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工業(yè)自動化最新文章

英飛凌攜手北京市企業(yè)家環(huán)保基金會持續(xù)助力可持續(xù)發(fā)展

【2024年6月17日，中國上海訊】6月12日，第二個(gè)“英飛凌生態(tài)保護(hù)林”揭牌儀式在阿拉善SEE烏蘭布和生態(tài)教育示范基地舉行。此次活動是英飛凌科技（中國）有限公司與北京市企業(yè)家環(huán)保基金會（SEE基金會） “一億棵梭梭”公益項(xiàng)目合作的進(jìn)一步延續(xù)，新增在重度沙化區(qū)種植花棒、檸條、沙拐棗等樹種，通過持續(xù)投入，以切實(shí)幫助當(dāng)?shù)鼗哪乐巍Ｓw凌科技大中華區(qū)首席財(cái)務(wù)官齊米樂先生（Thomas Zimmerle），英飛凌科技大中華區(qū)企業(yè)傳播部負(fù)責(zé)人朱琳女士，SEE基金會秘書長楊彪先生，英飛凌志愿者協(xié)會代表及相關(guān)媒體共同見證了當(dāng)天的揭牌儀式。

發(fā)表于：6/18/2024

日本派200名工程師赴Tenstorrent接受AI芯片培訓(xùn)

日本將派遣200名工程師前往美國Tenstorrent接受AI芯片技術(shù)培訓(xùn)

發(fā)表于：6/18/2024

2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元

2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元

發(fā)表于：6/18/2024

消息稱三星將推出HBM三維封裝技術(shù)SAINT-D

6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。

發(fā)表于：6/18/2024

韓國專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣

6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報(bào)道，韓國專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（

發(fā)表于：6/18/2024

黃仁勛：英偉達(dá)有責(zé)任遵守法規(guī)，會盡力服務(wù)中國客戶

黃仁勛：英偉達(dá)有責(zé)任遵守法規(guī)，會盡力服務(wù)中國客戶！

發(fā)表于：6/18/2024

英特爾投資立訊精密東莞子公司

英特爾投資立訊技術(shù)，產(chǎn)業(yè)鏈人士：將助力立訊敲開北美服務(wù)器市場大門

發(fā)表于：6/18/2024

淺析HBM五大關(guān)鍵門檻

6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點(diǎn)有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場，外媒對此做了一個(gè)綜合性的分析。報(bào)道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項(xiàng)要點(diǎn)：

發(fā)表于：6/18/2024

智源人工智能研究院推出大模型全家桶

智源人工智能研究院推出大模型全家桶智源研究院此次推出的大模型“全家桶”，包括智源多模態(tài)大模型、具身智能大模型、生物計(jì)算大模型等。

發(fā)表于：6/18/2024

國產(chǎn)量子計(jì)算用溫度計(jì)刷新紀(jì)錄

6月17日消息，量子計(jì)算是目前全球主要大國爭相研發(fā)的重點(diǎn)，我國已是世界上第三個(gè)具備量子計(jì)算機(jī)整機(jī)交付能力的國家，國際量子計(jì)算研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。日前，國盾量子宣布自主研發(fā)了氧化釕溫度計(jì)ezQ-RX56。

發(fā)表于：6/18/2024

Ethernet-APL：為流程工業(yè)帶來變革

　　Ethernet-APL（以太網(wǎng)高級物理層）這一關(guān)鍵技術(shù)將實(shí)現(xiàn)所有承諾，并將數(shù)字化帶入加工廠的每一個(gè)角落：在潛在爆炸區(qū)域內(nèi)可以無障礙且可靠地實(shí)現(xiàn)大量數(shù)據(jù)的快速高效通信。

發(fā)表于：6/17/2024

Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET

　　中國北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。

發(fā)表于：6/17/2024

兆易創(chuàng)新亮相SNEC上海光伏展，以“芯”科技助力數(shù)字能源發(fā)展

　　中國北京（2024年6月12日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，將攜多款數(shù)字能源解決方案，參加6月13日-15日在上海國家會展中心舉辦的SNEC第十七屆（2024）國際太陽能光伏與智慧能源（上海）展覽會（展位：5.1H館D535），集中展現(xiàn)其在光伏、儲能和充電樁、工業(yè)及通訊電源等領(lǐng)域的前沿技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。

發(fā)表于：6/17/2024

ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)

可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了

發(fā)表于：6/17/2024

消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn)

消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開工率均已恢復(fù)至 100%

發(fā)表于：6/17/2024

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