EDA與制造相關文章 芯片三巨頭發(fā)力CFET架構以備戰(zhàn)埃米時代 臺積電三星英特爾發(fā)力CFET工藝以備戰(zhàn)埃米時代 發(fā)表于：6/4/2024 埃賽力達推出首款適用于340 nm-360 nm波長范圍的 以市場為導向的創(chuàng)新光電解決方案工業(yè)技術領導者——埃賽力達科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期宣布推出適用于340 nm-360 nm波長范圍的LINOS? UV F-Theta Ronar低釋氣鏡頭。作為市場上首款采用低釋氣和不銹鋼設計的可現(xiàn)貨供應的UV F-Theta鏡頭，該新鏡頭比傳統(tǒng)產(chǎn)品具有更強的耐用性，可處理更高的UV脈沖能量和超短激光脈沖，適用于半導體、晶片加工和電子顯示行業(yè)中的激光材料加工應用。 發(fā)表于：6/3/2024 美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅 能效優(yōu)異，消息稱美光在 HBM 內(nèi)存領域迅速成為韓廠威脅 6 月 3 日消息，韓媒 ETNews 近日報道指，在優(yōu)異能效等因素下，美光正迅速在 HBM 內(nèi)存領域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國存儲企業(yè)的威脅。 發(fā)表于：6/3/2024 中國電子學會綠色PC標準正式發(fā)布 中國綠色PC標準正式發(fā)布！首款酷睿Ultra綠色一體機減碳超60％ 發(fā)表于：6/3/2024 Intel CEO將宴請中國臺灣供應鏈 Intel CEO將宴請中國臺灣供應鏈：包括被NVIDIA獨漏的仁寶電腦 發(fā)表于：6/3/2024 美國推遲對中國進口顯卡主板等恢復征收關稅 6月1日消息，據(jù)外媒最新報道稱，美國推遲對中國進口的顯卡、主板等產(chǎn)品征收關稅，時間暫定寬限1年。 報道中提到，之前美國貿(mào)易代表（USTR）已通知，白宮將于6月15日對部分中國進口商品重新啟動特朗普時代的關稅。 其中，25%的關稅將持續(xù)有效至2025年5月31日，但美國可以選擇更新和延長關稅，但最終他們還是選擇延后。 由于中國長期以來一直是顯卡、主板和許多其他組件的主要生產(chǎn)國，恢復征收關稅有可能抬高產(chǎn)品價格。 據(jù)美國金融研究辦公室（Office of the Federal Register OFR)公布的調(diào)查結果顯示，加增25%的高關稅會對美國PC市場造成很大損失。 目前沒有替代的產(chǎn)品，幾乎都來自中國制造，如果強制性加增，勢必會讓美國的PC玩家以更高價格才能買到產(chǎn)品。 發(fā)表于：6/3/2024 X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案 中國北京，2024年5月21日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。 發(fā)表于：5/31/2024 泰瑞達交付第 8,000 臺 J750 半導體測試系統(tǒng) 2024年5月21日，中國 北京訊 —— 全球先進的自動測試設備供應商泰瑞達（NASDAQ:TER）今日宣布，與獨立第三方集成電路測試服務企業(yè)偉測科技共同達成一項里程碑式結果，暨順利交付第 8,000 臺 J750 半導體測試平臺。 發(fā)表于：5/31/2024 2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽火熱開賽 2024 年 5 月 30 日，中國西安訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國大學生電子設計競賽（以下：NUEDC）組織委員會在西安交通大學就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協(xié)議。值此，繼2018年以來，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽第四屆比賽，正式拉開帷幕。 發(fā)表于：5/31/2024 蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程 臺積電3nm產(chǎn)能被蘋果等包圓 蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程 發(fā)表于：5/31/2024 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域：防止技術外漏 5月30日消息，據(jù)媒體報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省近日宣布，將在半導體、先進電子零部件、蓄電池、機床及工業(yè)機器人、飛機零部件等五大關鍵產(chǎn)業(yè)領域?qū)嵤└鼮閲栏竦谋O(jiān)管措施，以遏制技術外泄風險。 發(fā)表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產(chǎn)計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計劃提前至2026年 發(fā)表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調(diào)查，調(diào)查起因是該公司在其一家芯片工廠內(nèi)發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現(xiàn)“異?！钡妮椛浒Y狀被緊急送往醫(yī)院接受專業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細致的醫(yī)學檢查。盡管他們的手指呈現(xiàn)輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測結果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應，公開承認這兩名員工在位于韓國器興的半導體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發(fā)表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發(fā)表于：5/31/2024 南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn) 南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn) 發(fā)表于：5/30/2024 ?…82838485868788899091…?
