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EDA與制造相關(guān)文章

消息稱三星電子將擴(kuò)大蘇州先進(jìn)封裝工廠產(chǎn)能

11 月 21 日消息，據(jù) Business Korea 周二報(bào)道，行業(yè)消息稱三星電子正在擴(kuò)大國內(nèi)外投資，以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。

發(fā)表于：11/22/2024

福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人

福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人

發(fā)表于：11/22/2024

傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市

11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報(bào)道，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo)。

發(fā)表于：11/22/2024

意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工

11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r間周三在法國巴黎舉辦投資者日活動，宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長期的營收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：11/21/2024

TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價格將下跌

據(jù)TrendForce研報(bào)顯示，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價的關(guān)鍵時期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢。

發(fā)表于：11/21/2024

SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存

11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。

發(fā)表于：11/21/2024

中國工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國和日本

11 月 20 日消息，國際機(jī)器人聯(lián)合會（IFR）周三發(fā)布的年度報(bào)告顯示，中國在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國。

發(fā)表于：11/21/2024

2025年臺積電將新建10座工廠以應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求

11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以應(yīng)對人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求。據(jù)媒體報(bào)道，臺積電計(jì)劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠。新投資將重點(diǎn)放在2納米、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)將達(dá)到340億至380億美元。這不僅超過了市場預(yù)測的320億至 360 億美元，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。

發(fā)表于：11/21/2024

美國芯片法案敲定向格羅方德提供15億美元補(bǔ)貼

美國拜登政府已敲定針對格羅方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激勵措施，向該芯片制造商提供15億美元補(bǔ)貼，以支持美國工廠，這是更廣泛的半導(dǎo)體推動措施的一部分。

發(fā)表于：11/21/2024

TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價格將下跌

TrendForce：需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì) 2025 年 DRAM 價格將下跌

發(fā)表于：11/18/2024

全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國

全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國！新加坡上市、印尼生產(chǎn)

發(fā)表于：11/17/2024

美國芯片法案最大一筆補(bǔ)助臺積電66億美元補(bǔ)助到手

美國《芯片法》最大一筆補(bǔ)助，臺積電 66 億美元補(bǔ)助到手

發(fā)表于：11/17/2024

日本首臺ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠

11 月 15 日消息，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r間今日凌晨報(bào)道稱，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 購入的第一臺 ASML EUV 光刻機(jī)將于 2024 年 12 月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場，這也將成為日本全國首臺 EUV 光刻設(shè)備。

發(fā)表于：11/15/2024

消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合

11 月 14 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子、SK 海力士、美光均對在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備。 SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E，而從整體來看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊。由于無凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計(jì)仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù)。更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi)。

發(fā)表于：11/15/2024

ASML預(yù)計(jì)2030年?duì)I收最高將達(dá)600億歐元

11月14日——在今日舉辦的2024 年投資者日會議上，ASML將更新其長期戰(zhàn)略以及全球市場和技術(shù)趨勢分析，確認(rèn)其到2030年的年收入將達(dá)到約440 億至 600 億歐元，毛利率約為56%至 60%。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示：“我們預(yù)計(jì)，在下一個十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平，并擴(kuò)展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合，使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機(jī)遇，從而實(shí)現(xiàn)顯著的營收和盈利增長?！? 鑒于半導(dǎo)體在多種社會宏觀趨勢中的關(guān)鍵推動作用，該行業(yè)的長期發(fā)展前景依然樂觀。除了多個重要終端市場的增長潛力外，得益于人工智能可能成為推動社會生產(chǎn)力和創(chuàng)新的下一個重大驅(qū)動力，ASML 認(rèn)為，人工智能的崛起為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了顯著機(jī)遇。

發(fā)表于：11/15/2024

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