12 月 15 日消息，據(jù)韓國 Chosunbiz 今日報道，三星電子在高帶寬存儲器 HBM 領(lǐng)域迎來關(guān)鍵進(jìn)展。此前近 2 年在性能和良率方面始終難以穩(wěn)定的 HBM3E 12 層堆疊產(chǎn)品，現(xiàn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)級別的穩(wěn)定表現(xiàn)，并有望顯著擴(kuò)大供貨規(guī)模。

▲ 圖源三星

產(chǎn)業(yè)消息稱，負(fù)責(zé)谷歌 TPU 芯片設(shè)計的博通，正在討論提高三星電子 HBM3E 12 層產(chǎn)品的供應(yīng)比重。谷歌已在第 7 代 TPU 中同時采用三星電子與 SK 海力士的 HBM3E 8 層產(chǎn)品，而在性能進(jìn)一步強(qiáng)化的改良版 TPU 7E 中，計劃直接搭載 HBM3E 12 層。目前相關(guān)產(chǎn)品正處于量產(chǎn)測試階段，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為兩家廠商在性能指標(biāo)上已接近同一水平。

從報道中獲悉，因此，三星電子也有望成為博通的首選供應(yīng)商。

過去一年，三星電子的 HBM3E 12 層產(chǎn)品始終未能通過“最大買家”英偉達(dá)極為嚴(yán)格的質(zhì)量測試，這也是三星電子在全球 HBM 市場長期落后于 SK 海力士的重要原因之一。

為扭轉(zhuǎn)局面，三星在負(fù)責(zé) DRAM 開發(fā)的黃尚?。ㄒ糇g）主導(dǎo)下，對 HBM 所使用的 DRAM（D1a）進(jìn)行了重新設(shè)計，并在今年通過與博通的深度合作，逐步實(shí)現(xiàn)性能與良率的穩(wěn)定。

HBM3E 12 層與 8 層產(chǎn)品在盈利能力和應(yīng)用價值上差距明顯。三星電子一位高層人士透露，在過去爭取英偉達(dá) HBM 主力供應(yīng)商資格時，三星電子管理層曾親自拜訪英偉達(dá) CEO 黃仁勛。黃仁勛當(dāng)時明確表示，如果希望成為優(yōu)先供應(yīng)商，最新 HBM 產(chǎn)品必須采用 12 層堆疊結(jié)構(gòu)。該人士指出，HBM3E 12 層對于提升 GPU 性能以及支撐大語言模型運(yùn)行具有決定性意義。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，三星能夠在 HBM3E 12 層上取得突破，與博通的合作發(fā)揮了重要作用。與英偉達(dá)持續(xù)要求存儲廠商反復(fù)重構(gòu)設(shè)計、將性能推向極限不同，博通更強(qiáng)調(diào)滿足客戶規(guī)格需求，自行完成 SoC 設(shè)計，因此對 HBM 供應(yīng)商的測試壓力相對較小。

一位博通工程師表示，業(yè)界將博通視為英偉達(dá)對手的看法并不完全準(zhǔn)確，“對了一半”。該工程師指出，博通更接近一家以設(shè)計效率和成本控制為核心的設(shè)計公司，通過為谷歌等客戶以合理成本定制芯片，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定利潤。這種模式也使博通更青睞報價更具彈性、供貨規(guī)模更靈活的三星電子，同時增強(qiáng)對 SK 海力士的價格談判能力。

為縮小在 HBM3E 市場的差距，三星電子在性能提升與價格策略上明顯更加靈活。業(yè)內(nèi)消息稱，三星 HBM3E 的供貨單價較 SK 海力士同類產(chǎn)品低約 20%，這一因素正在重塑 HBM 供應(yīng)格局。