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存储器短缺预计在2028年前难以得到缓解

2026-01-13
來源:快科技
關(guān)鍵詞: 美光 存储芯片 DRAM 内存

1月13日消息,據(jù)wccftech報道,美光科技高管近日表示,盡管行業(yè)已進(jìn)行大規(guī)模投資,但內(nèi)存短缺問題預(yù)計在2028年前難以得到緩解。

當(dāng)前DRAM需求正發(fā)生結(jié)構(gòu)性變化,這成為理解供應(yīng)緊張的關(guān)鍵。數(shù)據(jù)中心與AI相關(guān)需求已從過去占DRAM市場的30%–40%快速上升至50%甚至60%,導(dǎo)致全行業(yè)面臨產(chǎn)能不足的挑戰(zhàn),而非單一廠商的資源分配問題。

美光科技移動與客戶端業(yè)務(wù)部門營銷副總裁Christopher Moore指出,這是包括所有主要內(nèi)存廠商在內(nèi)的行業(yè)性制約。在AI數(shù)據(jù)中心集中擴(kuò)張的背景下,任何廠商都難以忽視這一需求變化。

針對美光退出Crucial品牌后“將退出消費市場”的質(zhì)疑,公司回應(yīng)稱,其消費市場布局主要通過OEM合作實現(xiàn)。美光仍直接向戴爾、華碩等整機(jī)制造商供應(yīng)LPDDR和DDR模塊,并通過整機(jī)集成進(jìn)入終端市場。

Moore透露,美光三年前在美國愛達(dá)荷州啟動建設(shè)的ID1晶圓廠,雖已將投產(chǎn)時間從2027年底提前至2027年中,但從設(shè)備導(dǎo)入、工藝爬坡到客戶認(rèn)證仍需較長時間,新增產(chǎn)能形成規(guī)模出貨尚需等待。

他認(rèn)為,只有在新產(chǎn)線全面通過認(rèn)證并穩(wěn)定運行后,內(nèi)存市場的供需關(guān)系才可能迎來實質(zhì)性改善,而這一節(jié)點更可能落在2028年。


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