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中國(guó)臺(tái)灣芯片產(chǎn)值今年將創(chuàng)下1650億美元紀(jì)錄

一家行業(yè)協(xié)會(huì)周四表示，中國(guó)臺(tái)灣今年的半導(dǎo)體產(chǎn)量有望增長(zhǎng) 22%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 5.3 萬(wàn)億新臺(tái)幣（1650 億美元）。

發(fā)表于：11/8/2024

消息稱三星1&2代3nm工藝良率僅60%和20%

11 月 7 日消息，韓媒《時(shí)事周刊 e》（Sisa Journal e）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子第 1、2 代 3nm 工藝（注：即 SF3E-3GAE 與 SF3-3GAP）目前良率分別為 60% 和 20% 左右。這一水平未達(dá)到高通、英偉達(dá)等主要潛在客戶提出的 70% 要求，導(dǎo)致三星無(wú)法在最先進(jìn)制程上與臺(tái)積電爭(zhēng)奪訂單，進(jìn)而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力。

發(fā)表于：11/8/2024

中芯國(guó)際Q3營(yíng)收創(chuàng)新高

11月7日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布了2024年第三季度財(cái)報(bào)，不僅以美元計(jì)的單季營(yíng)收首次突破20億美元，創(chuàng)歷史新高，并且凈利潤(rùn)也同比大漲56.4%?。? 具體來(lái)說(shuō)，今年前三季度營(yíng)業(yè)收入418.79億元，同比增長(zhǎng)26.5%；凈利潤(rùn)27.06億元，同比減少26.4%；扣非凈利潤(rùn)21.99億元，同比下降10.4%。其中，第三季度，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)收156.09億元，同比增長(zhǎng)32.5%，環(huán)比增長(zhǎng)14%；凈利潤(rùn)10.59億元，同比大漲56.4%；扣非凈利潤(rùn)9.11億元，同比增長(zhǎng)32.1%。

發(fā)表于：11/8/2024

臺(tái)積電先進(jìn)制程海外首發(fā)4nm

11月7日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2025年初開(kāi)始量產(chǎn)4納米制程技術(shù)，月產(chǎn)能或達(dá)2-3萬(wàn)片，這也是臺(tái)積電海外生產(chǎn)先進(jìn)制程首發(fā)。二廠將采用3nm制程，規(guī)劃月產(chǎn)能2.5萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2028年兩廠合計(jì)月產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)片；三廠將采用2nm或更先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)在2030年前完成。

發(fā)表于：11/8/2024

SIA：Q3全球半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)23.2%

11月6日消息，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球半導(dǎo)體銷售額為1660億美元，同比增長(zhǎng)23.2%，環(huán)比增長(zhǎng)10.7%。2024年9月的全球銷售額為553億美元，與2024年8月的531億美元相比增長(zhǎng)了4.1%。 SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示："2024年第三季度，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，季度銷售額創(chuàng)2016年以來(lái)最大增幅。在美洲同比增長(zhǎng)46.3%的推動(dòng)下，9月份的銷售額達(dá)到了市場(chǎng)有史以來(lái)最高的單月總額。”

發(fā)表于：11/7/2024

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子很快將開(kāi)始銷售各條前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠。預(yù)計(jì)因美國(guó)政府壓力堆積起來(lái)而無(wú)法及時(shí)出售的設(shè)備很快將通過(guò)中國(guó)本土企業(yè)或第三方出售。業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子最近在半導(dǎo)體部門（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。與多家公司的討論已經(jīng)開(kāi)始，預(yù)計(jì)出售過(guò)程將于2025年正式開(kāi)始。銷售的設(shè)備大部分是100層3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。

發(fā)表于：11/7/2024

聯(lián)發(fā)科天璣9500將采用臺(tái)積電2nm制程

發(fā)表于：11/7/2024

馬斯克要求SpaceX供應(yīng)商將生產(chǎn)搬出中國(guó)臺(tái)灣

11月7日消息，據(jù)路透社報(bào)道，特斯拉、SpaceX首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克已經(jīng)要求為SpaceX提供零部件的中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)商將生產(chǎn)業(yè)務(wù)搬出中國(guó)臺(tái)灣。報(bào)道稱，這一消息來(lái)源于受雇于這些SpaceX臺(tái)灣供應(yīng)商的工作人員及商業(yè)文件。SpaceX向“星鏈”系統(tǒng)提供零部件的臺(tái)灣供應(yīng)商表示，由于地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，希望這些企業(yè)將生產(chǎn)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到其他地區(qū)。

發(fā)表于：11/7/2024

TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%

11 月 6 日消息，TrendForce 今日發(fā)布最新研報(bào)，稱 DRAM 產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)了 2024 年前三季度的去庫(kù)存化和價(jià)格回升，預(yù)計(jì)第四季度的漲價(jià)勢(shì)頭將有所減弱。由于部分廠商在今年嘗到甜頭后已經(jīng)展開(kāi)新的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，TrendForce 預(yù)估 2025 年整體 DRAM 產(chǎn)業(yè)（注：按 Bit 出貨量計(jì)算）將同比增長(zhǎng) 25%，增長(zhǎng)幅度較 2024 年更大。

發(fā)表于：11/7/2024

消息稱美國(guó)即將敲定對(duì)臺(tái)積電格芯等企業(yè)芯片法案補(bǔ)貼

消息稱美國(guó)即將敲定對(duì)臺(tái)積電、格芯等企業(yè)《CHIPS》法案補(bǔ)貼

發(fā)表于：11/7/2024

錯(cuò)過(guò)AI熱潮致使三星面臨空前危機(jī)

11月7日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星目前正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。一方面，公司在先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展上似乎停滯不前，另一方面，過(guò)時(shí)的企業(yè)文化導(dǎo)致人才流失問(wèn)題日益嚴(yán)重。

發(fā)表于：11/7/2024

鎧俠預(yù)計(jì)到2028年NAND Flash需求將增加2.7倍

鎧俠：預(yù)計(jì)到2028年NAND Flash需求將增加2.7倍

發(fā)表于：11/7/2024

蘋果擬聯(lián)手富士康在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)AI服務(wù)器

據(jù)日經(jīng)報(bào)道，蘋果正與富士康討論在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn) AI 服務(wù)器，旨在增強(qiáng) Apple Intelligence 設(shè)備（如 iPhone 16系列）的云端算力并抓住生成式 AI 浪潮。富士康主要以蘋果 iPhone代工廠而聞名，但其實(shí)這家公司同時(shí)也在生產(chǎn) Nvidia 的 AI 服務(wù)器，甚至計(jì)劃在墨西哥建造全球最大的 GB200 芯片制造工廠，詳情可見(jiàn)IT之家此前報(bào)道。消息人士稱，其承接蘋果服務(wù)器的能力可能比較有限。據(jù)稱，蘋果打算為這些 AI 服務(wù)器使用自研芯片，主要場(chǎng)景是內(nèi)部使用，因此與 Nvidia 訂單相比生產(chǎn)量較小。為了增強(qiáng)其 AI 服務(wù)器能力，蘋果還打算與聯(lián)想及其他較小的供應(yīng)商進(jìn)行合作，以協(xié)助服務(wù)器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工作。

發(fā)表于：11/7/2024

2030年僅EUV光刻機(jī)的年耗電量將超過(guò)54000吉瓦

2030年僅EUV光刻機(jī)的年耗電量將超過(guò)54000吉瓦！ 11月4日消息，根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新發(fā)布的報(bào)告稱，隨著極紫外（EUV）光刻技術(shù)的演進(jìn)，該技術(shù)日益增長(zhǎng)的能源要求或?qū)⒊蔀橐淮箅y題。目前EUV光刻技術(shù)是制造7nm及以下先進(jìn)制程所需的關(guān)鍵技術(shù)，荷蘭的 ASML 和比利時(shí)的 imec 一直是EUV光刻技術(shù)研發(fā)方面的領(lǐng)軍企業(yè)。ASML下一代High NA EUV不僅系統(tǒng)龐大且復(fù)雜（設(shè)備在晶圓廠中需要更多的空間，尤其是高度，因此往往用于新的晶圓廠），同時(shí)成本也非常高昂，達(dá)到了3.5億美元。

發(fā)表于：11/5/2024

SK海力士稱英偉達(dá)要求其提前6個(gè)月供應(yīng)HBM4

11月4日消息，據(jù)路透社報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源在SK AI Summit 2024發(fā)表主題演講時(shí)表示，SK海力士計(jì)劃2025下半年推出首批12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，16層堆疊的HBM4將會(huì)在2026年推出。

發(fā)表于：11/5/2024