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海南商發(fā)2025年有望實(shí)現(xiàn)月月發(fā)射

1 月 23 日消息，海南國(guó)際商業(yè)航天發(fā)射有限公司（簡(jiǎn)稱“海南商發(fā)”）昨日舉行 2025 年工作會(huì)議，提出了蛇年新的工作目標(biāo)：完成第二期項(xiàng)目“建設(shè)”和“發(fā)射”任務(wù)雙重目標(biāo)。

發(fā)表于：1/23/2025

2025年三星晶圓代工投資規(guī)模減半

1月22日消息，根據(jù)TrendForce的報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門(mén)的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元減少至5萬(wàn)億韓元，這一削減幅度達(dá)到了50%。

發(fā)表于：1/23/2025

意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries擱置75億歐元合資晶圓廠項(xiàng)目

1月22日消息，據(jù)Eenews europe報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和GlobalFoundries已決定擱置共同投資75億歐元在法國(guó)Crolles建造一座合資FDSOI晶圓廠的計(jì)劃。早在2022年7月，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries就宣布將在法國(guó)Crolles建立合資晶圓廠，隨后在2023年6月，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries正式簽署了建設(shè)該合資晶圓廠的合作協(xié)議。

發(fā)表于：1/23/2025

一種低電壓應(yīng)力的三電平PFC電路研究

三電平及多電平電路具有更小的直流側(cè)電壓脈動(dòng)和降低電路損耗的優(yōu)點(diǎn)，并且能使直流側(cè)電流波形更接近正弦化，因此提出一種基于四開(kāi)關(guān)三電平PFC電路。利用四個(gè)開(kāi)關(guān)管進(jìn)行組合，使其具有多向開(kāi)關(guān)功能，不僅能將輸出電壓抬升至三電平，降低開(kāi)關(guān)管電壓應(yīng)力，還能為電感充電提供回路。同時(shí)該電路在每個(gè)模態(tài)最多兩個(gè)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通并共用一個(gè)脈沖信號(hào)，一定意義上簡(jiǎn)化了控制復(fù)雜度。最后，通過(guò)搭建一個(gè)額定功率為800 W的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，驗(yàn)證理論分析正確性。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】英飛凌：低碳化和數(shù)字化是未來(lái)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

2024年，大模型技術(shù)的迅猛發(fā)展引領(lǐng)了生成式AI的浪潮，算力需求激增。同時(shí)，氣候變化帶來(lái)的全球低碳化趨勢(shì)對(duì)行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響，電動(dòng)汽車、新能源等市場(chǎng)也經(jīng)歷快速增長(zhǎng)。這一趨勢(shì)也對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)提出了更高要求，推動(dòng)其不斷創(chuàng)新和提升。在2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)能否繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)？哪些細(xì)分領(lǐng)域更值得期待？日前，英飛凌公司通過(guò)問(wèn)答形式介紹了英飛凌對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】德州儀器：模擬芯片版圖擴(kuò)至AI

2024年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的推動(dòng)下，實(shí)現(xiàn)了顯著復(fù)蘇和快速增長(zhǎng)，在2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)能否繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，汽車半導(dǎo)體、工業(yè)自動(dòng)化等哪些細(xì)分領(lǐng)域更值得期待？日前，德州儀器對(duì)本站記者介紹了該公司對(duì)于的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】萊迪思：FPGA技術(shù)助力AI推理加速

2024年，生成式AI持續(xù)席卷全球，服務(wù)器、計(jì)算終端、新能源汽車帶動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)…… 在2025年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨哪些新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇？哪些領(lǐng)域有望獲得高速增長(zhǎng)？供應(yīng)鏈會(huì)有哪些變化？半導(dǎo)體廠商重點(diǎn)投入在哪些領(lǐng)域？日前，萊迪思半導(dǎo)體亞太區(qū)總裁徐宏來(lái)（Jerry Xu）介紹了萊迪思對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】是德科技：向綠而行，推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展

可再生能源領(lǐng)域在 2025 年開(kāi)局便展現(xiàn)出了四大顯著的發(fā)展趨勢(shì)。具體來(lái)說(shuō)，就是數(shù)據(jù)管理將助推可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域積極擁抱AI技術(shù)；與此同時(shí)，向著可再生能源轉(zhuǎn)型和發(fā)展的步伐將進(jìn)一步加快；全球可再生能源發(fā)電領(lǐng)域也將繼續(xù)刷新進(jìn)度條；最后需要強(qiáng)調(diào)的一點(diǎn)是，政府的激勵(lì)措施對(duì)于推動(dòng)分布式能源的采用依然至關(guān)重要。是德科技企業(yè)社會(huì)責(zé)任總監(jiān) Michele Robinson 和是德科技可持續(xù)發(fā)展與 EHS（環(huán)境、健康與安全）全球總監(jiān) Claire McCarthy ，兩位是德科技專家圍繞上述重要話題分享了具有專業(yè)價(jià)值的見(jiàn)解和思考。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】益萊儲(chǔ)：租賃賦能客戶創(chuàng)新蝶變

【編者按】2024年，全球科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。這股浪潮深刻影響企業(yè)運(yùn)營(yíng)，隨著各行業(yè)對(duì)測(cè)試測(cè)量設(shè)備需求的不斷增加，租賃市場(chǎng)也相應(yīng)擴(kuò)大…… 在2025年，租賃模式在行業(yè)中的重要性是否更加值得期待？日前，益萊儲(chǔ)亞太區(qū)高級(jí)副總裁潘海夢(mèng)介紹了益萊儲(chǔ)對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】瑞薩電子：持續(xù)投入研發(fā)以穿越半導(dǎo)體周期

2024年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子和汽車電子等領(lǐng)域的推動(dòng)下，實(shí)現(xiàn)了顯著復(fù)蘇和快速增長(zhǎng)，但各個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展并不均衡…… 在2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)能否全面繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，汽車半導(dǎo)體、工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子等哪些細(xì)分領(lǐng)域更值得期待？日前，瑞薩電子全球銷售與市場(chǎng)副總裁、瑞薩電子中國(guó)總裁賴長(zhǎng)青介紹了瑞薩電子對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作，共同研制出首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船并成功通過(guò)太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

發(fā)表于：1/22/2025

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動(dòng)

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡(jiǎn)寫(xiě)），專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：1/22/2025

韓國(guó)系統(tǒng)半導(dǎo)體市占率今年將跌至2%

1月21日消息，據(jù)Businesskorea報(bào)道，韓國(guó)下一代智能半導(dǎo)體專案小組的研究報(bào)告顯示，韓國(guó)在全球系統(tǒng)半導(dǎo)體營(yíng)收市占率將從2023年的2.3%，下降至2025年的2%，預(yù)計(jì)到2027年將進(jìn)一步下降到1.6%。

發(fā)表于：1/22/2025

電力物聯(lián)網(wǎng)下終端密鑰全生命周期安全管理方案

針對(duì)電力物聯(lián)網(wǎng)下的終端規(guī)模化接入及終端通信安全問(wèn)題，提出了一種電力物聯(lián)網(wǎng)下終端密鑰全生命周期安全管理方案。首先，方案基于國(guó)密算法采用兩級(jí)密鑰分發(fā)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了電力終端在不同階段的安全接入認(rèn)證；其次，方案基于邏輯密鑰層次結(jié)構(gòu)采用組密鑰管理模式，實(shí)現(xiàn)了對(duì)單播和廣播數(shù)據(jù)的輕量級(jí)加密，保障電力終端的通信安全；另外，方案按照密鑰用途不同采取不同的存儲(chǔ)和訪問(wèn)管理策略，實(shí)現(xiàn)了終端密鑰的混合式存儲(chǔ)和管理，縮短終端密鑰的訪問(wèn)時(shí)間。通過(guò)性能分析可知，相較于傳統(tǒng)的接入認(rèn)證和基于邏輯密鑰層次結(jié)構(gòu)的密鑰管理方案，所提方案優(yōu)化了終端計(jì)算量，減少了計(jì)算開(kāi)銷，簡(jiǎn)化了密鑰更新過(guò)程，相較于常規(guī)終端密鑰的存儲(chǔ)和管理方式，所提方案在不改變現(xiàn)有硬件平臺(tái)的基礎(chǔ)上提升了密鑰訪問(wèn)性能。

發(fā)表于：1/21/2025