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消費(fèi)電子最新文章

2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布

據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹? 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

發(fā)表于：2/5/2024

英偉達(dá)對華特供 H20 AI 芯片已可接受預(yù)訂

據(jù)界面新聞記者援引多位經(jīng)銷商消息，英偉達(dá)對華“特供版”AI 芯片 H20 的終端產(chǎn)品已可接受預(yù)訂，產(chǎn)品形態(tài)包括計算卡和搭載 8 張 H20 計算卡的服務(wù)器。有經(jīng)銷商稱搭載 8 張 H20 計算卡的服務(wù)器拿貨價格超過 150 萬元，不少經(jīng)銷商認(rèn)為這一價格有點(diǎn)“虛高”，因此還未決定是否進(jìn)貨。另有經(jīng)銷商透露，H20 計算卡價格并非固定，會在一定范圍內(nèi)有所浮動，目前英偉達(dá)傾向于出售服務(wù)器整機(jī)系統(tǒng)。

發(fā)表于：2/5/2024

3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億

據(jù)韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。當(dāng)三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經(jīng)可以養(yǎng)家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產(chǎn)量的持續(xù)強(qiáng)勁增長。在 3nm 先進(jìn)制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領(lǐng)先。

發(fā)表于：2/5/2024

長鑫存儲準(zhǔn)備自己造HBM內(nèi)存

據(jù)媒體報道，中國領(lǐng)先的存儲企業(yè)長鑫存儲 ( CXMT ) 已經(jīng)開始準(zhǔn)備必要設(shè)備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿足迫切的 AI、HPC 應(yīng)用需求。

發(fā)表于：2/5/2024

華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利

華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利

發(fā)表于：2/5/2024

SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4

據(jù)媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預(yù)計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。據(jù)了解，HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。

發(fā)表于：2/5/2024

聯(lián)發(fā)科將以更實(shí)惠的價格為三星提供芯片

傳聞聯(lián)發(fā)科將以更實(shí)惠的價格為三星提供芯片，但旗艦系列不大可能采用天璣9400

發(fā)表于：2/5/2024

美國ITC終止對移動電話等產(chǎn)品337調(diào)查

摩托羅拉移動、聯(lián)想涉案美國ITC終止對移動電話等產(chǎn)品337調(diào)查

發(fā)表于：2/5/2024

史上首個100%開源大模型重磅登場

史上首個 100% 開源大模型重磅登場：破紀(jì)錄公開代碼 / 權(quán)重 / 數(shù)據(jù)集 / 訓(xùn)練全過程，AMD 都能訓(xùn) 艾倫人工智能研究所等 5 機(jī)構(gòu)最近公布了史上最全的開源模型「OLMo」，公開了模型的模型權(quán)重、完整訓(xùn)練代碼、數(shù)據(jù)集和訓(xùn)練過程，為以后開源社區(qū)的工作設(shè)立了新的標(biāo)桿。

發(fā)表于：2/4/2024

谷歌推出AI擴(kuò)散模型Lumiere

谷歌推出AI擴(kuò)散模型Lumiere，可通過文字生成連貫動作視頻谷歌研究院推出了一款名為Lumiere的“文生視頻”擴(kuò)散模型，主打采用自家最新開發(fā)的“Space-Time U-Net”基礎(chǔ)架構(gòu)，號稱能夠一次生成“完整、真實(shí)、動作連貫”的視頻。這是一種新的生成式AI工具,可幫助您通過基于文本的命令創(chuàng)建更逼真的圖像和視頻。

發(fā)表于：2/4/2024

1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料

根據(jù)韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進(jìn)的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。分析機(jī)構(gòu) TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點(diǎn)率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進(jìn)一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護(hù)工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認(rèn)為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。

發(fā)表于：2/4/2024

三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗

根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。

發(fā)表于：2/4/2024

Meta第二代自研AI芯投產(chǎn)

Meta第二代自研AI芯投產(chǎn)，擺脫英偉達(dá)依賴！為買H100小扎狂砸數(shù)百億美元

發(fā)表于：2/4/2024

英飛凌與Framework攜手推出具有先進(jìn)USB-C連接功能的筆記本電腦

【2024年2月2日，德國慕尼黑和美國加利福尼亞州舊金山訊】電子垃圾和很容易被淘汰的筆記本電腦一體機(jī)等問題逐漸引起了許多消費(fèi)者的關(guān)注和擔(dān)憂，這些消費(fèi)者希望有更加綠色環(huán)保的科技產(chǎn)品供其選擇。為此，F(xiàn)ramework Computer與英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）合作，在近期聯(lián)合推出了最新產(chǎn)品Framework Laptop 16。這款筆記本電腦是首款支持180 W和240 W USB-C充電的消費(fèi)電子產(chǎn)品，該功能的實(shí)現(xiàn)主要?dú)w功于Framework Laptop 16使用了支持?jǐn)U展功率范圍（EPR）的、高度集成的雙/單端口USB-C PD控制器——EZ-PD? CCG8。

發(fā)表于：2/2/2024

英偉達(dá)中國特供AI芯片價格曝光

據(jù)媒體報道，有知情人士透露，英偉達(dá)為中國特供AI芯片H20設(shè)定的價格為每顆1.2萬美元（約合8.5萬元人民幣）至1.5萬美元（約合10.7萬元人民幣）。不過一些經(jīng)銷商已經(jīng)開始大幅加價，把H20的起售價提高到了11萬元。不僅如此，英偉達(dá)經(jīng)銷商還將對外出售配備了8個H20芯片的服務(wù)器，售價為140萬元；相比之下，配備了8顆H800芯片的服務(wù)器在一年前推出時的售價約為200萬元。

發(fā)表于：2/2/2024

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