工業(yè)自動(dòng)化最新文章 英特爾晶圓代工直指三星后院 6月4日消息，英特爾通過(guò)官網(wǎng)宣布，英特爾代工部門將于 6 月 24 日在韓國(guó)首爾舉行 Direct Connect Asia 活動(dòng)，這也是英特爾代工 Direct Connect 大會(huì)首次來(lái)到美國(guó)境外。英特爾代工部門表示，此次活動(dòng)將提供一個(gè)與其高管和技術(shù)專家深入交流的獨(dú)家機(jī)會(huì)。 發(fā)表于：6/4/2025 臺(tái)積電日本JASM第二晶圓廠項(xiàng)目動(dòng)工因交通不暢延遲 6 月 3 日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家在今日年度股東常會(huì)后接受采訪時(shí)確認(rèn)，臺(tái)積電在日控股子公司 JASM 的第二晶圓廠項(xiàng)目動(dòng)工出現(xiàn)略微延遲。 發(fā)表于：6/4/2025 AMD慶祝賽靈思成立40周年 40 年前，賽靈思（Xilinx）推出了一種革命性的設(shè)備，讓工程師可以在辦公桌上使用邏輯編程。 賽靈思開發(fā)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）使工程師能夠?qū)⒕哂凶远x邏輯的比特流下載到臺(tái)式編程器中立即運(yùn)行，而無(wú)需等待數(shù)周才能從晶圓廠返回芯片。如果出現(xiàn)錯(cuò)誤或問(wèn)題，設(shè)備可以在那里重新編程。 發(fā)表于：6/4/2025 臺(tái)積電2nm制程投產(chǎn)在即 每片晶圓代工價(jià)格飆升至3萬(wàn)美元 6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電即將迎來(lái) 2 納米制程的投產(chǎn)，這一技術(shù)突破標(biāo)志著芯片制造領(lǐng)域進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電的 2 納米制程從研發(fā)到量產(chǎn)的總成本高達(dá) 7.25 億美元，其代工價(jià)格也水漲船高，每片晶圓的代工價(jià)格飆升至 3 萬(wàn)美元 發(fā)表于：6/3/2025 臺(tái)積電CEO否認(rèn)近期擬赴阿聯(lián)酋設(shè)廠傳聞 6 月 3 日消息，在今日舉行的臺(tái)積電年度股東常會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家就近期有關(guān)臺(tái)積電擬赴阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目的媒體傳聞作出簡(jiǎn)短回應(yīng)：“不會(huì)”。 發(fā)表于：6/3/2025 三星挖來(lái)臺(tái)積電前高管以開拓晶圓代工業(yè)務(wù) 6月3日消息，據(jù)韓媒Fnnews報(bào)道，三星電子為了強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力已經(jīng)聘請(qǐng)了臺(tái)積電前高管Margaret Han，擔(dān)任北美晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。過(guò)去Margaret Han曾在臺(tái)積電任職長(zhǎng)達(dá)21年，隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)英特爾及恩智浦等半導(dǎo)體大廠。 發(fā)表于：6/3/2025 Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案 6月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。 雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。 該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計(jì)，并評(píng)估量產(chǎn)可行性，力爭(zhēng)在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。 發(fā)表于：6/3/2025 中國(guó)科學(xué)院物理研究所發(fā)現(xiàn)超帶隙透明導(dǎo)體 6 月 2 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院物理研究所官網(wǎng)，透明導(dǎo)體兼具導(dǎo)電性與透明性，廣泛應(yīng)用于觸控屏、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現(xiàn)代信息與能源技術(shù)中不可或缺的核心材料。 發(fā)表于：6/3/2025 消息稱瑞薩電子放棄生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體 6 月 3 日消息，《日經(jīng)亞洲》日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 29 日?qǐng)?bào)道稱，瑞薩電子已放棄制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體，原定于 2025 年初在群馬縣高崎市工廠啟動(dòng)生產(chǎn)的計(jì)劃破滅，相關(guān)生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)已于今年早些時(shí)候解散。 發(fā)表于：6/3/2025 銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級(jí)端到端具身FSD大模型 6月1日消息，銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級(jí)端到端具身 FSD 大模型 —— TrackVLA，一款具備純視覺環(huán)境感知、語(yǔ)言指令驅(qū)動(dòng)、可自主推理、具備零樣本（Zero-Shot）泛化能力的具身大模型。 發(fā)表于：6/3/2025 我國(guó)科學(xué)家利用溫加工方法制備高性能半導(dǎo)體薄膜 6 月 2 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院官方微博轉(zhuǎn)中國(guó)科學(xué)報(bào)報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東院士團(tuán)隊(duì)，聯(lián)合上海交通大學(xué)魏天然教授團(tuán)隊(duì)，發(fā)現(xiàn)一類特殊的脆性半導(dǎo)體在 500K 下具有良好的塑性變形和加工能力，并建立了與溫度相關(guān)的塑性物理模型，在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)了類似金屬的塑性加工工藝，為豐富無(wú)機(jī)半導(dǎo)體加工制造技術(shù)、拓展應(yīng)用場(chǎng)景提供了重要支撐。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然 - 材料》。 發(fā)表于：6/3/2025 Synopsys CEO發(fā)內(nèi)部信稱美國(guó)新規(guī)將影響中國(guó)所有客戶 繼當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年5月29日，新思科技(Synopsys)通過(guò)官方發(fā)布公告，宣布已經(jīng)收到了美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)的對(duì)華出口管制通知函之后，新思科技CEO Sassine Ghazi也向員工發(fā)布了內(nèi)部信進(jìn)行了進(jìn)一步的解釋。 發(fā)表于：6/3/2025 中國(guó)商務(wù)部回應(yīng)美國(guó)無(wú)理指責(zé)及斷供EDA等行為 據(jù)中國(guó)商務(wù)部網(wǎng)站6月2日消息，針對(duì)近日美國(guó)指控中方違反中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談共識(shí)，以及對(duì)華斷供芯片設(shè)計(jì)軟件（EDA）等相關(guān)事宜，商務(wù)部新聞發(fā)言人進(jìn)行了回應(yīng)。 發(fā)表于：6/3/2025 貿(mào)澤電子與Analog Devices攜手推出全新電子書 2025年5月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 合作推出全新電子書《14 Experts Discuss Motor Control in Modern Applications》（14位專家探討現(xiàn)代應(yīng)用中的電機(jī)控制），探討電機(jī)控制領(lǐng)域的新趨勢(shì)和新挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：5/31/2025 日月光推出具備硅通孔FOCoS-Bridge封裝技術(shù) 5月29日，半導(dǎo)體封測(cè)大廠日月光半導(dǎo)體宣布推出具備硅通孔（TSV）的扇出型基板上芯片橋接技術(shù)（FOCoS-Bridge），推動(dòng)人工智能（AI）技術(shù)發(fā)展，并加速AI 對(duì)全球生活的深遠(yuǎn)影響。 發(fā)表于：5/30/2025 ?…31323334353637383940…?
