11月26日消息，據(jù)韓國媒體Thelec報(bào)道，韓國智慧財(cái)產(chǎn)振興院（KIPRO）研究員Kim In-soo 接受其采訪時(shí)表示，雖然韓國存儲芯片廠商在制造與堆疊HBM方面表現(xiàn)優(yōu)異，并占據(jù)大半HBM市場，但原物料與設(shè)備卻過度依賴海外公司，加上韓國企業(yè)缺乏與HBM相關(guān)的混合鍵合核心專利，可能讓他們在未來面臨專利訴訟風(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù)KIPRO 分析，臺積電以及美國的Adeia 是HBM制造所需的混合鍵合技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。 Kim In-soo 表示，其研究團(tuán)隊(duì)利用AI 技術(shù)審查2003年到2022年之間，在韓國、美國、日本、歐洲與中國公開的超過10000件相關(guān)專利，發(fā)現(xiàn)從專利質(zhì)量與市場價(jià)值來看，Adeia 擁有最具價(jià)值的專利。

Adeia 擁有從Ziptronix 取得的直接鍵合互連與低溫直接鍵合等核心技術(shù)專利，并通過旗下Invensas 與Tessera 等公司，也已取得大量混合鍵合專利組合。

另根據(jù)K-PEG 評級，臺積電擁有A3 等級以上的高品質(zhì)專利數(shù)量中排名第一，三星則排名第二，美光和IBM 緊追在后。報(bào)導(dǎo)還稱，臺積電的SoIC 技術(shù)具高價(jià)值。

目前中國也在存儲領(lǐng)域的專利也在快速增長，例如長江存儲也掌握包括Xtacking 在內(nèi)的核心技術(shù)。這些專利橫跨韓國、美國、日本、歐洲與中國注冊，意味著韓國企業(yè)可能隨時(shí)卷入專利訴訟。

Kim In-soo 指出，雖然韓國持有第二大規(guī)模HBM 相關(guān)專利，但其質(zhì)量與影響力“低于平均水平”，因?yàn)轫n國在核心設(shè)備與材料上仰賴進(jìn)口，對國內(nèi)企業(yè)構(gòu)成風(fēng)險(xiǎn)。相關(guān)公司目前可能仍傾向通過不公開的協(xié)商方式簽訂授權(quán)協(xié)議，但從2026年混合鍵合開始商業(yè)化后，這些問題可能最終演變成訴訟。

值得一提的是，今年2月，三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進(jìn)行制造。

而三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響。