2 月 20 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（2 月 19 日）發(fā)布博文，報道稱三星、SK 海力士和美光三大存儲巨頭為抓住行業(yè)“超級周期”，正掀起建廠狂潮。

美光在紙面上的投資計劃最為龐大。據(jù)《華爾街日報》報道，美光計劃投入 2000 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 1.38 萬億元人民幣）用于新項目，其中包括在美國愛達荷州博伊西建設(shè)占地 450 英畝的園區(qū)。該園區(qū)將擁有全美最大的潔凈室，包含兩座晶圓廠。

圖源：美光

基于 60 萬平方英尺的潔凈室規(guī)模估算，博伊西工廠的月產(chǎn)能（WPM）可達 15 萬至 20 萬片晶圓，這將使美光的全球總產(chǎn)量提升 40%。此外，美光還在紐約州規(guī)劃投資約 1000 億美元，計劃建設(shè)四個潔凈室。

據(jù)《朝鮮日報》報道，SK 海力士位于龍仁的半導(dǎo)體集群項目總投資達 850 億美元，其首座晶圓廠從原定的 5 月，提前至今年 2 月或 3 月開始試產(chǎn)。

三星也調(diào)整了平澤 P4 工廠的計劃，將完工時間從明年一季度提前至 2026 年第四季度，P4 工廠預(yù)計將提供 10 萬至 12 萬片晶圓的月產(chǎn)能。

不過該媒體也指出，由于 AI 產(chǎn)品對 DRAM 的需求，三大存儲巨頭大幅擴張產(chǎn)能，但普通消費者很難從中受益。原本主要用于消費電子（如手機）的 LPDDR 標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)在正被英偉達大量用于其機架級 AI 產(chǎn)品中。此外，智能體 AI（Agentic AI）對內(nèi)存帶寬要求極高，促使制造商優(yōu)先生產(chǎn) HBM（高帶寬內(nèi)存）和 SOCAMM 模塊。因此，新增的產(chǎn)能將主要用于填補 AI 領(lǐng)域的巨大缺口，消費級市場的內(nèi)存短缺問題在短期內(nèi)仍將持續(xù)。