4月22日消息，據(jù)韓國媒體IT Chosun報道，三星電子在獲得試產(chǎn)前批準（PRA）后，于今年一季度進行1d DRAM（第七代10nm級制程）的試產(chǎn)，但因良率未達內(nèi)部目標，恐將無限期延后下一代HBM內(nèi)存的量產(chǎn)計劃。

三星電子內(nèi)部人士透露，在1d DRAM良率達標前，已無限期延后量產(chǎn)，目前尚未確定恢復(fù)時間，“他們正專注于全面檢視制程路線圖，以進一步提升良率”。另一方面，三星電子高層也對1d DRAM芯片的良率和投資回報進行評價，最終確認目前不適合量產(chǎn)，也不強行推進生產(chǎn)線運作。

根據(jù)預(yù)計，三星電子的1d DRAM技術(shù)將在未來HBM藍圖中扮演關(guān)鍵角色，預(yù)計將應(yīng)用于三星第九代HBM產(chǎn)品HBM5E。

1c DRAM將應(yīng)用于三星的三代HBM產(chǎn)品，包括HBM4、HBM4E與HBM5，但從HBM5E開始，穩(wěn)定的D1d供應(yīng)至關(guān)重要。其中，HBM4預(yù)計今年稍晚時推出，并搭載于英偉達的Vera Rubin與AMD的MI400平臺；HBM4E則預(yù)期應(yīng)用于Rubin Ultra與MI500加速器。至于HBM5及定制化設(shè)計，則可能導(dǎo)入英偉達Feynman系列及其他AI芯片。

報道指出，由于量產(chǎn)計劃落空，三星電子為該計劃特派的約400名人員組成的1d DRAM量產(chǎn)工作小組實際已處于閑置狀態(tài)。但由于尚未獲得產(chǎn)品驗收批準，關(guān)鍵工程師目前僅在研發(fā)階段進行信息交流。

相比之下，三星電子的競爭對手SK海力士已經(jīng)在1d DRAM技術(shù)上取得了良率突破，目標2026年下半年完成開發(fā)。

目前三星也正加大投資，在韓國溫陽（Onyang）建設(shè)一座大型晶圓廠，規(guī)模相當于四個足球場，將用于生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的下一代DRAM產(chǎn)品。該設(shè)施將負責封裝、測試、物流與質(zhì)量控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，以支撐穩(wěn)定量產(chǎn)。