1月23日消息，據(jù)韓國媒體Thelec報道，三星電子第七代高帶寬內(nèi)存HBM4E 已完成基底芯粒（base die）的前段設(shè)計，并正式進入后段（back-end）實體設(shè)計階段，距離投片再向前邁進一步。

所謂后段設(shè)計，是指在完成芯片的RTL（寄存器傳輸層）邏輯設(shè)計后，進行實體電路配置與布線的關(guān)鍵階段。完成后，相關(guān)設(shè)計數(shù)據(jù)將交由晶圓代工廠進行投片準(zhǔn)備，進入實際制造流程。而據(jù)此前的消息顯示，預(yù)計將會采用三星自家的2nm制程代工。

HBM 的基底芯粒位于整個模塊最底層，負責(zé)管理上層堆疊DRAM 的數(shù)據(jù)讀寫速度、錯誤修正與信號穩(wěn)定性，被視為決定HBM 性能與可靠度的關(guān)鍵核心。隨著AI 與數(shù)據(jù)中心客戶需求提升，HBM 基底芯粒已不再只是單純控制元件，而是必須整合更多邏輯功能，以符合不同客戶的系統(tǒng)架構(gòu)需求。因此，自HBM4E開始，三星、SK海力士都計劃導(dǎo)入基于邏輯制程的基底芯粒，以便為客戶提供符合他們特定需求的基于邏輯基底芯粒的HBM4E。

報道指出，三星近期已重新擬定HBM 產(chǎn)品開發(fā)藍圖，并要求供應(yīng)鏈伙伴于3月前提交對應(yīng)供應(yīng)規(guī)劃。新藍圖涵蓋HBM4、HBM4E 與HBM5 的開發(fā)與量產(chǎn)時程，反映三星正加速HBM 商用化進度，并同步拉高定制化比重。

消息人士指出，HBM4 以前仍屬相對通用型產(chǎn)品，但自HBM4E 與HBM5 開始，產(chǎn)品設(shè)計將高度依賴客戶需求調(diào)整，基底芯粒的邏輯設(shè)計與代工廠之間的協(xié)同開發(fā)，將成為關(guān)鍵競爭力之一。

目前，三星正同步優(yōu)化HBM4E 基底芯粒的EDA 工具環(huán)境。參與I/O 設(shè)計的副總裁Daihyun Lim是為內(nèi)存接口電路設(shè)計專家，2023年加入三星，曾任職于IBM 與GlobalFoundries。

據(jù)了解，定制化HBM4E 基底芯粒由1c DRAM 制程HBM4 的原班團隊主導(dǎo)，后續(xù)也將接手HBM5 的基底芯粒設(shè)計工作。

自HBM4起，三星即采取雙軌研發(fā)模式，分別負責(zé)標(biāo)準(zhǔn)型HBM 與定制化HBM。其中，定制化團隊主要服務(wù)谷歌、Meta 與英偉達等大型AI 客戶，近期更擴編。按照規(guī)劃，HBM4E 預(yù)計于2027年推出，HBM5 則計劃于2029年推出。