SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80%

5 月 23 日消息，SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》表示，該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%。

發(fā)表于：5/23/2024

ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī)

ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：5/23/2024

ASML：考慮推出通用EUV光刻平臺(tái) 覆蓋不同數(shù)值孔徑

ASML 著眼未來(lái)：考慮推出通用 EUV 光刻平臺(tái)，覆蓋不同數(shù)值孔徑

發(fā)表于：5/23/2024

2024年Gartner Top25供應(yīng)鏈榜單公布

AI 崛起已成定勢(shì)：2024 年 Gartner Top 25 供應(yīng)鏈榜單公布，英偉達(dá)首次上榜入圍前十

發(fā)表于：5/23/2024

臺(tái)積電：CoWoS和SoIC產(chǎn)能未來(lái)三年將增長(zhǎng)60%和100%

臺(tái)積電：CoWoS 和 SoIC 產(chǎn)能未來(lái)三年復(fù)合年增長(zhǎng)率將分別達(dá) 60%、100%

發(fā)表于：5/23/2024

三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)

對(duì)標(biāo)臺(tái)積電！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā)

發(fā)表于：5/23/2024

ASML暗示可遠(yuǎn)程癱瘓旗下光刻機(jī)

5月22日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML聲稱可以遠(yuǎn)程癱瘓旗下售出的光刻機(jī)，這引來(lái)網(wǎng)友的圍觀。 現(xiàn)在，報(bào)道中有給出了更多有趣的細(xì)節(jié)，比如ASML表示可以遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）相應(yīng)機(jī)器，包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）。 消息人士稱，EUV需要頻繁維護(hù)，如果沒(méi)有ASML提供的備件，這些機(jī)器很快就會(huì)停止工作。

發(fā)表于：5/22/2024

三星電子計(jì)劃2025年完成4F2 VCT DRAM原型開發(fā)

邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

發(fā)表于：5/22/2024

三星計(jì)劃用第二代3nm爭(zhēng)取英偉達(dá)

5月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來(lái)爭(zhēng)奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。 但最新報(bào)告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競(jìng)爭(zhēng)中的一個(gè)重大障礙。 與此形成鮮明對(duì)比的是，臺(tái)積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺(tái)積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會(huì)削弱其在價(jià)格和性能方面與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的能力。

發(fā)表于：5/22/2024

臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50%

臺(tái)積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上透露，隨著在德國(guó)和日本新建晶圓廠以及在中國(guó)臺(tái)灣擴(kuò)大產(chǎn)能，臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴(kuò)大50%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能，還需要為此新建晶圓廠。臺(tái)積電同時(shí)公布下一個(gè)特殊制程節(jié)點(diǎn)：N4e，一種4nm級(jí)超低功耗工藝節(jié)點(diǎn)。 臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運(yùn)營(yíng)處副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）表示，“過(guò)去臺(tái)積電總是對(duì)即將建成的晶圓廠進(jìn)行預(yù)先審查再?zèng)Q定，但臺(tái)積電很長(zhǎng)一段時(shí)間以來(lái)，第一次一開始就決定興建專為將來(lái)特殊工藝設(shè)計(jì)的晶圓廠，以滿足未來(lái)需求。未來(lái)4~5年，臺(tái)積電特殊工藝產(chǎn)能將增長(zhǎng)至1.5倍，我們將擴(kuò)大制造網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍，以提高整個(gè)晶圓廠供應(yīng)鏈的彈性?！?/a>

比利時(shí)imec宣布牽頭建設(shè)亞2nm制程N(yùn)anoIC中試線

imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項(xiàng)目將獲 25 億歐元資金支持

發(fā)表于：5/22/2024

臺(tái)積電開始量產(chǎn)特斯拉Dojo AI訓(xùn)練模塊

5 月 21 日消息，據(jù) DigiTimes，臺(tái)積電宣布開始利用其 InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)特斯拉 Dojo AI 訓(xùn)練模塊，目標(biāo)是到 2027 年通過(guò)更復(fù)雜的晶圓級(jí)系統(tǒng)將計(jì)算能力提高 40 倍。

發(fā)表于：5/21/2024

蘋果將獨(dú)占臺(tái)積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能

蘋果將獨(dú)占臺(tái)積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能

發(fā)表于：5/21/2024

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35% 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預(yù)計(jì)到今年底前，HBM將占先進(jìn)制程比例為35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。 以HBM最新進(jìn)展來(lái)看，TrendForce表示，今年HBM3e是市場(chǎng)主流，集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應(yīng)商，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達(dá)；三星則采用1α nm制程，第二季度完成驗(yàn)證，年中交貨。

發(fā)表于：5/21/2024

臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急

臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急！根本無(wú)法滿足AI GPU需求

發(fā)表于：5/21/2024