工業(yè)自動化最新文章 中微公司發(fā)明專利再獲中國專利獎殊榮 中微公司發(fā)明專利再獲中國專利獎殊榮 中國上海，2025年1月9日——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）和南昌中微半導體設備有限公司共同擁有的發(fā)明專利“一種化學氣相沉積裝置及其清潔方法”（專利號：ZL201510218357.1）榮獲第二十五屆中國專利獎銀獎。 發(fā)表于：1/10/2025 激光雷達廠商紛紛競逐機器人賽道 競逐機器人賽道、卷向“千線” 激光雷達廠商大秀“肌肉”|CES 2025 發(fā)表于：1/10/2025 國家大基金二期入股中安半導體 1月9日消息，根據(jù)天眼查資料顯示，1月7日，南京中安半導體設備有限責任公司（簡稱“中安半導體”）發(fā)生工商變更，新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（簡稱“大基金二期”）、北京屹唐創(chuàng)欣創(chuàng)業(yè)投資中心等為股東。其中，大基金二期持股3.5051%。 中安半導體產(chǎn)品主要應用于大硅片生產(chǎn)、晶圓制造、設備研發(fā)、先進封裝等領域，核心技術覆蓋精密光機電、深紫外、高速相機等，同時擁有自主研發(fā)的核心算法，設備性能國際領先，目前已獲得多家頭部客戶的高度認可與重復訂單，并通過技術迭代，滿足客戶定制化需求，未來業(yè)務有望持續(xù)放量。 發(fā)表于：1/10/2025 AI帶動下存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升 AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升 存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望回升 發(fā)表于：1/10/2025 錯過HBM熱潮的三星電子2024慘淡收官 1月9日消息，日前三星公布了2024年第四季度的營業(yè)利潤預測數(shù)字，結果遠低于外界預期，主要原因是其在高端芯片供應方面的落后，尤其是AI相關的HBM市場。 發(fā)表于：1/10/2025 傳感器測試專題 傳感器是一種檢測并響應某些類型的輸入從外部環(huán)境的設備，輸入可能是光、熱、運動、濕度、壓力等形式。傳感器將這些輸入轉換成成可以被測量儀、計算機或其他設備識別和處理的電信號。傳感器廣泛應用于各種領域。 發(fā)表于：1/10/2025 2024中國人工智能企業(yè)50強公布 1 月 10 日消息，1 月 9 日，胡潤研究院發(fā)布《2024 胡潤中國人工智能企業(yè) 50 強》，按照企業(yè)價值進行排名。上市公司市值按照 2024 年 12 月 18 日的收盤價計算，非上市公司估值參考同行業(yè)上市公司或者根據(jù)最新一輪融資情況進行估算。這是胡潤研究院首次發(fā)布該榜單。 發(fā)表于：1/10/2025 Ansys宣布將PowerArtist EDA產(chǎn)品線出售給是德科技 Ansys宣布將PowerArtist EDA產(chǎn)品線出售給是德科技！ 發(fā)表于：1/10/2025 非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅動GaNFET？ 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管（GaNFET）功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅動器，而新的GaN驅動器和內置GaN驅動器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡單的專用GaNFET驅動器（如LT8418）外，市場上還存在針對GaN的復雜降壓和升壓控制器（如LTC7890、LTC7891）。目前的四開關降壓-升壓解決方案仍有些復雜，但驅動GaNFET并不像看起來那么困難。利用一些簡單的背景知識，可以通過調整針對Si MOSFET的控制器來驅動GaNFET。 發(fā)表于：1/9/2025 豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓 1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 發(fā)表于：1/9/2025 2024年11月全球半導體銷售額達578億美元 據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會 (SIA) 數(shù)據(jù)，2024 年11月全球半導體銷售額達到578億美元，與2023年11月的479億美元相比增長20.7%，比2024年10月的569億美元增長1.6%。環(huán)比銷售額由世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）編制，代表三個月的移動平均值。SIA占美國半導體行業(yè)收入的99%，占美國以外芯片公司的近三分之二。 發(fā)表于：1/9/2025 傳博通將成為Rapidus的2nm客戶 1月9日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本支持的本土初創(chuàng)晶圓代工廠Rapidus將和美國博通（Broadcom）公司達成合作。Rapidus目標在今年6月提供2nm產(chǎn)品的樣品給博通。 發(fā)表于：1/9/2025 2025年全球將開建18座晶圓廠 1月8日消息，根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新公布的2024年第四季度《全球晶圓廠預測》報告預計，2025年全球將有18座新的晶圓廠開工建設。同時，預計2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達到3360萬片約當8英寸晶圓，同比將增長6.6%。 發(fā)表于：1/9/2025 美光新加坡HBM內存先進封裝工廠動工 美光新加坡HBM內存先進封裝工廠動工，2026年投運 發(fā)表于：1/9/2025 英偉達AI芯片性能增速遠超摩爾定律設定的標準 在拉斯維加斯舉行的國際消費電子展 (CES 2025) 上，英偉達 CEO 黃仁勛在一次面向萬人的主題演講后接受 TechCrunch 采訪時表示，其公司 AI 芯片的性能提升速度已遠超數(shù)十年來推動計算機技術進步的“摩爾定律”設定的標準。 發(fā)表于：1/9/2025 ?…111112113114115116117118119120…?
