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用于多机协同平台的高隔离度收发一体射频装置

针对多机协同平台的通信需求，提供了一种高隔离度、宽动态、快速响应的收发一体射频装置设计方法。介绍了收发一体机的射频电路架构设计，从工程应用角度详细分析了AGC电路、隔离度、线性度等关键技术指标。研制了一种高隔离度的收发一体4×2射频开关矩阵，通过装机测试试验，收发隔离度指标大于99 dB，接收动态范围大于65 dB，收发一体射频装置的各项射频指标可靠稳定，满足多机通信使用需求，为后续多机数据交换设备的研制提供了参考。

發(fā)表于：2025/6/19

Qorvo推出全新紧凑型解决方案QPQ3550和QPA9862

近日，全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）推出两款先进的射频组件，专为满足5G大规模多输入多输出（mMIMO）和固定无线接入（FWA）部署中对更高性能、更高集成度和更紧凑射频设计的需求而量身定制。

發(fā)表于：2025/6/19

恩智浦发布新一代NTAG X DNA NFC互联标签，实现安全身份验证

中国上海——2025年5月28日——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出新一代Type 4安全互联NFC标签——NTAG X DNA。

發(fā)表于：2025/5/29

美国宣布禁止“存在安全风险”中国实验室提供FCC认证

当地时间2025年5月22日，美国联邦通信委员会（FCC）以4:0表决通过了新规定，以阻止和消除中国和其他不值得信任的行为者对进入美国销售的无线设备检测认证授权过程的控制权。这些规则将确保数百个设备测试实验室和电信认证机构——负责测试、审查和认证在美国进口、营销和销售的无线电子设备的实体——不拥有构成国家安全风险的所有权利益，包括他们可能会被外国对手竞标的风险。

發(fā)表于：2025/5/26

【热门活动】2025中国西部微波射频技术研讨会

“2025中国西部微波射频技术研讨会，暨第三十届国际电子测试测量研讨会”继续由《电子技术应用》与中国电子展组委会共同策划，邀请了国内外先进半导体厂商、测试测量厂商、资深技术专家，助力设计人员深入了解微波/射频设计及测试中使用的技术和技巧，切实解决工程师们遇到的特殊设计难题！

發(fā)表于：2025/5/23

2025年Q1全球微波传输市场表现强劲

北京时间5月21日消息，根据市场研究公司Dell'Oro Group最新发布的报告，全球微波传输市场在2025年第一季度延续同比增长态势，实现强劲同比增长。

發(fā)表于：2025/5/22

罗德与施瓦茨和盖瑞特联合开发高安全等级安检应用集成解决方案

　　盖瑞特（Garrett）将其步行通过式金属探测器与罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）QPS201毫米波安检仪进行集成。该联合解决方案特别适用于监狱等高风险场景，以及贵金属行业的防损应用。QPS201采用先进的毫米波（mmWave）技术，能够检测各类材质的物品。而在高安保等级的安检场景中，盖瑞特Paragon步行通过式金属探测器通过识别极其微小或体内藏匿的金属威胁，为毫米波检测提供了独特补充，从而为防范隐蔽携带物品提供了更多安全保障层级。

發(fā)表于：2025/5/16

EMV 2025：罗德与施瓦茨推出新型天线

　　在斯图加特举办的EMV 2025展会上，罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）首次推出了其高性能的R&S HF1444G14高增益EMI微波天线。这款天线覆盖了14.9 GHz至44 GHz的频率范围，完全符合CISPR 16-1-4和CISPR 16-2-3标准的要求。凭借其精密的机械结构和可选的独立校准，R&S HF1444G14成为电磁干扰（EMI）测量的理想选择。该产品的推出不仅顺应了行业向更高频率发展的趋势，还显著提升了在小型暗室中对大型物体的测试效率，进一步简化了测试流程。

發(fā)表于：2025/5/16

Ka频段小型化气密宽带功放组件研制

介绍了一种Ka频段小型化气密宽带功放组件的工程实现。使用16片GaN功率芯片，1片GaAs驱动芯片，同时采用微带环形电桥功分器与波导功分/合成网络相结合的方式进行功率合成，采用同轴探针式波导气密封电路与射频腔体激光封焊对功放模块射频电路进行整体气密封装以避免盐雾和低气压等环境对功放可靠性的影响。最终得到的功放组件在25~31 GHz的宽工作频带内连续波饱和输出功率大于140 W，同时使用翅片散热器的强制风冷方案，提高了散热器的换热效率，散热性能良好。功放技术状态稳定，可靠性及实用性满足工程使用要求，适用于测控、通信、电子对抗等领域的微波发射系统。

發(fā)表于：2025/5/15

基于Kriging插值的天线近场测量误差修正方法

随着天线技术的不断发展，近场测量技术的重要性也在不断增加，近场测量过程中部分探头故障或者采样点间隔过大会导致外推的远场方向图误差较大，为了减少这些误差，提出了一种基于Kriging插值的天线近场测量误差降低方法。首先，在HFSS中对矩形口径喇叭天线进行仿真。随后，将采样间隔为1°的近场数据与采样间隔为6°的近场数据进行近远变换并对比。在采样间隔6°的基础上，随机减少30%的采样点，并通过Kriging插值法填补缺失的数据，进行近远场变换，并与仿真远场结果进行对比。插值后的误差与插值前的误差相比，E面减少了1.65 dB，H面减少了4.93 dB，同时采样点数减少了30%。结果表明，基于Kriging插值的近场数据修正方法能够在近场采样间隔过大时有效减少测量误差，且在部分探头故障时也能保持较高精度。

發(fā)表于：2025/5/15

意法半导体ST25R系列高性能NFC读卡器新增车规产品，目标应用主打汽车数字钥匙

2025年4月24日，中国 —— 意法半导体ST25R系列NFC读卡器推出两款唤醒速度和检测距离俱佳的车规新产品，提升用户体验。

發(fā)表于：2025/4/24

基于开口环谐振器的二维线性位移微波传感器

采用微波技术测量位移的方法，设计了一种基于开口环谐振器（Split Ring Resonator，SRR）的二维线性位移微波传感器。传感器由定子与动子两部分构成，其中定子由两组不同尺寸的SRR耦合一条传输微带线构成，动子采用单面覆铜的FR-4介质基板制成。动子二维移动时两个SRR的谐振频率将发生变化，传输零点也产生对应偏移，从而建立起位移和传输零点的关系。此外通过对SRR加载缺陷地结构，提高了检测灵敏度。经电磁建模和仿真，传感器在1 GHz至3.2 GHz范围内产生两个传输零点，可在x和y方向表征0~6 mm的位移，灵敏度分别为122 MHz/mm和82 MHz/mm。制作并测试了传感器实物，实测与仿真的数据基本吻合，证实了该传感器设计的有效性。

發(fā)表于：2025/4/22

K波段跨导增强双路噪声抵消低噪声放大器

为满足通信系统发展对高性能硅基低噪声放大器的需要，提出了一种跨导增强双路噪声抵消电路拓扑，能对晶体管噪声进行抵消，以实现良好的噪声性能。共栅路径中引入的跨导增强结构进一步改善了增益与噪声性能。基于以上拓扑设计了一款K波段低噪声放大器，由共栅与共源两条路径组成，两者互为反馈支路，通过两路合成实现双路的噪声抵消。电路采用90 nm CMOS SOI工艺设计，芯片核心尺寸为500 μm×280 μm。仿真结果表明，在17~22 GHz频带内实现了1.61~1.87 dB的噪声系数和15.8 dB的峰值增益，1 dB压缩点输入功率为-4.3 dBm，体现了较好的噪声性能与线性增益。

發(fā)表于：2025/4/22

一种陡峭截止的曲面三阶带通频率选择表面天线罩设计

针对传统频率选择表面（ Frequency Selective Surface，FSS）天线罩存在结构剖面高以及带外截止性能不足等问题，提出了一种K波段具有带外陡峭截止的低剖面带通型FSS天线罩设计方法。该方法通过采用多层非谐振型FSS单元结构及其电磁强耦合设计，实现了K波段三阶带通频率选择滤波特性。该天线罩不仅具有极低的剖面，而且实现了通带到阻带的快速陡峭过渡。进一步采用多层电路板压合技术和天线罩敷制工艺加工了该K波段曲面FSS天线罩样件，不仅保证了天线罩的图案加工精度，同时也确保了复杂曲面成型精度。最后，进行了天线罩传输特性及对天线方向图影响的测试验证，测试结果与设计结果吻合较好，证明了设计方法的可行性。

發(fā)表于：2025/4/22

19~21 GHz GaAs高线性功率放大器MMIC

基于0.15 μm GaAs高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中，功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路，以补偿放大器辐相失真特性，进而实现线性度和效率的提升，为克服冷模对电压敏感问题，采用片上有源稳压及温度补偿偏置电路扩展动态范围，降低大动态失真，抑制工艺离散、外部离散等带来的线性度恶化问题。测试结果表明，在19~21 GHz频带内，饱和输出功率为22.3~22.8 dBm，饱和功率附加效率为35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz频点，输出功率19 dBm时，三阶互调失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下，平均输出功率及对应的功率附加效率为19 dBm和27%，实现了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的邻道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的误差矢量幅度。

發(fā)表于：2025/4/22