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歐盟《芯片法案》所設(shè)2030年微芯片市占翻倍目標(biāo)難以實(shí)現(xiàn)

4 月 29 日消息，歐洲審計(jì)院 ECA 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其最新報(bào)告，歐盟在 2022 年版《芯片法案》中設(shè)定的到 2030 年將歐盟在全球微芯片市場(chǎng)中的份額提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的約兩倍）的目標(biāo)難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/29/2025

IBM宣布5年1500億美元投資推動(dòng)量子計(jì)算機(jī)等美國制造

4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未來五年將在美國投資 1500 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1.09 萬億元人民幣），助力經(jīng)濟(jì)增長，并進(jìn)一步鞏固其在全球計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此次投資中，超過 300 億美元（現(xiàn)匯率約合 2187.07 億元人民幣）將用于研發(fā)，推動(dòng)大型主機(jī)和量子計(jì)算機(jī)在美國本土的持續(xù)制造。

發(fā)表于：4/29/2025

除和碩外的全部臺(tái)系電子代工廠啟動(dòng)美國制造

4月29日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，電子代工大廠英業(yè)達(dá)也宣布加入了“美國制造”行列。而在此之前，鴻海、廣達(dá)、緯創(chuàng)、緯穎、仁寶等臺(tái)系電子代工大廠均已投入“美國制造”，隨著英業(yè)達(dá)也宣布在德克薩斯州建廠，臺(tái)系主要電子代工廠當(dāng)中，僅剩和碩未有宣布在美國布局。 4月28日，英業(yè)達(dá)董事會(huì)批準(zhǔn)，擬斥資上限8,500萬美元，在美國德克薩斯州設(shè)立服務(wù)器制造基地。此舉有望降低特朗普政府關(guān)稅戰(zhàn)干擾，助力后續(xù)營運(yùn)。

發(fā)表于：4/29/2025

三星計(jì)劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM

4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報(bào)導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍(lán)圖。外界解讀，三星有意比競爭對(duì)手SK海力士更早一個(gè)世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級(jí)差距”的地位。

發(fā)表于：4/29/2025

中國臺(tái)灣出臺(tái)新規(guī)：限制臺(tái)積電最先進(jìn)工藝技術(shù)出口！

4月28日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，中國臺(tái)灣計(jì)劃加強(qiáng)對(duì)先進(jìn)工藝技術(shù)出口和半導(dǎo)體對(duì)外投資的控制。新的產(chǎn)創(chuàng)條例第22條已經(jīng)獲得了正式通過，針對(duì)臺(tái)積電赴美投資將執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，基本上禁止臺(tái)積電出口其最新的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，并對(duì)違規(guī)行為進(jìn)行處罰。不過，該新規(guī)的具體實(shí)施日期尚未公布。

發(fā)表于：4/29/2025

聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗(yàn)證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運(yùn)報(bào)告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2026年完成制程開發(fā)并通過驗(yàn)證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進(jìn)展，晶圓級(jí)混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4

4月28日消息，據(jù)wccftech報(bào)道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺(tái)積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達(dá) 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺(tái)積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月26日，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對(duì)目前美國和中國之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭”對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025

佳能下調(diào)2025年光刻機(jī)銷量至289臺(tái)

4月24日日本股市盤后，相機(jī)及光刻機(jī)大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財(cái)報(bào)的同時(shí)，下修了2025年度的整體業(yè)績預(yù)期。佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業(yè)利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。

發(fā)表于：4/28/2025

中汽研發(fā)布《新能源汽車電安全技術(shù)年度報(bào)告（2025）》

4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗(yàn)中心上周發(fā)布了《新能源汽車電安全技術(shù)年度報(bào)告（2025）》（下稱《報(bào)告》）。新能源汽車以“三電”系統(tǒng)為核心，相比傳統(tǒng)燃油汽車，存在更多電安全方面的新問題新挑戰(zhàn)?！秷?bào)告》指出，新能源汽車行業(yè)競爭加劇，部分新技術(shù)沒有得到充分驗(yàn)證就量產(chǎn)上車，為行業(yè)發(fā)展留下了潛在安全風(fēng)險(xiǎn)隱患。《報(bào)告》中還分析了我國新能源汽車發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個(gè)維度的 NESTA 電安全技術(shù)驗(yàn)證體系。

發(fā)表于：4/28/2025

臺(tái)積電升級(jí)CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計(jì)算芯片越來越龐大，臺(tái)積電也在想盡辦法應(yīng)對(duì)，如今正在深入推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，號(hào)稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級(jí)別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺(tái)積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺(tái)積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺(tái)積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計(jì)算模塊和多個(gè)HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點(diǎn)深度剖析1、晶體管技術(shù)升級(jí)：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025

傳Intel 18A制程將獲英偉達(dá)博通等廠商訂單

4月25日消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，英特爾即將量產(chǎn)的最尖端制程工藝Intel 18A在獲得內(nèi)部產(chǎn)品采用的同時(shí)，也將獲得包括英偉達(dá)(Nvidia)、博通(Broadcom)在內(nèi)的幾家ASIC廠商的代工訂單。

發(fā)表于：4/25/2025

三星將逐步停產(chǎn)HBM2E 轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

DDR4之后三星將逐步停產(chǎn)HBM2E：轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

發(fā)表于：4/25/2025