頭條 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中，高度安全的数据存储是必不可少的，尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。 最新設(shè)計(jì)資源 mos管和三极管相比优缺点?[模拟设计][汽车电子] 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 發(fā)表于：2017/10/16 IGBT模块工作原理以及检测方法[模拟设计][汽车电子] IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 發(fā)表于：2017/10/16 双极性晶体管[模拟设计][其他] 因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。 發(fā)表于：2017/10/16 晶体管是怎样制造出来的[模拟设计][其他] 晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。它是一种用来对电路信号进行处理的元件，当然电路光有晶体管不行，还得要其他元件配合才能完成一定的电路功能。下面我就来谈谈晶体管的制造过程: 發(fā)表于：2017/10/16 基于参考信号接收功率预测和负载的切换算法[通信与网络][通信网络] 针对密集异构网络中用户更容易发生频繁切换的问题，提出了一种基于参考信号接收功率(Reference Signal Received Power，RSRP)预测和负载的自适应切换算法，它不仅从用户的角度考虑了RSRP，而且从网络的角度考虑了基站的负载，同时还针对切换过程中用户的移动性和信道的时变性对RSRP产生的影响，对RSRP进行预测，从而使用户切换到更加合适的目标基站。仿真结果表明，相比于当前的切换算法，所提的切换算法能够获得更低的中断概率和乒乓切换率以及更高的吞吐量。 發(fā)表于：2017/10/16 基于跨平台的实时数据处理系统的设计[嵌入式技术][数据中心] 设计实现了一款实时数据处理系统，是SCADA（数据采集与监视控制系统）的数据核心。在基于国产软硬件平台的基础上，采用跨平台的架构设计，介绍了实时数据处理系统的功能及设计实现。该实时数据处理系统采用在共享内存中创建多个队列的方式存放输入和输出的数据，既方便多个进程同时存取数据，又保证了数据处理的实时性。 發(fā)表于：2017/10/16 CMOS管和双极晶体管的区别（JFET类型）[模拟设计][汽车电子] 即使是夹住氧化膜（O）的金属（M）与半导体（S）的结构（MOS结构），如果在（M）与半导体（S）之间外加电压的话，也可以产生空乏层。再加上较高的电压时，氧华膜下能积蓄电子或空穴，形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。 發(fā)表于：2017/10/13 对消处理技术在宽带频谱感知中的应用研究[MEMS|传感技术][工业自动化] 在高斯噪声背景假设条件下，能量检测的频谱感知性能最优且易于工程实现，但在非高斯噪声背景下，其感知性能大大下降甚至无效。针对这一问题，利用对消处理方法来提高能量检测在非高斯噪声下的频谱感知性能，通过将检测统计量与先验背景噪声进行对消预处理，在降低噪声非高斯度的同时提高了统计量的信噪比，从而提高了检测概率，并进一步提高了宽带频谱感知性能。利用USRP、GNURADIO和MATLAB设计并实现了频谱感知平台，同时验证了该算法的可行性。 發(fā)表于：2017/10/13 热电堆型总辐射传感器设计与温漂误差修正[MEMS|传感技术][工业自动化] 总辐射是气象探测、太阳能资源利用等领域中的一种重要测量参数。针对环境温度会影响总辐射测量准确度的问题，提出了一种基于热电效应的总辐射传感器设计，利用计算流体动力学方法对该传感器探头进行了流-固耦合传热分析。设计了一种高精度温度测量电路，搭建了测试平台，对-20 ℃~40 ℃范围的传感器温度特性进行了测试，并提出了一种利用BP神经网络算法消除环境温度引起的总辐射测量误差的方法。实验结果表明，该热电堆型总辐射传感器的读数精度可达2.79%，在气象探测、光伏电站等领域具有一定的应用潜力。 發(fā)表于：2017/10/13 MOS管的几种效应[模拟设计][汽车电子] 1 沟道长度调制效应（channel length modulation） MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。 發(fā)表于：2017/10/12 MOS管参数解释[模拟设计][其他] MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 發(fā)表于：2017/10/12 MOS管 基础知识与应用[模拟设计][汽车电子] MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 發(fā)表于：2017/10/12 MOS管的好坏判断[模拟设计][汽车电子] 主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S 万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。 發(fā)表于：2017/10/12 三极管和MOS管的区别是什么[模拟设计][其他] 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时， 發(fā)表于：2017/10/12 为何IT8300给电源测试系统提供了最佳方案？[电源技术][工业自动化] 电子负载常用于在电源或其他电能转换设备的产品设计和生产试验中，包括电机驱动器和逆变器。负载一般有两种形式：由功率电阻组成的基础负载和使用主动电路用以动态模拟负载变化的电子负载。负载常用于老化测试进而确定产品早期故障，作为生产测试的一个重要环节。电子负载常被整合到自动测试系统中。测试报告要么被存在本地或者通过电脑接口上传，这样测试数据可以被进一步处理或用于存档。 發(fā)表于：2017/10/12 <…411412413414415416417418419420…>
