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EDA與制造相關(guān)文章

三星電子芯片法案補貼縮水原因曝光

12 月 26 日消息，美國商務(wù)部此前于當?shù)貢r間 12 月 20 日正式宣布，將根據(jù)《CHIPS》法案激勵計劃提供高達 47.45 億美元

發(fā)表于：12/27/2024

韓國啟動全球最大半導(dǎo)體園區(qū)建設(shè)

2024年12月26日，韓國國土交通省正式宣布將龍仁半導(dǎo)體集群指定為國家產(chǎn)業(yè)園區(qū)，并計劃加快建設(shè)這個“全球最大的半導(dǎo)體園區(qū)”，目標是在2030年前實現(xiàn)第一座晶圓廠順利進行首次運營，并及時完善道路、水和電力等基礎(chǔ)設(shè)施。當天三星電子在龍仁市三星電子器興園區(qū)舉行了成功推進龍仁半導(dǎo)體集群國家產(chǎn)業(yè)園區(qū)指定實施協(xié)議的簽署儀式。

發(fā)表于：12/27/2024

國產(chǎn)DRAM的市場份額有望快速升至15％

12月27日消息，最近，中國自主DDR5 DRAM內(nèi)存芯片投產(chǎn)并商用落地的消息，在業(yè)內(nèi)引發(fā)震動?；蹣s科技總經(jīng)理茍嘉章坦言，中國產(chǎn)DRAM的市場份額有望快速升至15％，對全球DRAM市場是一個極大的變數(shù)。茍嘉章表示，CMXT現(xiàn)階段對外供應(yīng)仍以LPDDR4為主，LPDDR5、DDR5都才剛開始但，預(yù)計明年中期就會大規(guī)模出貨LPDDR5，深入手機領(lǐng)域(包括小米、傳音等)，DDR5也會快速上量。對此，三星、SK海力士、美光三大原廠都在密切關(guān)注，并承認明年的DRAM市場會有不少變數(shù)。

發(fā)表于：12/27/2024

2024年富士康將成為全球最大服務(wù)器供應(yīng)商

市調(diào)機構(gòu)Omdia在報告中指出，富士康憑借其ODM直接業(yè)務(wù)的迅猛增長，特別是在來自美國最大云廠商對AI優(yōu)化服務(wù)器的需求推動下，將于2024年超越戴爾，成為全球最大的服務(wù)器廠商。

發(fā)表于：12/27/2024

歐盟批準Diamond Foundry西班牙金剛石晶圓工廠補貼

12 月 26 日消息，歐盟委員會當?shù)貢r間 16 日批準了西班牙政府對 Diamond Foundry 位于該國西部特魯希略的金剛石晶圓制造廠的 8100 萬歐元補貼。

發(fā)表于：12/27/2024

ASML：中國芯片制造技術(shù)落后西方10-15年

ASML CEO專訪：中國芯片制造技術(shù)落后西方10-15年！

發(fā)表于：12/27/2024

日本政府擬編制3328億日元先進半導(dǎo)體支持預(yù)算

據(jù)日媒 NHK、時事通信社當?shù)貢r間 24 日報道，日本財務(wù)省和經(jīng)產(chǎn)省在關(guān)于日本政府 2025 財年（起始于明年 4 月）預(yù)算案的部長級會談中達成一致，同意撥款 3328 億日元（IT之家備注：當前約 154.6 億元人民幣）支持先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。這筆資金將部分用于支持先進芯片制造商 Rapidus的設(shè)施建設(shè)和日常運行。Rapidus 正在建設(shè)其首座 2nm 工藝晶圓廠 IIM-1，目標 2025 年 4 月實現(xiàn)試產(chǎn)，2027 年量產(chǎn)。

發(fā)表于：12/27/2024

三星重組先進封裝供應(yīng)鏈

12月25日消息，據(jù)韓國媒體ETnews援引業(yè)內(nèi)消息人士報道稱，三星電子為了加強其半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)的競爭力，正在檢查其當前的供應(yīng)鏈，包括材料、零件和設(shè)備（細分）等都要“從頭開始審查”，預(yù)計將重組其先進封裝供應(yīng)鏈，從開發(fā)階段到購買階段都會發(fā)生變化。

發(fā)表于：12/26/2024

獨家供應(yīng)RTX 50的三星GDDR7顯存技術(shù)揭秘

12月26日消息，RTX 50系列顯卡即將發(fā)布，一大賣點就是升級GDDR7顯存，而在桌面上將全部由三星提供，筆記本上三星依然是主力。三星等廠商在GDDR7顯存上首次使用了PAM3信號技術(shù)，即三級脈沖振幅調(diào)制。它不僅大幅提升了數(shù)據(jù)傳輸效率和帶寬，還為多種顯示、游戲、汽車、AI機器學習等高性能應(yīng)用場景帶來了顯著的革新，標志著計算機圖形領(lǐng)域的一次重大飛躍。 GDDR7顯存還支持雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，加上優(yōu)化功耗，能效提高了20％，待機功耗降低多達50％。通過引入全新的封裝材料、優(yōu)化的電路設(shè)計，GDDR7的熱阻也降低了70％，可以有效避免過熱。

發(fā)表于：12/26/2024

三星與臺積電開啟下一代FOPLP封裝材料之爭

三星與臺積電開啟下一代 FOPLP 封裝材料之爭：三星堅守塑料、臺積電押注玻璃

發(fā)表于：12/26/2024

消息稱SK海力士加速準備16Hi HBM3E量產(chǎn)

12 月 25 日消息，韓媒 ETNews 表示，SK 海力士已加速展開其全球首創(chuàng)的 16Hi（注：即 16 層堆疊）HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作，全面生產(chǎn)測試現(xiàn)已啟動，為明年初的出樣乃至 2025 上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)打下基礎(chǔ)。

發(fā)表于：12/26/2024

英偉達RTX 5090 PCB板曝光

12月25日，據(jù)稱是英偉達（NVIDIA）最新的GeForce RTX 5090顯卡的PCB照片在Chiphell論壇曝光，顯示了RTX 5090顯卡所采用的Blackwell GB202 GPU面積相比上代大幅增加，同時還配備了大量的GDDR7顯存。

發(fā)表于：12/26/2024

華海清科擬以10.045億元收購芯崳半導(dǎo)體82%股權(quán)

華海清科擬以10.045億元收購芯崳半導(dǎo)體82%股權(quán)

發(fā)表于：12/26/2024

SIA發(fā)布關(guān)于美政府對中國芯片產(chǎn)業(yè)301條款調(diào)查的聲明

12月23日，美國貿(mào)易代表辦公室宣布對中國成熟制程芯片發(fā)起301條款調(diào)查。對此，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）總裁兼首席執(zhí)行官 John Neuuffer發(fā)布聲明回，內(nèi)容涉及拜登政府決定發(fā)起 301 條款貿(mào)易調(diào)查，重點關(guān)注中國與針對半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位相關(guān)的行為、政策和做法。

發(fā)表于：12/25/2024

SIA：中國廠商不買和慎用美芯片的建議令人不安

面對美國對中國半導(dǎo)體的各種打壓，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）CEO表示，最近中國呼吁限制采購美國芯片，以及有關(guān)美國芯片‘不再安全或可靠’的說法尤其令人不安。這位CEO直言：“為了保持美國在世界經(jīng)濟和技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，我們必須在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，并為芯片生產(chǎn)中所使用的關(guān)鍵上游材料建立彈性供應(yīng)鏈。” 趕在卸任前，現(xiàn)任美國總統(tǒng)宣布，對中國制造的“傳統(tǒng)”半導(dǎo)體進行最后一刻的貿(mào)易調(diào)查，這可能會對來自中國的芯片征收更多美國關(guān)稅，這些芯片用于汽車、洗衣機和電信設(shè)備等日常用品。

發(fā)表于：12/25/2024

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