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一種基于AHB總線DMA控制器驗(yàn)證方法

針對傳統(tǒng)芯片驗(yàn)證平臺驗(yàn)證用例復(fù)用性差、驗(yàn)證時(shí)間長的問題，提出了一種基于AHB總線DMA控制器驗(yàn)證方法。通過該方法修改優(yōu)化的驗(yàn)證平臺可移植性高，具有模擬聯(lián)動(dòng)IP產(chǎn)生請求、回復(fù)與中斷信號的功能，支持在傳輸中對AHB總線隨機(jī)注入錯(cuò)誤的能力。為證明方法的有效性，對DMA控制器UVM驗(yàn)證平臺架構(gòu)進(jìn)行修改優(yōu)化，并復(fù)用該平臺構(gòu)建Image2D控制器UVM驗(yàn)證平臺，分別收集兩個(gè)驗(yàn)證平臺代碼覆蓋率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法能夠提高驗(yàn)證平臺調(diào)試排錯(cuò)速度，提升驗(yàn)證平臺兼容性，節(jié)約15%以上的驗(yàn)證開發(fā)時(shí)間，并保證驗(yàn)證平臺代碼覆蓋率為100%。

發(fā)表于：1/20/2025

SerDes鏈路協(xié)同仿真與無源鏈路優(yōu)化設(shè)計(jì)

隨著SerDes鏈路信號傳輸速率的提升，信道鏈路經(jīng)過芯片封裝和印刷電路板過孔、AC電容和連接器等，會導(dǎo)致信號完整性（Signal Integrity， SI）挑戰(zhàn)進(jìn)一步增大。提出基于SerDes 32 Gbps-NRZ信道傳輸系統(tǒng)，優(yōu)化無源信道中的BGA過孔、AC耦合電容焊盤、FMC連接器（FPGA Mezzanine Card Connector）處Pin腳設(shè)計(jì)，提升了通道阻抗的一致性，建立了更為準(zhǔn)確的無源鏈路通道模型，并結(jié)合芯片有源IBIS-AMI模型，對比分析優(yōu)化前后鏈路信道對眼圖的影響，保證了32 Gbps-NRZ高速信號的穩(wěn)定傳輸。

發(fā)表于：1/20/2025

基于ERNIE-CAB-CNN的稀土專利文本分類模型

針對稀土專利文本專業(yè)性強(qiáng)的特點(diǎn)以及現(xiàn)有的文本分類方法存在的不足，鑒于類別注意力在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和取得的良好效果，提出了一種用于文本分類的類別注意力模塊（Category Attention Module，CAB），并結(jié)合預(yù)訓(xùn)練模型ERNIE和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Convolutional Neural Networks，CNN）構(gòu)建了一個(gè)用于稀土專利文本分類的創(chuàng)新模型ERNIE-CAB-CNN。模型使用ERNIE對專利文本進(jìn)行向量化，得到語義信息更加豐富的向量表示后，通過CAB為文本中各個(gè)類別的重要特征賦予較高權(quán)值，使模型可以更準(zhǔn)確地區(qū)分不同類別的特征。最后用CNN進(jìn)一步提取文本中其他關(guān)鍵局部特征，得到的最終文本向量表示用于分類。通過Patsnap專利數(shù)據(jù)庫官方網(wǎng)站檢索下載稀土專利數(shù)據(jù)構(gòu)建數(shù)據(jù)集進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，稀土專利文本分類模型ERNIE-CAB-CNN在測試集上分類的準(zhǔn)確率、精確率、F1分?jǐn)?shù)分別為82.68％、83.2％、82.06％，取得了良好的分類效果。

發(fā)表于：1/20/2025

基于動(dòng)態(tài)自適應(yīng)計(jì)算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)加速器設(shè)計(jì)

現(xiàn)有面向高效輕量化MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)的加速方法通常采用高度定制的計(jì)算引擎進(jìn)行模型計(jì)算，從而限制了加速器的可擴(kuò)展性使其僅適用于小型網(wǎng)絡(luò)或資源豐富的硬件平臺。針對此問題，提出了基于動(dòng)態(tài)自適應(yīng)計(jì)算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)加速器。首先，設(shè)計(jì)了局部感知區(qū)域卷積的流水線推理架構(gòu)實(shí)現(xiàn)特征、權(quán)重的高度并行處理和緩沖調(diào)度。其次，提出全局自適應(yīng)的點(diǎn)卷積方法優(yōu)化點(diǎn)卷積，并結(jié)合空間探索獲得最優(yōu)的參數(shù)配置以實(shí)現(xiàn)最大計(jì)算并行性。此外，加速器可以根據(jù)模型參數(shù)變化動(dòng)態(tài)配置以適應(yīng)不同場景。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示加速器推理速度為8 F/s，是現(xiàn)有方法速度的2.7倍。

發(fā)表于：1/20/2025

我國專家成功當(dāng)選國際電工委員會核儀器儀表技術(shù)委員會主席

1 月 20 日消息，據(jù)央視新聞今日援引國家標(biāo)準(zhǔn)委消息，經(jīng)國際電工委員會（IEC）相關(guān)技術(shù)委員會及 IEC 標(biāo)準(zhǔn)化管理局兩輪投票選舉，近日，來自我國中核集團(tuán)的專家肖晨當(dāng)選國際電工委員會核儀器儀表技術(shù)委員會（IEC / TC 45）主席。

發(fā)表于：1/20/2025

力積電將攜手臺積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術(shù)

1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺積電認(rèn)證，將協(xié)同臺積電打入英偉達(dá)、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術(shù)，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術(shù)比三星更強(qiáng)，有望抓住AI商機(jī)，推動(dòng)業(yè)績增長。

發(fā)表于：1/20/2025

傳臺積電將再建兩座CoWoS先進(jìn)封裝廠

1月20日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道稱，為應(yīng)對旺盛的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求，傳聞臺積電計(jì)劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺幣2,000億元。如果再加上臺積電正在嘉科園區(qū)建設(shè)的CoWoS新廠，業(yè)界預(yù)期，臺積電短期內(nèi)總計(jì)將擴(kuò)充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)回應(yīng)此前的CoWoS砍單傳聞。

發(fā)表于：1/20/2025

美國商務(wù)部宣布投資14億美元支持四個(gè)先進(jìn)封裝項(xiàng)目

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月17日消息，美國商務(wù)部宣布，“芯片法案”國家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃（NAPMP）已敲定 14 億美元的獎(jiǎng)勵(lì)資金，以加強(qiáng)美國在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并使新技術(shù)得到驗(yàn)證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎(jiǎng)項(xiàng)將有助于建立一個(gè)自給自足、大批量的國內(nèi)先進(jìn)封裝行業(yè)，其中先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片在美國制造和封裝。

發(fā)表于：1/20/2025

SK海力士有望2月啟動(dòng)業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)

1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道稱，SK 海力士近日已成功完成內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn) 1c 納米制程 DRAM 的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以 25 塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求。 SK 海力士有望在完成量產(chǎn)交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動(dòng) 1c 納米 DRAM 量產(chǎn)。

發(fā)表于：1/20/2025

臺積電確認(rèn)已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片

1 月 18 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 報(bào)道，臺積電確認(rèn)其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進(jìn)入大批量生產(chǎn) 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。

發(fā)表于：1/20/2025

全國首條AMOLED用第8.6代金屬掩膜版生產(chǎn)線開建

1 月 19 日消息，據(jù)“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線項(xiàng)目在黃石經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開工。現(xiàn)場，中國科學(xué)院院士歐陽鐘燦介紹，作為全球首批、全國首條第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線，項(xiàng)目將填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈空白。

發(fā)表于：1/20/2025

美國商務(wù)部宣布向ADI等提供2.464億美元補(bǔ)貼

美國商務(wù)部宣布向ADI/Coherent/IntelliEPI/Sumika提供2.464億美元補(bǔ)貼

發(fā)表于：1/20/2025

日本2024年度芯片設(shè)備銷售額首度突破4萬億日元

中國大陸及AI需求旺盛，日本2024年度芯片設(shè)備銷售額首度突破4萬億日元

發(fā)表于：1/20/2025

Microchip推出全新Switchtec? PCIe4.0 16通道交換機(jī)系列產(chǎn)品

中國北京，2025年1月17日 —— 在汽車、工業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，高效管理高帶寬數(shù)據(jù)傳輸以及多個(gè)器件或子系統(tǒng)之間無縫通信至關(guān)重要，PCIe®交換機(jī)因而成為不可或缺的解決方案。它們提供了可擴(kuò)展性、可靠性和低延遲連接，對于處理現(xiàn)代高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng)的高要求工作負(fù)載必不可少。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新的PCI100x系列Switchtec? PCIe 4.0交換機(jī)樣品，提供多種型號以支持?jǐn)?shù)據(jù)包交換和多主機(jī)應(yīng)用。

發(fā)表于：1/17/2025

英飛凌在泰國新建后道工廠，優(yōu)化和豐富生產(chǎn)布局

l 英飛凌位于曼谷南部沙沒巴干府的新后道廠破土動(dòng)工，該廠將擴(kuò)大公司在亞洲的生產(chǎn)布局 l 新制造基地對于滿足日益增長的功率模塊需求和以具有競爭力的成本推動(dòng)公司整體增長至關(guān)重要 l 今年的支出已包含在2025年資本支出預(yù)測中，將根據(jù)市場需求進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模

發(fā)表于：1/17/2025