工業(yè)自動(dòng)化最新文章 信通院發(fā)布《中國(guó)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評(píng)估報(bào)告（2024年）》 中國(guó)信通院發(fā)布《中國(guó)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評(píng)估報(bào)告（2024年）》 發(fā)表于：7/2/2024 美光2025年欲搶下25%的HBM市場(chǎng) 美光2025年欲搶下25%的HBM市場(chǎng)，SK海力士嚴(yán)陣以待 發(fā)表于：7/2/2024 沒有EUV光刻機(jī)，怎么做5nm芯片？ 沒有EUV光刻機(jī)，怎么做5nm芯片？ 發(fā)表于：7/2/2024 英偉達(dá)在法國(guó)美國(guó)歐盟面臨反壟斷起訴 AMD/英特爾加油了！英偉達(dá)在法國(guó)、美國(guó)、歐盟面臨反壟斷起訴：一家獨(dú)大 發(fā)表于：7/2/2024 HBM旺盛需求帶動(dòng)半導(dǎo)體硅片需求倍增 HBM需求旺盛，帶動(dòng)半導(dǎo)體硅片需求倍增 發(fā)表于：7/2/2024 一汽-大眾將打造超級(jí)無人汽車工廠 用人形機(jī)器人擰螺絲：一汽-大眾將打造超級(jí)無人汽車工廠 發(fā)表于：7/2/2024 臺(tái)積電2025年資本支出有望達(dá)320億美元至360億美元 7月1日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，近期業(yè)內(nèi)傳聞，臺(tái)積電因持續(xù)加碼2nm等尖端制程研發(fā)并擴(kuò)大產(chǎn)能，2025年的資本支出有望同比增長(zhǎng)12.5%至14.3%至320億美元至360億美元，達(dá)到歷年次高。 傳聞指出，臺(tái)積電2nm客戶群需求超乎預(yù)期的強(qiáng)勁，相關(guān)擴(kuò)充產(chǎn)能計(jì)劃也傳將導(dǎo)入南科廠區(qū)，以制程升級(jí)挪出空間。除了蘋果先前率先包下臺(tái)積電2nm首批產(chǎn)能，其他客戶也因AI蓬勃發(fā)展而積極規(guī)劃采用。 對(duì)此，臺(tái)積電2nm產(chǎn)能建置估計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大，竹科寶山可蓋四期、高雄二期，此外還有南科廠區(qū)相關(guān)規(guī)劃若成真，估將有助于臺(tái)積電2nm家族沖刺達(dá)至少八期八個(gè)廠的產(chǎn)能。 發(fā)表于：7/2/2024 Pickering為現(xiàn)有產(chǎn)品增加了額定功率加倍的型號(hào)， 進(jìn)一步提升了常用舌簧繼電器的技術(shù)規(guī)格 高性能舌簧繼電器的領(lǐng)先者Pickering提高了最受歡迎的四個(gè)繼電器系列的額定功率，包括112,113和116系列，以及超高密度4mm2的122系列，以確保工程師在不占用寶貴的PCB空間的情況下，有更多的選擇來搭建更高規(guī)格的開關(guān)系統(tǒng)。 發(fā)表于：7/1/2024 消息稱臺(tái)積電今明兩年將接收超60臺(tái)EUV光刻機(jī) 消息稱臺(tái)積電今明兩年將接收超 60 臺(tái) EUV 光刻機(jī)，相關(guān)投資超四千億新臺(tái)幣 發(fā)表于：7/1/2024 SK海力士公布近750億美元投資計(jì)劃 SK海力士公布近750億美元投資計(jì)劃，80%將用于發(fā)展HBM 發(fā)表于：7/1/2024 東京電子豪擲1.5萬億日元目標(biāo)全球第一半導(dǎo)體設(shè)備制造商 7月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，日本東京電子（TEL）近日宣布將在2025至2029財(cái)年期間投資1.5萬億日元（約合679.83億元人民幣），并計(jì)劃招募一萬名新員工。 這一投資額是上個(gè)五年周期的1.8倍，目標(biāo)就是成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。 東京電子目前是世界第四大半導(dǎo)體設(shè)備制造商，僅次于荷蘭的阿斯麥（ASML）、美國(guó)的應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)。 發(fā)表于：7/1/2024 叫囂對(duì)標(biāo)NVIDIA的國(guó)產(chǎn)芯片公司左江科技宣布退市 叫囂對(duì)標(biāo)NVIDIA的國(guó)產(chǎn)芯片公司退市！300億市值只剩7億 戶均虧39萬 發(fā)表于：7/1/2024 美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM 美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM，計(jì)劃2025年大規(guī)模量產(chǎn) 發(fā)表于：6/28/2024 鎧俠目標(biāo)2027年3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)1000層堆疊 鎧俠雄心壯志，目標(biāo) 2027 年 3D NAND 閃存實(shí)現(xiàn) 1000 層堆疊 發(fā)表于：6/28/2024 第四代半導(dǎo)體金屬鍺價(jià)格飆升 美國(guó)儲(chǔ)量第一不開采 第四代半導(dǎo)體金屬鍺價(jià)格飆升 美國(guó)儲(chǔ)量第一不開采 發(fā)表于：6/28/2024 ?…115116117118119120121122123124…?
