據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。 消息稱三星將發(fā)布超高速 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片，容量翻倍且更省電 發(fā)表于：2/5/2024 MIKROE增加了圖形功能 MikroElektronika（MIKROE）今天推出用于嵌入式應(yīng)用程序的完整的跨平臺集成開發(fā)環(huán)境（IDE）NECTO Studio v6.0版。該版本新增六個主要功能，包括：具有全新UI設(shè)計的增強圖形庫；用于ARM和RISC-V微控制器的CLANG和LLVM工具鏈、CAN支持、集成DMA控制、以及包含RTC和LCD的mikroSDK。 發(fā)表于：2/4/2024 ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟選擇 ASML 首席財務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當(dāng)?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經(jīng)濟的選擇。 發(fā)表于：2/4/2024 龍芯3C6000 服務(wù)器芯片正式交付流片 據(jù)龍芯中科官網(wǎng)公布的投資者關(guān)系活動記錄表，龍芯 3C6000 目前已經(jīng)交付流片。 龍芯中科提到，龍芯 3C6000 芯片的 IO 接口相比當(dāng)前服務(wù)器產(chǎn)品 3C5000 進行了大幅度的改進和優(yōu)化 ，采用龍鏈技術(shù)實現(xiàn)了“片間互聯(lián)”，解決了處理器核數(shù)量擴展上的瓶頸，未來公司服務(wù)器在 3C6000 基礎(chǔ)上還會封成 32 核和 64 核的產(chǎn)品推出。 發(fā)表于：2/4/2024 ?…167168169170171172173174175176…?
