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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

發(fā)表于：9/12/2024

美國(guó)政府將延后對(duì)英特爾的85億美元芯片法案補(bǔ)貼撥款

美國(guó)政府將延后對(duì)英特爾的85億美元“芯片法案”補(bǔ)貼撥款

發(fā)表于：9/12/2024

韓企One Semiconductor宣布量產(chǎn)DDR5第二子代RCD

9 月 11 日消息，韓國(guó) One Semiconductor 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 8 日宣布，成功實(shí)現(xiàn) DDR5 第二子代（IT之家注：支持 5600MT/s）RCD 芯片的開發(fā)與量產(chǎn)，產(chǎn)品已獲一家美國(guó) CPU 制造商認(rèn)證。追趕內(nèi)存接口芯片三大廠，韓 One Semiconductor 量產(chǎn) DDR5 第二子代 RCD 內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域目前由中國(guó)瀾起、美國(guó) Rambus 和日本瑞薩三家企業(yè)主導(dǎo)，其它參與方逐漸淡出市場(chǎng)舞臺(tái)。在 One Semiconductor 之前，坐擁 DRAM 三巨頭之二的韓國(guó)卻沒(méi)有一家能提供內(nèi)存接口芯片的企業(yè)。

發(fā)表于：9/12/2024

京東方MLED生產(chǎn)基地落戶珠海

京東方 MLED 生產(chǎn)基地落戶珠海，預(yù)計(jì)明年一季度全面量產(chǎn)

發(fā)表于：9/12/2024

臺(tái)積電首臺(tái)High-NA EUV將放置在其全球研發(fā)中心

臺(tái)積電全球研發(fā)中心本月將接收首臺(tái)High-NA EUV

發(fā)表于：9/12/2024

兩名前三星員工涉嫌泄露價(jià)值32億美元商業(yè)機(jī)密被捕

9月11日消息，韓國(guó)首爾地方警察廳產(chǎn)業(yè)技術(shù)安全搜查隊(duì)于10日以違反韓國(guó)《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護(hù)法》和《不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)防止法》為由，逮捕了兩名前三星高管，指控他們涉嫌向中國(guó)泄露價(jià)值 32 億美元的三星公司機(jī)密。

發(fā)表于：9/12/2024

美國(guó)眾議院投票通過(guò)了多項(xiàng)針對(duì)中國(guó)科技的法案

美國(guó)眾議院通過(guò)多項(xiàng)法案：擬禁售大疆無(wú)人機(jī)，禁止采購(gòu)6家中企電池顯然，中國(guó)廠商在電動(dòng)汽車所需的動(dòng)力電池領(lǐng)域目前依然是占據(jù)著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，這也引發(fā)了美國(guó)方面的焦慮不安。

發(fā)表于：9/12/2024

數(shù)字孿生在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中的實(shí)踐

數(shù)字孿生作為智能制造關(guān)鍵技術(shù)在工廠極具實(shí)用價(jià)值。通過(guò)在半導(dǎo)體測(cè)試服務(wù)公司建立數(shù)字孿生系統(tǒng)，收集了探針臺(tái)二十多萬(wàn)條報(bào)警數(shù)據(jù)。結(jié)果顯示，超過(guò)90%的報(bào)警已通過(guò)數(shù)字孿生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)程控制解決。為探索報(bào)警處理的最佳方式，進(jìn)一步優(yōu)化數(shù)字孿生模型，并在模型中重現(xiàn)報(bào)警，通過(guò)模擬不同工況，與傳統(tǒng)方式相比，人工操作數(shù)字孿生系統(tǒng)處理報(bào)警可使設(shè)備等待時(shí)間減少64%以上。若采用AI后臺(tái)自行操作數(shù)字孿生系統(tǒng)，設(shè)備等待時(shí)間可繼續(xù)降低78%。這表明人工對(duì)設(shè)備報(bào)警的反應(yīng)時(shí)間是影響設(shè)備等待時(shí)間的關(guān)鍵因素，因此，深化使用數(shù)字孿生模型自動(dòng)化處理報(bào)警可顯著降低設(shè)備等待時(shí)間，提升設(shè)備綜合利用率。

發(fā)表于：9/11/2024

Pickering Interfaces 發(fā)布最新可編程電阻模塊

PXI/PXIe 仿真模塊提供多種電阻范圍和分辨率，以滿足大多數(shù)功能測(cè)試系統(tǒng)的需求

發(fā)表于：9/11/2024

世界先進(jìn)攜手漢磊開發(fā)8英寸碳化硅晶圓

世界先進(jìn)斥資5.5億元認(rèn)購(gòu)漢磊13%股權(quán)，攜手開發(fā)8英寸碳化硅晶圓

發(fā)表于：9/11/2024

微軟聯(lián)合Atom 開發(fā)全球最強(qiáng)量子計(jì)算機(jī)

微軟聯(lián)合Atom 開發(fā)全球最強(qiáng)量子計(jì)算機(jī)，物理量子比特?cái)?shù)超1200個(gè)

發(fā)表于：9/11/2024

合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

發(fā)表于：9/11/2024

消息稱其臺(tái)積電首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)低于ASML3.5億歐元報(bào)價(jià)

9月10日消息，繼英特爾搶先于2024年4月宣布完成業(yè)界首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機(jī)組裝后，臺(tái)積電竹科園區(qū)將于 9 月底前引進(jìn)其首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)，較外界所猜測(cè)的年底時(shí)間點(diǎn)提前一整個(gè)季度。 Digitimes 報(bào)道稱，臺(tái)積電首部 High NA EUV 設(shè)備的購(gòu)入價(jià)格遠(yuǎn)低于原定的 3.5 億歐元（注：當(dāng)前約 27.55 億元人民幣）報(bào)價(jià)。據(jù)稱，臺(tái)積電之所以可以享受折扣，主要是因?yàn)?ASML 給出了很大讓步（畢竟臺(tái)積電可是超級(jí) VIP），全力協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)機(jī)、調(diào)校與技術(shù)支援等，加速上線時(shí)間點(diǎn)，也就是此臺(tái)主要目的為臺(tái)積電試用。ASML 對(duì)此則表示，不評(píng)論單一客戶。

發(fā)表于：9/10/2024

2029年先進(jìn)IC載板市場(chǎng)將達(dá)255.3億美元

玻璃芯基板商業(yè)化加速，2029年先進(jìn)IC載板市場(chǎng)將達(dá)255.3億美元

發(fā)表于：9/10/2024

中國(guó)人工智能核心產(chǎn)業(yè)規(guī)模已接近6000億元

中國(guó)人工智能核心產(chǎn)業(yè)規(guī)模已接近6000億元

發(fā)表于：9/10/2024

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